公开(公告)号：KR1020100026639A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020080085716

申请日：2008-09-01

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  손혁주 ,  정성욱 ,  김재홍 ,  조재현 ,  장경수 ,  허종규

IPC: H01L21/8247

Abstract: PURPOSE: A charge storage device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the manufacturing cost of a memory device by forming a charge storage layer and a blocking insulation layer using an identical mixing gas. CONSTITUTION: A tunneling insulation layer(13) is formed on a substrate(11). A charge storage layer(15) is formed on the tunneling insulation layer and includes a first band gap energy. A blocking insulation layer(17) including a second band gap energy is formed on the charge storage layer. A control gate(19) is formed on the blocking insulation layer. The composition ratio of a mixing gas for the charge storage layer is different from the composition ratio for the blocking insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供电荷存储装置及其制造方法，以通过使用相同的混合气体形成电荷存储层和阻挡绝缘层来降低存储器件的制造成本。 构成：在衬底（11）上形成隧道绝缘层（13）。 电荷存储层（15）形成在隧道绝缘层上并且包括第一带隙能量。 在电荷存储层上形成包括第二带隙能量的阻挡绝缘层（17）。 在阻挡绝缘层上形成控制栅极（19）。 用于电荷存储层的混合气体的组成比不同于阻挡绝缘层的组成比。

公开(公告)号：KR100789987B1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020050043406

申请日：2005-05-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김경해 ,  정성욱

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: RF 플라즈마 반응관 내에서 반응가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 에칭 방법으로 실리콘 웨이퍼를 건식 식각하여 실리콘 웨이퍼 표면에 나노 피라미드 형태의 구조를 형성하고, 형성된 나노 피라미드 형태의 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시켜 플래시 메모리의 데이터 저장 용량을 증대시키기 위한 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법이 개시된다. 본 발명은, 진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계; RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계; 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계; 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR101135422B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020080128318

申请日：2008-12-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  최병덕 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A nano crystal silicon layer structure using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device including the same, and forming methods thereof are provided to reduce manufacturing processes of the nonvolatile memory device by directly depositing the nano crystal silicon layer on the glass substrate. CONSTITUTION: A gate electrode(55) is formed on a substrate(51). A multilayer insulation layer(63) is formed on a gate electrode. A first nano crystal silicon layer(65) is formed on the multilayer insulation layer using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the multilayer insulation layer. A metal electrode layer is formed on the first nano crystal silicon layer. A source electrode(69) and a drain electrode(71) are formed by patterning a metal electrode layer.

公开(公告)号：KR101062998B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020080128316

申请日：2008-12-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  최병덕 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 관한 것으로, 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법에 있어서, 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계 및 상기 버퍼막 상에 실리콘과 수소의 각각을 함유하는 가스를 이용한 플라즈마 증착 기술로 나노결정 실리콘막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기와 같은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 의해, 종래기술에서와 같은 후처리 공정을 수행하지 않고 플라즈마 기상 증착법으로 유리기판 상에 나노결정 실리콘막을 직접 증착함으로써 비휘발성 메모리 소자의 제조공정을 줄여 제조단가를 낮출 수 있다.
비휘발성 메모리 소자, 나노결정, 실리콘, 플라즈마, 평판형 디스플레이

公开(公告)号：KR1020100069270A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020080127918

申请日：2008-12-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최병덕 ,  이준신 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for forming the same, and a flat panel display device with the same are provided to prevent loss of a drain area, thereby improving lifetime and performance. CONSTITUTION: A buffer layer(13), a preliminary channel area, an insulating layer, and a gate electrode layer are successively formed on a substrate(11). The gate electrode layer and the insulating layer are patterned successively so that a gate pattern(22) is formed. Impurity is doped in the exposed preliminary channel area to define a channel area(15). A protection layer(27) is formed on the front side of the substrate with source and drain areas. The first contact hole(29) and the second contact hole(31) exposing the buffer layer are formed.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管，其形成方法和具有该薄膜晶体管的平板显示装置，以防止漏区的损失，从而提高寿命和性能。 构成：在衬底（11）上依次形成缓冲层（13），初步沟道区，绝缘层和栅极电极层。 栅极电极层和绝缘层依次图案化，形成栅极图案（22）。 掺杂在暴露的初步通道区域中以限定通道区域（15）。 在源极和漏极区域的衬底的正面上形成保护层（27）。 形成露出缓冲层的第一接触孔（29）和第二接触孔（31）。

公开(公告)号：KR1020060121324A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：KR1020050043406

申请日：2005-05-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김경해 ,  정성욱

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: A method for forming a nano-pyramid type structure on a wafer using a silicon dry etching process and a gate memory using the structure are provided to increase data storage capacity of a flash memory by increasing a contact area with quantum dots of a floating gate memory. A silicon wafer(11) is transferred to an internal electrode(19) of an RF plasma reaction chamber of a vacuum state. SF6 gas and O2 gas are implanted into the inside of the RF plasma reaction chamber. RF power is applied to the RF plasma reaction chamber to generate plasma. The silicon wafer is dry-etched in a nano-pyramid type structure by controlling a flow rate of SF6 to O2 corresponding to partial gas pressure of 20~25 sccm to 10~15 sccm and controlling the RF power of 90 to 110 W.

Abstract translation: 提供了使用硅干蚀刻工艺在晶片上形成纳米金字塔型结构的方法和使用该结构的栅极存储器，以通过增加与浮动栅极存储器的量子点的接触面积来增加闪速存储器的数据存储容量 。 将硅晶片（11）转移到真空状态的RF等离子体反应室的内部电极（19）。 SF6气体和O 2气体注入到RF等离子体反应室的内部。 RF功率被施加到RF等离子体反应室以产生等离子体。 通过将对应于20〜25sccm〜10〜15sccm的局部气体压力的SF6〜O2的流量控制在90〜110W的RF功率，将硅晶片以纳米金字塔型结构进行干法蚀刻。