접촉저항을 이용한 나노용접 방법
    11.
    发明授权
    접촉저항을 이용한 나노용접 방법 有权
    纳米焊接接触电阻法

    公开(公告)号:KR101782212B1

    公开(公告)日:2017-09-27

    申请号:KR1020150119461

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 본발명은접촉저항을이용한나노용접방법에관한것으로, 나노와이어에전기에너지를직간접적으로인가하여, 나노와이어들간의접촉부위가접촉저항에의하여서로용접되도록함으로써, 나노와이어들간의전기전도도와거칠기(roughness)를개선할수 있고, 기판등의다른부분에악영향을미치지않으므로, 플렉서블기판이나대면적기판에적용가능한장점이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用接触电阻的纳米焊接方法,其中将电能直接或间接地施加到纳米线,使得纳米线之间的接触部分通过接触电阻彼此焊接,从而导电率和粗糙度 可以改善粗糙度,并且不会对衬底等的其他部分产生不利影响,因此,本发明可以应用于柔性衬底或大面积衬底。

    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법
    13.
    发明授权
    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 有权
    使用大气压力等级的基板的双模式方法

    公开(公告)号:KR101151277B1

    公开(公告)日:2012-06-14

    申请号:KR1020090117590

    申请日:2009-12-01

    Abstract: 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법이 개시(disclose)된다. 보다 구체적으로 본 개시는 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정, 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 소정거리만큼 이송하여 위치하게 하는 과정 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 친수성 표면처리를 하는 과정을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법을 제공한다.

    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법
    14.
    发明公开
    대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법 有权
    使用大气压力等级的基板的双模式方法

    公开(公告)号:KR1020110061062A

    公开(公告)日:2011-06-09

    申请号:KR1020090117590

    申请日:2009-12-01

    CPC classification number: H01L21/306

    Abstract: PURPOSE: A dual patterning method of a substrate using atmospheric pressure plasma is provided to simultaneously form a hydrophobic pattern and a hydrophilic pattern on the substrate below several micro meters by selectively discharging atmospheric plasma. CONSTITUTION: A substrate is provided to an atmospheric pressure plasma device including a first electrode and a second electrode(S100). A hydrophobic pattern is formed on the substrate by discharging the atmospheric pressure plasma between the first electrode and the second electrode(S110). The substrate is transferred between the first electrode and the second electrode(S120). A hydrophilic pattern is formed on the substrate by discharging atmospheric pressure plasma between the first electrode and the second electrode(S130).

    Abstract translation: 目的:提供使用大气压等离子体的基板的双重图案化方法,通过选择性地排放大气等离子体,同时在几微米以下的基板上形成疏水图案和亲水图案。 构成:向包括第一电极和第二电极的大气压等离子体装置提供衬底(S100)。 通过在第一电极和第二电极之间排出大气压等离子体,在衬底上形成疏水性图案(S110)。 衬底在第一电极和第二电极之间转移(S120)。 通过在第一电极和第二电极之间排放大气压等离子体,在衬底上形成亲水图案(S130)。

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