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公开(公告)号：KR101947641B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：KR1020170088898
申请日：2017-07-13
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술원
IPC: H01B13/00 , H01B13/30 , H01L31/0224 , H01L51/52
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公开(公告)号：KR101691910B1
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150129511
申请日：2015-09-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은스트레인센서에관한것으로, 제1 기판, 상기제1 기판상에배치되고제1 방향으로형성된기복(undulations)을포함하는제1 전극, 상기제1 전극상에적층되는제2 기판및 상기제2 기판상에배치되고제2 방향으로형성된기복(undulations)을포함하는제2 전극포함한다.
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公开(公告)号：KR101595953B1
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020140114440
申请日：2014-08-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C01G49/06 , B01J19/121 , C01P2004/10 , H01B5/14
Abstract: 본발명은산화철마이크로와이어패턴의제조방법및 이에따라제조되는산화철마이크로와이어패턴에관한것으로, 상세하게는기판을산화철전구체용액내로침지시키는단계(단계 1); 및상기기판의전구체용액상에패턴이형성될부위에집광된레이저를조사하는단계(단계 2);를포함하되, 상기집광된레이저는 380 내지 600 nm의파장을갖는가시광레이저인것을특징으로하는산화철마이크로와이어패턴의제조방법에관한것이다. 본발명에따른산화철마이크로와이어패턴의제조방법에따르면, 산화철전구체용액에산화철밴드갭이상의에너지를갖는파장의가시광레이저를조사함으로써, 씨드층(seed layer) 없이도낮은온도및 상압에서산화철마이크로와이어를합성함과동시에별도의공정없이패터닝을함께수행할수 있다. 또한, 마이크로와이어의길이가 120 ㎛까지성장가능하며레이저의방향을바꿈으로써마이크로와이어의성장방향을조절할수 있으므로전자소자등 반도체간의연결이필요한응용분야에사용할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成氧化铁微丝图案的方法和由此形成的氧化铁微丝图形，更具体地说，涉及形成氧化铁微丝图形的方法，包括：将基底浸渍的步骤（步骤1） 成为氧化铁前体溶液; 和步骤（步骤2），用凝聚的激光照射待形成图案的基板的前体溶液的一部分，其中，聚光激光是发射具有波长的激光的可见光激光 380nm至600nm。 根据本发明的形成氧化铁微丝图案的方法，氧化铁微丝在低温和常压下合成，没有种子层，同时可以通过照射氧化铁前体而不需要额外的方法进行图案化 用可见光激光器发射具有等于或大于氧化铁带隙的能量的激光束的解决方案。 此外，微线的长度可以长达120μm，并且可以通过改变激光的方向来调节微线的生长方向，从而被用于需要在半导体之间进行连接的应用领域 作为电子元件等。
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公开(公告)号：KR1020150096218A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140017386
申请日：2014-02-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0095 , B22F9/00
Abstract: 본 발명은 고분자를 캡핑제로 이용하여 은 나노 와이어의 길이를 신장시키며, 이를 산화물로 코팅 시킨 후 400 내지 500 ℃에서 5 내지 6시간 동안 소성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따라 제조된 은 나노 와이어는 전기전도도 및 투명성이 높아 종래 투명 전극, 플렉서블 디스플레이 등 플렉서블 장치 분야에 사용되고 있는 ITO를 대체할 수 있다.
Abstract translation: 本发明构造为使用聚合物作为封端剂，在用氧化物涂覆之后拉伸长度的银纳米线，并在400-500℃的温度下使银纳米线增塑5-6小时。 根据本发明，具有高导电性和透明度的银纳米线可以代替在诸如常规透明电极，柔性显示器等的柔性器件领域中使用的ITO。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102223396B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020200092867
申请日：2020-07-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의일 예의스트레쳐는링 형태의가변부가탄성력을가지며내측의탄성물질과연결되는제1벽과제1벽과함께중공을구성하는제2벽에의해형성되며, 중공을연결구멍이형성된분리벽으로제1공간및 제2공간으로나누도록구성된다. 제2공간은적어도일부가제1벽에의해형성되는데, 제1공간에형성된상기밀폐부재의일방향으로움짐임에따라제2공간의공기가상기제1공간으로빠져나감으로써상기제1벽이상기제2공간으로신장되고, 제1벽이제2공간측으로신장되면서탄성물질을신장시킨다. 특히, 본발명의일 예의등방성스트레쳐는가볍고구조가간단하며, 밀폐부재의움직임을레버등을이용해간편하게조작가능하다는장점이있다.
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公开(公告)号：KR102222245B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020200037522
申请日：2020-03-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G03F7/20 , B23K26/359 , B23K26/03 , G03F7/075
Abstract: 본발명은미세패터닝방법은광투과성및 투명성이높은실리콘계엘라스토머의일 위치에이니시에이터 (initiator)를형성하고레이저빔을이동시켜연쇄열분해를유도함으로써매우빠른시간에미세패터닝을수행하면서도동시에높은품질을가지는미세패턴을형성할수 있는실리콘계엘레스토머의미세패터닝방법에관한것입니다.
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公开(公告)号：KR101689276B1
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150121172
申请日：2015-08-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은제1 금속을포함하는복수의금속나노와이어표면에제2 금속을포함하는금속산화물종자입자(seed particles)를코팅시키는단계(단계 1); 상기단계 1에서금속산화물종자입자가코팅된복수의금속나노와이어를기판상부에정렬시키는단계(단계 2); 상기단계 2에서정렬된복수의금속나노와이어중 단일금속나노와이어의양 말단에접촉하는금속패드를형성하는단계(단계 3); 및상기기판을제2 금속이온을포함하는용액에침지시킨후, 상기단계 3에서금속패드가형성된금속나노와이어에전류를가하여제1 금속을포함하는금속나노와이어에제2 금속을포함하는금속산화물나노와이어를형성하는단계(단계 4);를포함하는헤테로접합금속나노와이어의제조방법을제공한다. 본발명에따른헤테로접합금속나노와이어의제조방법은종래의진공증착, 포토리소그래피또는진공분위기에서의전자빔리소그래피를사용하지않고, 모든공정을상압, 상온에서수행할수 있는장점이있다. 이에따라, 공정시간과비용을절감할수 있다. 또한, 목표로하는단일금속나노와이어를선택할수 있으며, 선택적으로목표로하는단일금속나노와이어에금속산화물나노와이어를형성된헤테로접합금속나노와이어는단결정구조를가질수 있기때문에트랜지스터, 센서등의소자에적용하는경우우수한소자특성을보이는효과가있다.
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