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公开(公告)号：KR101500671B1
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：KR1020130065981
申请日：2013-06-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: G01N27/406 , G01N27/407
Abstract: 본 발명은 소비 전력이 매우 낮으면서도, 상온에서 작동하며, ppm 수준의 가스에 높은 감도를 보일 뿐만 아니라, 유연하며 투명한 특성을 지니는 그래핀 산화물을 이용한 유연 투명 화학 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 감지 전극; 및 상기 감지 전극 상에 형성된 센서 활성층;을 포함하며, 상기 센서 활성층은 그래핀 산화물로 구성된다.
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公开(公告)号：KR1020140144362A
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020130065981
申请日：2013-06-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: G01N27/406 , G01N27/407
Abstract: 본 발명은 소비 전력이 매우 낮으면서도, 상온에서 작동하며, ppm 수준의 가스에 높은 감도를 보일 뿐만 아니라, 유연하며 투명한 특성을 지니는 그래핀 산화물을 이용한 유연 투명 화학 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 감지 전극; 및 상기 감지 전극 상에 형성된 센서 활성층;을 포함하며, 상기 센서 활성층은 그래핀 산화물로 구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用石墨烯氧化物的柔性透明化学传感器，其具有低功耗，对ppm水平的气体具有高灵敏度，以及柔性和透明性质并在室温下操作; 及其制备方法。 根据本发明，柔性透明化学传感器包括基板，形成在基板上的检测电极和形成在感测电极上的传感器有源层。 此外，传感器有源层由氧化石墨烯构成。
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公开(公告)号：KR102143058B1
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：KR1020180045761
申请日：2018-04-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/324 , G03F7/20 , H01L29/16
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公开(公告)号：KR101709021B1
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150180230
申请日：2015-12-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C25B11/04 , C25B1/02 , H01L31/0224
Abstract: 본발명은전기화학적수소생산용광전극의제조방법에관한것으로, 더욱구체적으로산화물기판에전이금속이황화물전구체용액을스핀코팅시킨후 열분해시키고냉각시켜전이금속이황화물코팅층을형성시키는단계; 상기전이금속이황화물코팅층위에폴리머물질을스핀코팅시킨후 에칭공정으로상기산화물기판을제거하는단계; 및상기폴리머가코팅된전이금속이황화물코팅층을 p형반도체위에전사한후 상기폴리머를제거하는단계;를포함하는전기화학적수소생산용광전극의제조방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160134976A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020150067280
申请日：2015-05-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/24 , H01L21/316
Abstract: 본발명은비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것으로, 더욱구체적으로기판; 상기기판상부에형성된하부전극; 상기하부전극상부에형성된페로브스카이트구조를갖는유무기박막층; 및상기유무기박막층상부에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102210923B1
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：KR1020180161370
申请日：2018-12-13
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 양극, 음극및 상기양극과음극사이에구비되며인가되는전압에의하여저항이가변되는저항변화층을포함하는저항변화메모리소자로서, 상기저항변화층은 (A')2An-1BnX3n+1 화학식의화합물을포함하는것을특징으로하는저항변화메모리소자가제공된다. (상기식에서 A'는비대칭적인구조를가지며페닐기를포함하는암모늄이온, A는 1가금속이온, X는할로겐이온이며, 상기 A'는인가되는전기장에의하여회전할수 있는비대칭적이온분포를가지며, n은 1과∞ 사이에있는값)
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公开(公告)号：KR1020180132337A
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：KR1020170069144
申请日：2017-06-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 광전기화학적 수소생산을 위한 촉매용 황 도핑된 몰리브데넘 인화물 박막의 합성 방법은, 전이금속 이황화물 전구체 용액을 실리콘 기판 위에 스핀 코팅하는 단계; 황(S)과 인(P)의 혼합 비율을 조절하여 분말 전구물질을 형성하는 단계; 상기 전이금속 이황화물 전구체 용액이 스핀 코팅된 실리콘 기판과 상기 분말 전구물질을 수소(H
2 ) 가스와 질소(N
2 ) 가스가 주입되는 열분해 챔버에서 열처리하는 단계; 및 상기 열처리를 통해, 상기 실리콘 기판 상에 황 도핑된 몰리브데넘 인화물(S:MoP) 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라 생성된 황 도핑된 몰리브데넘 인화물(S:MoP) 박막은 반도체 상에서 촉매 활성을 극대화한 대면적 전기화학적 수소생산용 광전극을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101694529B1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150067279
申请日：2015-05-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/26 , G01N27/406 , C01B31/04
Abstract: 본발명은플렉서블그래핀투명가스센서및 이의제조방법에관한것으로, 막대형상의한쌍의그래핀이평형하게구비되되, 상기한쌍의그래핀장축중앙에그래핀이형성되어상기평형하게구비되는한쌍의그래핀을연결하는것을특징으로하는플렉서블그래핀투명가스센서및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101687812B1
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150067280
申请日：2015-05-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/24 , H01L21/316
Abstract: 본발명은비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것으로, 더욱구체적으로기판; 상기기판상부에형성된하부전극; 상기하부전극상부에형성된페로브스카이트구조를갖는유무기박막층; 및상기유무기박막층상부에형성된상부전극;을포함하는비휘발성저항스위칭특성을갖는메모리소자및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 具有非易失性电阻切换特性的存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及具有非易失性电阻切换特性的存储器件及其制造方法， 形成在衬底上的下电极; 在下部电极上形成具有钙钛矿结构的有机薄膜层， 以及形成在有机薄膜层上的上电极及其制造方法。
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