公开(公告)号：KR1020140015696A

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：KR1020120075415

申请日：2012-07-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍국선 ,  신성식 ,  석재호 ,  박상백 ,  박종훈 ,  조인선 ,  김동욱

IPC: C01G19/00 ,  C01B13/08 ,  C01F11/00

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  H01G9/2027 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: A novel Sn-based tertiary oxide semiconductor membrane is disclosed. The present invention provides a method for manufacturing a tertiary oxide semiconductor compound, comprising the steps of: dissolving, in the mixed solvent of water and hydrogen peroxide, an inorganic salt of Sn and inorganic salts of one or more kinds of elements selected from the alkaline earth metal group consisting of Ba, Sr and Ca; precipitating and maturing the mixed solution by changing pH concentration of the mixed solution; and producing powder of MSnO3 (wherein M includes one or more kinds of elements selected from Ba, Sr and Ca) by drying and annealing the precipitation which has been matured. According to the present invention, a tertiary oxide semiconductor compound having a uniform nanoscale particle size distribution can be provided.

Abstract translation: 公开了一种新型的Sn基三氧化物半导体膜。 本发明提供一种三次氧化物半导体化合物的制造方法，包括以下步骤：在水和过氧化氢的混合溶剂中溶解Sn的无机盐和选自碱性的一种或多种元素的无机盐 由Ba，Sr和Ca组成的地球金属组; 通过改变混合溶液的pH浓度使混合溶液沉淀成熟; 并通过干燥并退火已经成熟的沉淀，生成MSnO 3粉末（其中M包括选自Ba，Sr和Ca中的一种或多种元素）。 根据本发明，可以提供具有均匀的纳米尺度分布的三氧化硅半导体化合物。

公开(公告)号：KR101277279B1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：KR1020100137887

申请日：2010-12-29

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이상욱 ,  박익재 ,  박종훈 ,  김동회 ,  임동균 ,  노태훈 ,  홍국선 ,  한길상 ,  정현석

IPC: C01G23/047 ,  B82B3/00 ,  H01B1/08 ,  H01L31/04

CPC classification number: C01G23/047 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/82 ,  C30B7/12 ,  C30B29/16 ,  C30B29/602

Abstract: 본 발명은 산화 티타늄 나노 튜브 재료 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 산화 티타늄 나노 튜브 재료는, 나노 튜브를 구성하는 결정 그레인들이 정방정계 결정 시스템의 [001] 방향을 선호 방향으로 하여 배향된 결정 구조를 가지며, XRD 데이터의 (004)면 피크에 대한 락킹 커브(rocking curve)의 반가폭(Full Width at Half Maximum)이 11.1~20.3도임을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 산화 티타늄 나노 튜브 재료는, 나노 튜브를 구성하는 결정 그레인들이 정방정계 결정 시스템의 (004)면 또는 [001] 방향을 선호 방향으로 하여 배향되어 있어서 우수한 광전 특성을 가진다.

公开(公告)号：KR101073878B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020090040814

申请日：2009-05-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 노준홍 ,  박상백 ,  한현수 ,  박종훈 ,  조진무 ,  배신태 ,  조인선 ,  이상욱 ,  이덕규 ,  홍국선

IPC: H05F1/00 ,  H01B1/00

Abstract: 본발명의기판은유리소재로이루어지는베이스층; 및상기베이스층상에불순물이도핑된이산화티탄(TiO)을결정화열처리하여대전방지기능을갖도록한 대전방지층을포함한다.

公开(公告)号：KR1020100138167A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020090056567

申请日：2009-06-24

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 박상백 ,  이상욱 ,  정현석 ,  조인선 ,  노준홍 ,  김동욱 ,  김동회 ,  박종훈 ,  홍국선

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/13452 ,  H01L31/1884

Abstract: PURPOSE: A flexible transparent electrode with good conductivity and transparency and a manufacturing method thereof are provided to supply a transparent oxidation film with good electric conductivity in a proper deformation range. CONSTITUTION: A transparent oxidation film is formed on a polymer substrate. Cracks are made on the surface or the inside of the transparent oxidation film. A metal particle film(130) is formed using a vapor deposition method or a coating process. An empty space inside a crack is filled with the transparent oxidation film.

Abstract translation: 目的：提供具有良好导电性和透明性的柔性透明电极及其制造方法，以在适当的变形范围内提供具有良好导电性的透明氧化膜。 构成：在聚合物基材上形成透明氧化膜。 在透明氧化膜的表面或内部形成裂纹。 使用气相沉积法或涂布法形成金属颗粒膜（130）。 裂缝内的空白空间填充有透明氧化膜。