Abstract:
본 발명은 예를 들면 인체의 골에 이식되는 임플란트의 표면에 분화구 형상의 큰 요홈을 형성한 다음, 양극 산화법 등을 이용하여 이 요홈 내부에 나노 기공층을 형성함으로써 임플란트 매식시에 나노 기공층의 탈락을 방지하는 할 수 있는 생체에 이식 가능한 몸체의 표면처리방법에 관한 것이다. 임플란트, 요홈, 양극 산화법, 나노 기공, 저온 분사
Abstract:
단분산된 구형의 알루미늄 산화물의 크기 및 상을 제어하는 방법이 개시된다. 질산 알루미늄 및 황산 알루미늄을 포함하는 알루미늄 공급원 및 물을 혼합하여 가수 분해를 통해 구형의 단분산된 알루미늄 전구체를 형성한다. 알루미늄 전구체로부터 미반응 잔존 이온을 제거한다. 미반응 잔존 이온을 제거한 알루미늄 전구체를 열처리하여 알루미늄 산화물 분말을 형성한다. 질산 알루미늄 및 황산 알루미늄의 비율을 조절하여 알루미늄 산화물 구형 나노 분말의 크기를 제어할 수 있다. 또한 열처리 온도를 제어하여 알루미늄 산화물 구형 나노 분말의 상을 제어할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A flexible transparent electrode with good conductivity and transparency and a manufacturing method thereof are provided to supply a transparent oxidation film with good electric conductivity in a proper deformation range. CONSTITUTION: A transparent oxidation film is formed on a polymer substrate. Cracks are made on the surface or the inside of the transparent oxidation film. A metal particle film(130) is formed using a vapor deposition method or a coating process. An empty space inside a crack is filled with the transparent oxidation film.
Abstract:
PURPOSE: A dye sensitized solar cell and a method for manufacturing the dye sensitized solar cell are provided to increase energy conversion efficiency by scattering incident light and re-radiating the scattered light to a semiconductor film. CONSTITUTION: A semiconductor film(20) is formed on a transparent electrode. A fluorescent element layer(30) is formed on a first side of the semiconductor film. The fluorescent element layer converts the wavelength of solar light(10) and scatters the solar light. An electrolytic layer is formed on a second side of the semiconductor film. The second side of the semiconductor film faces the first side of the semiconductor film. A counter electrode is formed on the electrolytic layer.
Abstract:
본 발명은 플렉시블 투명 전극 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 기판상에 투명 도전성 산화막을 제공하는 단계; 상기 모재의 상기 투명 도전성 산화막에 크랙을 형성하는 단계; 및 상기 투명 도전성 산화막상에 금속 물질을 제공하여 상기 크랙을 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명 전극 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의해 제조된 투명 전극은 투명성의 저하없이 높은 유연성을 구비한다.
Abstract:
간단하면서 지속적인 합성이 가능한 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법에서는 반응 챔버 내부에 티타늄 함유 전구체 용액을 투입한 후, 펄스 방식의 전원을 인가하여 플라즈마 아크 방전을 일으켜 티타늄 산화물 나노 구조를 생성한다. 본 발명에 따르면, 나노 구조를 구성하는 조성으로 전극을 구성할 필요가 없고 추가의 기체 공급이 필요 없으므로 기존의 방법에 비하여 간단하고, 용이하며, 공정 비용의 절감뿐만 아니라 대량 생산이 가능하다.
Abstract:
Disclosed is a new three-component oxide semiconductor layer replacing a TiO2 layer used as an opto-electronic electrode for an existing dye sensitized solar cell. The present invention is to provide an opto-electronic electrode for a solar cell that includes a conductive and transparent substrate; a multicomponent oxide semiconductor layer of BaSnO3 formed on the substrate. According to the present invention, the oxide semiconductor has high dye adsorption property and photoelectric energy efficiency.
Abstract:
PURPOSE: A bio-implantable device and a surface treatment method thereof are provided to enhance coupling power of bone and an implant by forming grooves on the surface of the implant. CONSTITUTION: A surface treatment method of a bio-implantable device comprises: a step forming grooves having the diameter of 10-50 micrometers on the surface of the bio-implantable device; and a step of forming a titanium dioxide nanoporous layer inside the groove. The formation of the groove is performed in a method of removing coated materials with an etching solution after spraying and coating biocompatible materials of a powdered state on the surface of the groove through a low temperature atomizing method. The nanoporous layer is formed through an anodizing method.
Abstract:
광전극은 전극 및 상기 전극 상에 형성되고 표면에 음이온이 흡착된 산화물 반도체 입자를 포함한다. 흡착된 음이온은 산화물 반도체 입자 내의 전자가 반도체와 전해질 계면을 통하여 손실되는 것을 방지한다. 따라서 광전극의 효율을 향상시킬 수 있다. 산 처리, 반도체, 광전극, 태양전지
Abstract:
PURPOSE: A photo-electrode and a method for forming the same are provided to prevent the loss of electrons in an oxide semiconductor particle through the interface between a semiconductor and electrolyte. CONSTITUTION: An electrode(20) is formed on a glass substrate(10). An oxide semiconductor layer is formed on the electrode. The oxide semiconductor layer includes an oxide semiconductor particle on which a negative ion(60) is absorbed. A photo-resist material(30) is absorbed on the surface of the oxide semiconductor particle. An acid treatment is performed to the electrode.