公开(公告)号：KR101400723B1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020130021855

申请日：2013-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임규욱 ,  임종태 ,  이경재 ,  정석민 ,  강태희 ,  박진우 ,  오종식 ,  김성희 ,  양미현

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  B29C59/02

CPC classification number: C01B32/20 ,  B29C59/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0037 ,  H01L21/0273

Abstract: The present invention relates to a method for patterning graphene, and more specifically, to a method for patterning graphene comprising the steps of forming an oxide layer on a substrate; forming metal patterns on the oxide layer; transferring graphene onto the oxide layer and the metal patterns; and forming graphene patterns by removing graphene from the metal patterns by applying heat to the graphene and vaporizing the graphene.

Abstract translation: 本发明涉及图案化石墨烯的方法，更具体地说，涉及石墨烯图案的方法，包括在基底上形成氧化物层的步骤; 在氧化物层上形成金属图案; 将石墨烯转移到氧化物层和金属图案上; 以及通过向石墨烯施加热并使石墨烯汽化而从金属图案中除去石墨烯来形成石墨烯图案。

公开(公告)号：KR100860274B1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：KR1020070064907

申请日：2007-06-29

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  주식회사 브이엠티

Inventor： 하태균 ,  정석민 ,  황운봉 ,  김진곤 ,  김경동 ,  박종도

IPC: F04D19/04 ,  F04D13/06

Abstract: A compact UHV(Ultra High Vacuum) sputter ion pump bakable at low temperature and a manufacturing method thereof are provided to lower the temperature for obtaining ultra high vacuum of 10^-11 Torr or less to 100 °C or below. A sputter ion pump includes a body(120), alloy magnets, a pair of titanium cathode plates(20,40), at least one anode cell(30), and a plurality of neodymium magnets(10,50). The surface of the body is treated into a chromic oxide layer. The neodymium magnets are disposed at two opposite sides of the magnets. The titanium cathode plates are disposed between the neodymium magnets. A plurality of cylindrical anode cells are disposed between the titanium cathode plates.

Abstract translation: 提供在低温下可烘烤的紧凑型特高压（超高真空）溅射离子泵及其制造方法，以降低温度以获得10 ^ -11乇或更低至100℃或更低的超高真空度。 溅射离子泵包括主体（120），合金磁体，一对钛阴极板（20,40），至少一个阳极电池（30）和多个钕磁体（10,50）。 身体的表面被处理成氧化铬层。 钕磁体设置在磁体的两个相对的两侧。 钛阴极板设置在钕磁体之间。 在钛阴极板之间设置多个圆柱形阳极电池。

公开(公告)号：KR101287135B1

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：KR1020120048895

申请日：2012-05-09

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 하태균 ,  한승진 ,  홍만수 ,  권혁채 ,  박종도 ,  정석민

IPC: B21C23/00 ,  B21C25/00

Abstract: PURPOSE: An extrusion device and an extrusion method of a metal material are provided to maintain an excellent luster and an excellent appearance by blocking from being contacted with oxygen and moisture. CONSTITUTION: An extrusion device of a metal material comprises an extruding mold, an exit cover, an entrance cover, a gas injection unit, and a second gas injection tube. The first gas injection tube is formed in the extrusion mold. The extrusion method of using the extruding device comprises the following steps: an ambient gas is injected through the first gas injection tube; a material is extruded in a fixed length; the exit cover is installed at a leading end of a product; an extrusion is progressed while the ambient gas is injected through the first or the second gas injection tube; while the ambient gas is injected through the second gas injection tube after the extrusion is completed, the entrance cover is installed in a rear end of the product; and in the gas, moisture is removed, and oxygen content is less than 20%. [Reference numerals] (AA) Extruded product

Abstract translation: 目的：提供一种金属材料的挤出装置和挤出方法，以通过阻止与氧气和水分接触来保持优异的光泽和优异的外观。 构成：金属材料的挤出装置包括挤出模具，出口盖，入口盖，气体注入单元和第二气体注入管。 第一气体注射管形成在挤出模具中。 使用挤出装置的挤出方法包括以下步骤：通过第一气体注入管注入环境气体; 材料以固定长度挤出; 出口盖安装在产品的前端; 当环境气体通过第一或第二气体注入管注入时，进行挤压; 而在挤出完成之后环境气体通过第二气体注射管注入，入口盖安装在产品的后端; 在气体中除去水分，氧含量低于20％。 （标号）（AA）挤压制品

公开(公告)号：KR100674204B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050021750

申请日：2005-03-16

Applicant: 학교법인 포항공과대학교 ,  주식회사 브이엠티 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정석민 ,  하태균 ,  김진곤 ,  이득진

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56

Abstract: 본 발명은 스퍼터 이온펌프에서 두 개의 티타늄 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간에 PIC 시뮬레이션을 이용하여 간격을 도출하여 배기 성능을 극대화하기 위한 것으로, 이를 위한 구조는 고전압에 의해 생성된 양이온이 두 개의 음극판에 충돌하여 티타늄 원자들이 스퍼터링되어 원통형 양극 셀 튜브들 내부 표면에 티타늄 층으로 형성되는 스퍼터 이온 펌프의 구조에 있어서, 두 개의 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간의 갭을 PIC 시뮬레이션을 통해 7㎜의 간격으로 도출하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 기체의 이온화 확률 및 음극판에서 스퍼터링된 티타늄 원자가 양극으로 증착되는 양을 최적화하여 배기 성능을 극대화 할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020060100095A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050021750

申请日：2005-03-16

Applicant: 학교법인 포항공과대학교 ,  주식회사 브이엠티 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정석민 ,  하태균 ,  김진곤 ,  이득진

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56

Abstract: 본 발명은 스퍼터 이온펌프에서 두 개의 티타늄 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간에 PIC 시뮬레이션을 이용하여 최적화된 간격을 도출하여 배기 성능을 극대화하기 위한 것으로, 이를 위한 구조는 고전압에 의해 생성된 양이온이 두 개의 음극판에 충돌하여 티타늄 원자들이 스퍼터링되어 원통형 양극 셀 튜브들 내부 표면에 티타늄 층으로 형성되는 스퍼터 이온 펌프의 구조에 있어서, 두 개의 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간의 갭을 PIC 시뮬레이션을 통해 7㎜의 간격으로 도출하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 기체의 이온화 확률 및 음극판에서 스퍼터링된 티타늄 원자가 양극으로 증착되는 양을 최적화하여 배기 성능을 극대화 할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101377170B1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：KR1020130015577

申请日：2013-02-13

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이경재 ,  임규욱 ,  강태희 ,  정석민 ,  양미현

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527

Abstract: The present invention relates to a method of removing a silicon oxide layer and a laminated structure. According to the present invention, the method of removing a silicon oxide layer includes a step of forming a silicon layer; a step of forming a metal layer after a silicon oxide layer on the silicon layer; a step of forming a carbon layer on the metal layer; a step of removing at least one part of the silicon oxide layer by combining the carbon of the carbon layer with the oxide of the silicon oxide layer by heating the carbon layer, the metal layer, and the silicon oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及去除氧化硅层和叠层结构的方法。 根据本发明，除去硅氧化物层的方法包括形成硅层的步骤; 在硅层上形成氧化硅层之后的金属层的工序; 在所述金属层上形成碳层的步骤; 通过加热碳层，金属层和氧化硅层，通过将碳层的碳与氧化硅层的氧化物组合来除去至少一部分氧化硅层的步骤。