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公开(公告)号：KR1020170039450A
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020150138612
申请日：2015-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L35/16 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L35/10 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 열전구조체, 열전소자및 그제조방법이개시된다. 개시된열전구조체의제조방법은산화물기판상에타겟으로부터분리된물질이증착되는과정에서, 산화텔루륨을포함하는버퍼층이상기산화물기판과박막구조물사이에형성되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种热电元件，一种热电元件及其制造方法。 所公开的方法的特征在于，在氧化物衬底上沉积与靶分离的材料的过程中，在薄膜结构与包含氧化碲的缓冲层之间形成缓冲层。
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公开(公告)号：KR102241257B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020180166164
申请日：2018-12-20
Applicant: 한국재료연구원 , 연세대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은 Bi, Te 및 Se를포함하고, 하기화학식 1로표시되는 1차상; 및 Ag 및 Te를포함하고, 하기화학식 2로표시되는 2차상을포함하는열전소재에관한것으로, 1차상인매트릭스(matrix) 및 2차상인 Ag2Te 나노침전물(nanoprecipitate)을포함함으로써, 냉각모듈에서요구되는상온에서의전기전도도의범위를발현하면서, 파워팩터의증대와열전도도저감효과를동시에구현하여열전성능을향상시킬수 있다. Bi2Te3-xSex (단, 0.2 ≤ x ≤ 0.4) Ag2Te -zCuzTe3-xSex (단, 0.2 ≤ x ≤ 0.4, 0.01 ≤ y ≤ 0.2, 0.01 ≤ z ≤ 0.4)
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公开(公告)号：KR102240015B1
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：KR1020190107660
申请日：2019-08-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유기구리화합물과화학식 M2C (M: Gd, Tb, Dy, Ho, Y, La)로표시되는전자화물및 극성용매를혼합한혼합물을제조하는제 1단계; 상기혼합물을가열해유기구리화합물을환원시켜구리나노입자용액을제조하는제 2단계; 및상기구리나노입자용액에서자석을이용하여구리나노입자와전자화물을분리해내는제 3단계;를이용한구리나노입자제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법에따라제조된구리나노입자는분산성이뛰어나고소결온도가낮아열에약한종이나플라스틱등의기판상에금속미세배선을형성할수 있으며, 안정제를사용하지않아잉크재료로서활용할수 있고단순한제조공정으로비용절감도기대할수 있다.
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公开(公告)号：KR102226901B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020140064010
申请日：2014-05-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: Hf3Te2 를포함하는박막의원료를얻는단계; Hf3Te2 를포함하는박막의형성을위한표면을가진결정성재료를얻는단계; 및상기원료로부터상기결정성재료의상기표면상에 Hf3Te2 를포함하는박막을형성하는단계를포함한 Hf3Te2 를포함하는박막의제조방법이제공되며, 이때, 상기결정성재료는구성하는원자들의규칙적배열을포함하는결정구조를가지고, 상기규칙적배열내에규칙적으로반복하는임의의다각형또는다면체가그려질수 있으며, Hf3Te2 의격자상수에대한, 상기다각형또는다면체의한 변의길이와상기격자상수간의최소차이의비율이 5% 이하이다.
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公开(公告)号：KR102214812B1
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020190102700
申请日：2019-08-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 본발명은비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0
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