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公开(公告)号：KR101301080B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020080024501
申请日：2008-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0455
Abstract: 본 발명에 따른 삼극 전계방출소자의 제조방법은 다음과 같다. 기판상에 음극, 절연막 및 게이트 금속층을 순차로 형성한다. 게이트 금속층 상에 순차로 적층되는, 제1 개구부를 갖는 제1 레지스트 패턴 및 제1 개구부의 크기보다 작은 제2 개구부를 갖는 제2 레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로 제1 레지스트 패턴을 제1 마스크 패턴으로 하여 게이트 금속층 및 절연막을 순차적으로 에칭하여 제1 개구부에 대응하는 제1 및 제2 홀을 각각 갖는 게이트 전극 및 절연층을 형성한다. 제2 레지스트 패턴을 제2 마스크 패턴으로 하여 제1 및 제2 홀을 통해 노출된 음극 상에 촉매층을 형성한다. 제1 및 제2 레지스트 패턴과, 제2 레지스트 패턴상에 형성된 촉매층을 제거한 후에 제2 홀 내의 촉매층 상에 이미터를 형성한다. 이처럼, 제1 및 제2 레지스트 패턴을 이용하는 경우 하나의 마스크로 게이트 전극의 제1 홀과 촉매층의 패턴을 별개로 조절할 수 있으므로, 전계방출소자의 생산효율을 향상시키고 전계방출 특성을 개선할 수 있다.
전계방출소자, 삼극관, 레지스트, 게이트 홀, 촉매층-
公开(公告)号：KR101217553B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020060040082
申请日：2006-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/2014 , G09G2310/0256 , G09G2310/066 , G09G2320/043
Abstract: 전계방출소자의구동방법이개시된다. 본발명에따른전계방출소자의구동방법은전자방출원이마련된캐소드전극및 상기캐소드전극과마주보게배치된애노드전극을포함하는전계방출소자의구동방법에있어서, 전자방출을위한구동전압으로교류전압을이용하는것을특징으로한다. 교류전압을이용함으로써아킹의발생을방지하고전자방출원을더욱활성화시킬수 있다. 아울러본 발명의일 측면에따른전계방출소자의에이징방법은전계방출소자의에이징시에상기전자방출원으로부터전자방출이일어나지않을정도의정전압과주기적으로전자방출을일으킬정도의교류전압을이용하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020110092551A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012029
申请日：2010-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03B17/00 , H01S1/00 , H01S2302/02
Abstract: PURPOSE: A terahertz oscillator and a manufacturing method of an electron emission source are provided to make a bent cathode in the electron emission source, thereby focusing emitted electron beam from the electron emission source in a sheet beam form. CONSTITUTION: An electron emission source(15) is formed on a first insulating layer(120). The electron emission source includes a cathode in order to emit an electron beam. An anode(16) is successively arranged on the first insulating layer along the emission direction of the electron beam. An oscillator circuit(17) converts the energy of the electron beam into the energy of an electromagnetic wave. A collector(18) collects the electron beam. An output unit(19) emits the electromagnetic wave created in the oscillator circuit to the outside. The cathode includes a first curvature part which is bent in the vertical direction of the first insulating layer. An electron emissive material layer is formed inside of the first curvature part.
Abstract translation: 目的：提供太赫兹振荡器和电子发射源的制造方法以在电子发射源中形成弯曲的阴极，从而以电子束形式聚焦来自电子发射源的发射电子束。 构成：在第一绝缘层（120）上形成电子发射源（15）。 电子发射源包括阴极以发射电子束。 阳极（16）沿着电子束的发射方向依次布置在第一绝缘层上。 振荡器电路（17）将电子束的能量转换成电磁波的能量。 收集器（18）收集电子束。 输出单元（19）将在振荡器电路中产生的电磁波发射到外部。 阴极包括在第一绝缘层的垂直方向上弯曲的第一曲率部分。 电子发射材料层形成在第一曲率部分的内部。
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公开(公告)号：KR1020090099323A
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020080024501
申请日：2008-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0455 , H01J1/30
Abstract: A method of fabricating a triode-structure field-emission device is provided to increase productivity by controlling the size of gate hole variously with one mask. In a method of fabricating a triode-structure field-emission device, a cathode(20), and an insulating layer, and a gate metal layer are successively formed on the substrate(10). A first resistor pattern(51') having a first opening part(53) and a second resistor pattern(52') having the second opening part(54) smaller than that of a first opening part are formed on the gate metal layer. The gate metal layer and insulating layer are etched successively by using the first resist pattern as the first mask pattern. The gate metal layer is exposed by the first opening of the first resist pattern, and the gate electrode(40') having the first hole(H1) corresponds to the first opening is formed with an exposed part.
Abstract translation: 提供一种制造三极管结构场致发射器件的方法，以通过用一个掩模不同地控制栅极孔的尺寸来提高生产率。 在制造三极管结构场致发射器件的方法中，在衬底（10）上依次形成阴极（20）和绝缘层以及栅极金属层。 在栅极金属层上形成具有第一开口部（53）和第二开口部（54）比第一开口部小的第一开口部（52'）的第一电阻体图案（51'）。 通过使用第一抗蚀剂图案作为第一掩模图案，连续蚀刻栅极金属层和绝缘层。 栅极金属层被第一抗蚀剂图案的第一开口暴露，并且具有与第一开口相对应的第一孔（H1）的栅电极（40'）形成有暴露部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090048186A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020070114456
申请日：2007-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H03B28/00 , B44C1/227 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/1903 , H01L2924/00
Abstract: 제1 기판의 어느 한 면에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 기판을 식각하여 홀을 형성하는 단계; 제2 기판의 어느 한 면에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 미리 설정된 깊이만큼 식각하여 홀을 형성하는 단계; 상기 제1 기판의 식각된 면이 상기 제2 기판의 식각된 면에 접합되도록 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하는 단계; 상기 제2 기판에 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제3 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제2 기판을 식각하여, 상기 제2 기판을 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함하는 다단계 기판 식각 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다단계 기판 식각 방법을 사용하면, 식각 후 바닥면에 곡률 반경이 생기거나 단차면에서 오버행(overhang) 구조가 생성되는 것을 방지할 수 있어 식각 품질을 개선할 수 있고, 각 기판에 위치한 얼라인 키를 사용하여 기판을 정교하게 접합할 수 있으며, 다층(multi-layer) 공정이 가능한 이점이 있다.
식각, 발진기, 테라헤르츠, 공융-
公开(公告)号：KR1020090011222A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070074593
申请日：2007-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01P11/003 , Y10T428/24802
Abstract: A method for etching multi-stage substrate and a terahertz radiation source using the same are provided to improve etching quality by minimizing a radius of curvature of an edge. A oxide film(310) is formed on a first substrate(300). A photoresist coating is formed on one surface of the first substrate. An align key pattern(330) is formed on a photoresist coated surface. A first mask pattern is formed on an opposite surface of the photoresist coated surface. A hole is formed by etching the first substrate with the first mask pattern as an etching mask. A second substrate(350) is contacted with the first substrate. A second mask pattern is formed on the second substrate. A hole is formed by etching the second substrate with the second mask pattern as an etching mask. An oxide film having etching selection ratio between the first substrate and the second substrate is removed.
Abstract translation: 提供了使用其蚀刻多级衬底和太赫兹辐射源的方法，以通过使边缘的曲率半径最小化来提高蚀刻质量。 氧化膜（310）形成在第一基板（300）上。 在第一基板的一个表面上形成光刻胶涂层。 在光致抗蚀剂涂覆的表面上形成对准键图案（330）。 在光致抗蚀剂涂覆表面的相对表面上形成第一掩模图案。 通过用第一掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻第一基板来形成孔。 第二基板（350）与第一基板接触。 在第二基板上形成第二掩模图案。 通过用第二掩模图案蚀刻第二衬底作为蚀刻掩模形成孔。 除去具有第一基板和第二基板之间的蚀刻选择比的氧化物膜。
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公开(公告)号：KR1020080065147A
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：KR1020070002168
申请日：2007-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An electron multiplier electrode and a terahertz oscillator using the same are provided to generate an electron beam having high current density by discharging secondary electrons without loss. An emitter(33) is arranged on a cathode electrode(31). The emitter discharges an electron beam. A gate electrode(32) is arranged on the cathode electrode to enclose the emitter. The gate electrode switches the electron beam. Discharge electrodes(34a,34b) are arranged on the gate electrode. The discharge electrodes have secondary electron discharge layers(35a,35b) from which secondary electrons are discharged by a collision with the electron beam. Plural secondary electron discharge electrodes having the same structure are successively arranged in a movement direction of the electron beam. Holes are formed on central parts of the gate electrode and the secondary electron discharge electrode. The secondary electron discharge layer is applied on the whole surface of the secondary electron discharge electrode.
Abstract translation: 提供电子倍增器电极和使用该电子倍增器电极的太赫兹振荡器，以通过不损失地放电二次电子来产生具有高电流密度的电子束。 发射极（33）布置在阴极电极（31）上。 发射极放电电子束。 在阴极电极上配置栅电极（32）以包围发射极。 栅电极切换电子束。 放电电极（34a，34b）布置在栅电极上。 放电电极具有二次电子通过与电子束的碰撞而被排出的二次电子放电层（35a，35b）。 具有相同结构的多个二次电子放电电极依次排列在电子束的移动方向上。 在栅电极和二次电子放电电极的中心部分上形成孔。 在二次电子放电电极的整个表面上施加二次电子放电层。
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公开(公告)号：KR101919417B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020120012533
申请日：2012-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J25/34 , B81B2201/0271 , B81C1/00063 , B81C1/00619 , B81C2201/019 , H01J25/40 , H01J25/48
Abstract: 다중터널을갖는전자기파발진기및 상기전자기파발진기를포함하는전자기파발생장치, 특히테라헤르츠대역의전자기파를발진시키기위한전자기파발진기및 상기전자기파발진기를포함하는전자기파발생장치가개시된다. 개시된전자기파발진기는, 접힌구조를가지며전자기파가진행하는도파관, 상기접힌도파관을축 방향으로관통하며전자빔이지나가는전자빔터널, 및전자빔터널주위에형성된것으로축 방향으로도파관을관통하는적어도하나의보조터널;을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160044344A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：KR1020140139259
申请日：2014-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지
Inventor： 백찬욱 , 워레이크리스토퍼알란 , 넬슨케이스아담 , 테오스테파니멩얀 , 구렐오간 , 오포리오카이벤자민크와시
IPC: G01N21/25 , G01N21/3586 , G01N21/39 , G01J3/28
Abstract: 2차원분광시스템및 분석방법이개시된다. 개시된 2차원분광시스템은, 제1펄스광을복수개로분할하며분할된제1펄스광사이에상대적인시간지연을주는광 전달지연부와, 시간차를두고입력되는복수의제1펄스광을이용하여분석하고자하는샘플이반응하는파장대역을가지며상대적인시간지연을가지는복수의반응펄스파를생성하여상기샘플에조사하는반응펄스파생성부와, 제2펄스광을각각이다른시간지연을가지며공간적으로구별되는다수의영역으로분할하여판독펄스어레이를형성하는광학판독펄스어레이형성부와, 복수의반응펄스파가샘플에조사됨에따라샘플에서발생되는신호에판독펄스어레이를오버랩하여판독하는판독부;를포함한다.
Abstract translation: 公开了二维光谱系统和光谱分析方法。 所公开的二维光谱系统包括：光传输延迟部分，其将第一脉冲光分成多个第一脉冲光，并且在划分的第一脉冲光之间产生相对时间延迟; 使用以时间间隔输入的划分的脉冲光使具有待分析的样品的波长带的反应脉冲波产生部生成具有相对时间延迟的多个反应脉冲波，以使无源脉冲波照射样本; 通过将第二脉冲光分割成具有彼此不同的时间延迟的多个区域而形成读取器脉冲阵列的光学读取器脉冲阵列形成部分，并且在空间上被划分; 以及读取部，其通过使样本与读取器脉冲阵列重叠而读取由样品产生的信号，当样品被反应脉冲波照射时。
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