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公开(公告)号：KR101921053B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020170079198
申请日：2017-06-22
Applicant: 울산대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른통전압접장치및 통전압접방법은제 1금속부재및 제 2 금속부재를서로접합시키는것으로, 전극부; 및상기제 1금속부재와상기제 2금속부재사이에복수개의미세기공을포함하도록형성되는매개부가삽입되고, 상기전극부와연결되어상기전극부로부터전류를인가받아상기제 1금속부재및 상기제 2금속부재에전달하며, 상기제 1금속부재에압력을가함으로써상기매개부를통하여상기제 1금속부재및 제 2 금속부재를접합시키는압력부를포함한다. 본발명에따른통전압전장치및 통전압전방법에의하면, 매개부가복수개의미세기공를포함하도록형성되어, 낮은압축유동응력으로제 1금속부재와제 2금속부재의손상을최소화할수 있으며, 매개부의높은전기저항으로국부적인고온부위를발생가능하여제 1금속부재와제 2금속부재의접합이용이하다.
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公开(公告)号：KR101625004B1
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：KR1020150014407
申请日：2015-01-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기판의적어도일면상에전기전도체피막이형성된부재에압력을가하면서상기피막으로고주파직류펄스를인가하여상기피막을가열하는단계;를포함하고, 상기압력을가하는방향은상기피막이형성된층의법선벡터방향의성분을가지는, 피막이형성된부재의후처리방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用膜后处理部件的方法，更具体地说，涉及一种用于熔融反应器面材料的膜后处理部件的方法。 本发明提供了一种用于对膜进行后处理的方法，该方法包括以下步骤：通过向膜施加高频直流脉冲，同时向涂覆有电导体膜的部件施加至少一个 基板的表面，以及施加具有在与膜形成的层的法线矢量方向的方向成分的压力的方向。
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公开(公告)号：KR1020150032427A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020130111909
申请日：2013-09-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02439 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02164 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/04 , H01L29/2003 , C30B29/38 , C23C14/48
Abstract: 본 발명은 질화갈륨의 결함 밀도를 현저하게 감소시킬 수 있는 박막 구조체 및 그 제조방법으로서, 사파이어를 포함하는 지지기판 및 상기 지지기판 상에 배치되며 질화갈륨을 포함하는 에피층을 포함하며, 상기 에피층에 대향되는 상기 지지기판의 상부는 규소가 상기 지지기판의 상부면을 통하여 확산되거나 이온주입된 층으로 이루어지는, 박막 구조체를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够显着降低氮化镓的缺陷密度的薄膜结构及其制造方法。 薄膜结构包括：支撑基板，包括蓝宝石; 以及布置在支撑衬底的顶部并且包括氮化镓的外延层，其中支撑衬底的面向外延层的上部由通过支撑衬底的上表面注入的硅分散或硅离子的层组成。
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公开(公告)号：KR101071522B1
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020080137408
申请日：2008-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: C22F1/06 , B23K26/0084 , C21D1/09
Abstract: 마그네슘합금의성형성증가방법이개시된다. 본발명에따른마그네슘합금의성형성증가방법은마그네슘합금의표면에레이저를조사(照射)하는방식으로고(高) 에너지를공급함으로써마그네슘합금의집합조직(texture)을제어하는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020210020054A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020210019720
申请日：2021-02-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기존의유심구조서멧트의낮은인성과유심구조가없는서멧트의낮은경도를극복하여, 이들보다우수한인성을가지는서멧트를제공하는것을목적으로한다. 본발명의일 관점에따르면, 주기율표중 IVa족, Va족, 및 VIa족금속으로부터 Ti를포함하여선택되는둘 이상의금속의탄화물의완전고용상이고, 코어영역및 림영역으로이루어진유심구조를가지는입자; 및금속으로이루어진바인더;를포함하는서멧트가제공된다.
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公开(公告)号：KR101547546B1
公开(公告)日：2015-08-28
申请号：KR1020130111909
申请日：2013-09-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02439 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02164 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/04 , H01L29/2003
Abstract: 본발명은질화갈륨의결함밀도를현저하게감소시킬수 있는박막구조체및 그제조방법으로서, 사파이어를포함하는지지기판및 상기지지기판상에배치되며질화갈륨을포함하는에피층을포함하며, 상기에피층에대향되는상기지지기판의상부는규소가상기지지기판의상부면을통하여확산되거나이온주입된층으로이루어지는, 박막구조체를제공한다.
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