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公开(公告)号：KR101965798B1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：KR1020180142454
申请日：2018-11-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/788 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/04
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公开(公告)号：KR1020160130659A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020150062734
申请日：2015-05-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78
Abstract: 본발명은분리된별개의공정으로 2개의게이트를서로비대칭적구조를갖도록형성함으로써, 하나의소자에서게이트에따라서로다른전기적특성을얻을수 있어, 이를통해휘발성/비휘발성특징을모두가진메모리소자, 문턱전압을쉽게조절할수 있는 TFET, 단-장기기억전환이가능한시냅스모방소자등에다양하게활용될수 있는비대칭듀얼게이트구조를갖는반도체소자및 그제조방법을제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140032186A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020120098767
申请日：2012-09-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G06N3/02 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , H01L29/66825
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device used as a core device for realizing a biomimetic calculation system. Provided are a low power synaptic semiconductor device and an operation method thereof. A long-term memory unit is formed in one side where a source, a drain, and a gate are not formed in the floating body of a semiconductor device formed as a short-term memory unit which is electrically isolated from a peripheral region. Thereby, the low power synaptic semiconductor device imitates not only the causality deduction property of a body due to the signal time difference of a neuron before/after a synapse and a short-term and long-term memory switching property but also the short-term memory of a biological nervous system according to impact ionization. [Reference numerals] (40) (1) Short-term memory element; (60) (2) Long-term memory element
Abstract translation: 本发明涉及用作实现仿生计算系统的核心装置的半导体装置。 提供了一种低功率突触半导体器件及其操作方法。 长期存储单元形成在源极，漏极和栅极未形成在形成为与周边区域电隔离的短期存储单元的半导体器件的浮动体中的一侧。 因此，低功率突触半导体器件不仅由于神经元在突触前后的信号时间差以及短期和长期记忆切换特性而且模拟短期和长期记忆切换特性，而且模仿身体的因果性推导特性 根据碰撞电离记录生物神经系统。 （附图标记）（40）（1）短期记忆元件; （60）（2）长期记忆元素
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公开(公告)号：KR1020210043205A
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：KR1020190126085
申请日：2019-10-11
Applicant: 국방과학연구소 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 액츄에이터를통해발생된추력의유동해석방법및 장치가개시된다. 액츄레이터를통해발생된추력의유동해석방법은해석하고자하는환경과동일한환경에대한유동조건을수신하는단계; 상기액츄에이터를구성하는캐비티(Cavity) 내부에서발생한플라즈마가상기캐비티의내부공기에주입하는시간에따른에너지주입량을수신하는단계; 상기수신된유동조건및 시간에따른에너지주입량을해석하여상기액츄에이터가상기액츄에이터를구성하는오리피스(Orifice)를통해발생시키는시간에따른추력및 상기오리피스의출구방향에대한유동변수를결정하는단계; 상기결정된시간에따른추력의피크값을이용하여진동수를계산하는단계; 및상기계산된진동수에기초하여결정된주기와상기결정된오리피스의출구방향에대한유동변수를이용하여상기액츄에이터를통해발생된추력의유동을해석하기위한경계조건을추출하는단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101528802B1
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020140026002
申请日：2014-03-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/0635 , G11C11/54 , G06N3/063
Abstract: 본발명은뉴런발화동작모방반도체회로에관한것으로, 종래기술에서커패시터를사용함에따른문제점을해결하기위하여플로팅바디를갖는소자로커패시터를대신하고충격이온화로생긴과잉홀을플로팅바디에저장함으로써, 뉴런의신호축적을모방하고일정역치이상이될 때발화되도록하며발화후에는원 상태로돌아오도록구성된플로팅바디소자를갖는뉴런발화동작모방반도체회로를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于模拟神经元烧制工艺的半导体电路，更具体地说，涉及一种用于模拟神经元烧制工艺的半导体电路，该半导体电路包括一个浮体装置，该浮体装置包括一个浮体并可被电容器替代， 在浮体中存储由撞击电离产生的多余的空穴，模拟神经元的信号累积，当信号累积达到一定的阈值时，激发仿真的信号累积，并返回到其初始状态。 半导体电路包括控制装置，其包括连接在地和第一节点之间的浮体; 第一p沟道MOSFET和第二p沟道MOSFET，其中源极/漏极并联连接在第一节点和功率输入端子之间; 第一反相器和第二反相器，串联连接在第一节点和第一p沟道MOSFET之间，其中第一反相器的输出端首先通过连接到第二p沟道MOSFET的栅电极而被反馈， 第二反相器的输出端通过连接到第一p沟道MOSFET的栅电极和第二节点而被二次反馈，从突触前神经元接收的电信号被输入到控制装置的栅电极， 并且在第一逆变器的输出端子中获得根据突触后神经元的轴突小丘的点火的电信号。
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公开(公告)号：KR101425857B1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020120098767
申请日：2012-09-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 생체 모방 계산 시스템 구현에 핵심 소자로 사용되는 반도체 소자 및 그 동작방법에 관한 것으로, 주변과 전기적으로 고립되어 단기기억 수단으로 형성된 반도체 소자의 플로팅 바디에 소스, 드레인 및 게이트가 형성되지 않은 일측으로 장기기억 수단을 구비함으로써, 충격이온화에 따른 생체 신경계의 단기기억은 물론, 단-장기기억 전환 특성과 시냅스 전, 후 뉴런의 신호 시간차에 의한 생체의 인과관계 추론 특성을 모두 모방할 수 있는 저전력 시냅스 모방 반도체 소자 및 그 동작방법을 제공한다.
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