公开(公告)号：KR102222262B1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：KR1020130137885

申请日：2013-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 서환수 ,  전인수 ,  김민우 ,  송영재 ,  왕민 ,  우친커 ,  이성주 ,  장성규 ,  정승준

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/105

Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101966531B1

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：KR1020170085659

申请日：2017-07-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  장성규 ,  쉬자오 ,  손현제

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020170102768A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：KR1020160025330

申请日：2016-03-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  라이센 ,  전재호 ,  장성규

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 2차원맥세인박막의제조방법, 이를이용한전자소자의제조방법, 2차원맥세인박막을포함하는전자소자에서, 2차원맥세인박막의제조방법은 MAlC 맥스상벌크(M은전이금속을나타낸다)를불산처리하여 MC(OH)F맥세인벌크(0

公开(公告)号：KR1020160090141A

公开(公告)日：2016-07-29

申请号：KR1020150010059

申请日：2015-01-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  라이센 ,  장성규

IPC: G01N21/88 ,  G01N1/28 ,  C21D1/00 ,  C23C16/00

CPC classification number: G01N21/8803 ,  C21D1/00 ,  C23C16/00 ,  G01N1/28

Abstract: 광학현미경을이용하여금속기판상에성장된대면적그래핀의결함을검사하는방법이개시된다. 광학현미경을이용하여금속기판상에성장된대면적그래핀의결함을검사하는방법은상기대면적그래핀이성장된금속기판을습기가제거된건조한분위기및 산소분위기에서열처리하는산소분위기건식열처리단계를포함하고, 상기산소분위기건식열처리단계동안산소가상기그래핀의결함을통과하여상기결함에대응하는상기금속기판의부분을산화시킴으로써상기대면적그래핀의결함을검사할수 있다.

Abstract translation: 公开了使用光学显微镜检测在金属基板上生长的大面积石墨烯中的缺陷的方法。 根据本发明的实施例，使用光学显微镜检测在金属基板上生长的大面积石墨烯中的缺陷的方法包括：氧气氛干热处理步骤，对金属基板进行热处理， 大面积石墨烯生长在除去水分和氧气的干燥气氛中; 并且能够通过在氧气氛干热处理步骤期间使氧通过石墨烯的缺陷来检测大面积石墨烯的缺陷，对与该缺陷相对应的金属基板的一部分进行氧化。

公开(公告)号：KR1020140114199A

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020130028757

申请日：2013-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  송영재 ,  왕민 ,  장성규 ,  최재영

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781

Abstract: Disclosed is a heterogeneous layered structure of a hexagonal boron nitride sheet (h-BN) and a graphene sheet, an electric device using the same, and a fabricating method thereof. The heterogeneous layered structure has a high quality interface state having few impurities between the h-BN sheet and the graphene sheet, by successively forming the graphene sheet with a vapor deposition method after a large-area h-BN sheet is grown on a metal substrate with a vapor deposition method. The heterogeneous layered structure of the h-BN and the graphene which has a high quality interface condition and a large area can be used for various electronic devices including a FET.

Abstract translation: 公开了六方氮化硼片（h-BN）和石墨烯片的异质层状结构，使用其的电子装置及其制造方法。 通过在大面积h-BN片材在金属基板上生长后，通过依次形成石墨烯片材，通过依次形成石墨烯片，异质层状结构具有h-BN片和石墨烯片之间杂质少的高质量界面状态 用气相沉积法。 具有高质量界面条件和大面积的h-BN和石墨烯的异质分层结构可用于包括FET的各种电子器件。