公开(公告)号：KR102264112B1

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：KR1020190031564

申请日：2019-03-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  오종식 ,  김기현 ,  지유진 ,  변지영 ,  박진우 ,  김두산 ,  이원오

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L29/16 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR101853588B1

公开(公告)日：2018-04-30

申请号：KR1020170097527

申请日：2017-08-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김기석 ,  김기현 ,  박진우 ,  김두산 ,  지유진

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명의반도체소자, 광전소자, 및전이금속디칼코게나이드박막의제조방법에서, 본발명의반도체소자는기판; 및 N+M개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어진제1 영역및 상기제1 영역의상기 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로부터연장된 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고상기제1 영역과인접한제2 영역을구비하고상기기판상에배치된전이금속디칼코게나이드박막을포함하고, 상기제1 영역과상기제2 영역사이에헤테로접합이형성된다.

公开(公告)号：KR1020170027097A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：KR1020150123588

申请日：2015-09-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  김기석

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L51/52

Abstract: 본발명은박막형성방법에관한것으로, 복수의레이저소스를구비하는단계와; 소스가스를결정하는단계와; 상기소스가스에대응하는레이저소스를선택하는단계와; 상기소스가스를반응공간에공급하고플라즈마와선택된레이저소스로부터의레이저를이용하여대상체상에박막을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020170122910A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：KR1020160051747

申请日：2016-04-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  김기석 ,  문무겸 ,  박진우 ,  윤덕현 ,  이조원

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 본발명은원자층식각방법에관한것으로서, 본발명에따른원자층식각방법은원자층제거시램프의광원을이용한가열을통해피식각물질층의상면및 측면을동시에제거가능하여수 나노미터스케일의패턴이더라도쉽게평면적크기를줄일수 있는원자층식각방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及原子层蚀刻方法，在根据本发明的原子层蚀刻方法中，可以通过使用灯的光源的加热同时去除层状材料的上表面和侧表面， 提供了即使使用图案也能够容易地减小平面尺寸的原子层蚀刻方法。