公开(公告)号：KR1020090090853A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：KR1020080016371

申请日：2008-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성호

IPC: H01L29/861 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L51/0587 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038

Abstract: A nano or micro size diode and a method for preparing the same are provided to manufacture a diode having uniform quality by including a rectifying layer having a superior p-n junction. A rectifying layer(35) comprises a first electrode(31), a second electrode(33), a first layer(35a), and a second level(35b). The first layer is interposed between the first electrode and the second level. The second level is interposed between the first layer and the second electrode. The second side(35b2) of the first layer has protrusion. A control layer is included between the second electrode and the rectifying layer.

Abstract translation: 提供纳米尺寸或微尺寸二极管及其制备方法以通过包括具有优良p-n结的整流层来制造具有均匀品质的二极管。 精整层（35）包括第一电极（31），第二电极（33），第一层（35a）和第二层（35b）。 第一层介于第一电极和第二电平之间。 第二级置于第一层和第二层之间。 第一层的第二面（35b2）具有突起。 在第二电极和整流层之间包括控制层。

公开(公告)号：KR101532881B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020140103246

申请日：2014-08-11

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성호 ,  장희정

IPC: G01N33/53 ,  G01N21/27 ,  G01N21/55 ,  C23F1/14 ,  C23C18/16

Abstract: 본발명의백금프레임이내부에위치한금 구조물합성방법에따르면, 그내부에백금프레임이포함되어있어금 나노입자의응집현상을방지할수 있어바이오센서에이용시장기간이용이가능하고, 바이오센싱시여러용액또는공기중에노출이되더라도분석결과에영향을미치지아니하므로신뢰성있는센싱을가능하게한다. 또한, 본발명의백금프레임이내부에위치한금 구조물합성방법에따르면, 에칭제(식각제)가또한금속전구체로도이용되므로별도의중간세척과정없이환원제를추가로넣어줌으로써금 나노입자의에칭및 재성장프로세스를쉽게전환할수 있다. 본발명에따르면, 2차원또는 3차원형상의내부에백금프레임을갖는금 구조물을제공함으로써표면적이넓어짐에의해구조물의외부및 내부에서도효과적으로빛과상호작용하여나노고리의전자기장과의상호작용을통해바이오센싱에더욱효율적으로활용될수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，通过防止金纳米颗粒作为铂框架的聚集现象被包含在内部，可以长时间地使用用于合成具有位于内部的铂框架的金结构的方法， 并且通过不影响分析结果来实现可靠的感测，尽管在生物传感期间暴露于多种溶液或空气。 此外，根据本发明，用于合成具有位于内部的铂框架的金结构的方法能够通过另外投入还原剂而容易地转化金纳米颗粒的蚀刻和再生长工艺，而不需要单独的中间洗涤步骤 作为蚀刻剂也用作金属前体。 根据本发明，通过与纳米的电磁场的相互作用，通过与结构的外部和内部的光有效地相互作用，可以更有效地将该方法应用于生物感测，因为通过提供金 在其二维或三维内部具有铂框架的结构。

公开(公告)号：KR101436000B1

公开(公告)日：2014-08-29

申请号：KR1020080016371

申请日：2008-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성호

IPC: H01L29/861 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L51/0587 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038

Abstract: 본 발명은, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되며, 제1층 및 제2층을 포함한 전류정제층을 포함하고, 상기 제1층은 상기 제1전극과 상기 제2층 사이에 개재되고, 상기 제2층은 상기 제1층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 상기 제1층은, 상기 제1전극과 전기적으로 연결된 제1면 및 상기 제1층의 제1면과 대향되는 제2면을 갖고, 상기 제1층의 제2면은 돌출부(protrude part)를 가지며, 상기 제2층은, 상기 제1층의 제2면에 위치한 돌출부에 대응된 인입부(recess part)를 갖는 제1면 및 상기 제2층의 제1면에 대향되는 제2면을 갖고, 상기 제2층의 제2면은 상기 제2전극과 전기적으로 연결된 나노 또는 마이크로 크기의 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
다이오드

公开(公告)号：KR1020130105149A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020120027329

申请日：2012-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박성호 ,  유상훈 ,  장호영

IPC: C01B31/02 ,  H01B5/14 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  C01B32/23 ,  C01B2204/04 ,  H01B5/14 ,  H01L31/042

Abstract: PURPOSE: A production method of reduced graphene oxide is provided to obtain the reduced graphene oxide at a room temperature and the atmospheric pressure in short time. CONSTITUTION: A production method of reduced graphene oxide comprises the following steps: forming a graphene oxide layer on a conductive substrate (11) to produce a negative electrode; soaking the negative electrode and a positive electrode in electrolyte containing a base; and applying the voltage to the negative and positive electrodes to reduce graphene oxide.

Abstract translation: 目的：提供减少氧化石墨烯的生产方法，以在短时间内在室温和大气压下获得还原的石墨烯氧化物。 构成：还原型石墨烯氧化物的制造方法包括以下步骤：在导电性基材（11）上形成氧化石墨烯以制造负极; 将负极和正极浸渍在含有碱的电解质中; 并向负极和正极施加电压以减少氧化石墨烯。

公开(公告)号：KR1020100061290A

公开(公告)日：2010-06-07

申请号：KR1020090038461

申请日：2009-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박재철 ,  송이헌 ,  박영수 ,  김창정 ,  김경국 ,  박성호 ,  이성훈 ,  김상욱 ,  김선일 ,  권기원

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1251

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve a performance characteristic of the device by reducing a resistance with forming a p+ domain on the central part of a first oxide channel layer. CONSTITUTION: A first oxide channel layer(C10) is formed into a first conductive type oxide on a lower part layer. A first electrode layer covering the first channel layer is formed on the lower part layer. The first electrode layer and a second electrode layer separated are formed. A second oxide channel layer(C20) is formed into a second conductive type oxide on the lower part later. The first electrode layer is patterned. A first source, a first drain and the second drain are formed by the patterning of the first electrode layer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过在第一氧化物沟道层的中心部分形成p +畴来降低电阻来提高器件的性能特性。 构成：第一氧化物沟道层（C10）在下部层上形成为第一导电型氧化物。 覆盖第一沟道层的第一电极层形成在下部层上。 形成分离的第一电极层和第二电极层。 第二氧化物沟道层（C20）稍后在下部形成第二导电型氧化物。 图案化第一电极层。 通过图案化第一电极层形成第一源极，第一漏极和第二漏极。