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    비수 전해질 전지용 집전체 및, 비수 전해질 전지용 전극, 그리고 비수 전해질 전지
    12.
    发明公开
    비수 전해질 전지용 집전체 및, 비수 전해질 전지용 전극, 그리고 비수 전해질 전지 无效
    非水电解电池的电流收集器，非水电解电池的电极和非水电解质电池

    公开(公告)号：KR1020130116788A

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：KR1020127031267

    申请日：2011-05-23

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 오타노부히로 ,  호소에아키히사 ,  마지마마사토시 ,  닛타코지

    IPC: H01M4/66 ,  H01M4/13 ,  H01M10/0562

    CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M4/808 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0561

    Abstract: 알루미늄 다공체의 표면의 산소량이 적고, 전지의 방전 용량 및 충방전 효율을 개선할 수 있는 비수 전해질 전지용 집전체를 제공한다. 비수 전해질 전지용 집전체는, 알루미늄 다공체로 이루어지고, 알루미늄 다공체의 표면의 산소량이 3.1질량％ 이하이다. 또한, 알루미늄 다공체가, Cr, Mn 및, 전이 금속 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 함유하는 알루미늄 합금으로 이루어진다. 이 알루미늄 다공체는, 연통공을 갖는 수지체(1f)의 수지(1) 표면에 알루미늄 함금층(2)을 형성한 후, 그 수지체(알루미늄 함금층 피막 수지체(3))를 용융염에 침지한 상태에서, 알루미늄의 표준 전극 전위보다 낮은 전위를 알루미늄 함금층(2)에 인가하면서 알루미늄 함금의 융점 이하의 온도로 가열하여, 수지체(1f)(수지(1))를 열분해하는 제조 방법에 의해, 제작할 수 있다.

    커패시터와 그의 제조 방법
    13.
    发明公开
    커패시터와 그의 제조 방법 有权
    电容器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020130114585A

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：KR1020127032625

    申请日：2011-05-27

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 오타노부히로 ,  호소에아키히사 ,  마지마마사토시 ,  닛타코지 ,  아와즈토모유키 ,  오쿠노카즈키 ,  가토마사히로 ,  사카이쇼이치로 ,  이나자와신지

    IPC: H01G11/26 ,  H01G11/74

    CPC classification number: H01G9/012 ,  H01G9/04 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/417

    Abstract: 정극(正極;10), 부극(負極;20) 및, 이들 전극층(10, 20)의 사이에 배치되는 고체 전해질층(30)을 구비한다. 이 커패시터(100)의 적어도 한쪽의 전극층(10(20))은, Al 다공체(11)와, 이 Al 다공체(11)에 보존유지(保持)되어, 전해질을 분극시키는 전극 재료(12(13))를 구비한다. 그 Al 다공체(11)의 표면의 산소량은, 3.1질량％ 이하이다. Al 다공체(11)의 표면의 산소량이 3.1질량％ 이하라는 것은, Al 다공체(11)의 표면에 고저항의 산화 피막이 거의 형성되어 있지 않은 것과 동일하다. 그 때문에, 이 Al 다공체(11)에 의해 전극층(10(20))의 집전 면적을 크게 할 수 있고, 이로써 커패시터(100)의 용량을 향상시킬 수 있다.

    Abstract translation: 电容器具有正极10，负极20和布置在电极层10和20之间的固体电解质层。该电容器100的至少一个电极层的10（20）具有Al多孔体11，并且 保持在该Al多孔体11中以使电解质极化的电极体12（13）。 Al多孔体11的表面的氧含量为3.1质量％以下。 Al多孔体11的表面的氧含量为3.1质量％以下的问题与Al多孔体11的表面上难以形成高电阻氧化膜的情况相同。因此， Al多孔体11可以使电极层10（20）的集电极面积大，能够提高电容器100的容量。

    이방전도막과 그 제조방법
    16.
    发明授权
    이방전도막과 그 제조방법 失效
    各向异性导电膜及其制造方法

    公开(公告)号：KR100923183B1

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：KR1020047013653

    申请日：2003-03-03

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 카시하라히데키 ,  야마모토마사미치 ,  요리타준 ,  토시오카히데아키 ,  오소에가와미사코 ,  코야마케이지 ,  마지마마사토시 ,  타니요시에

    IPC: H01B5/16

    CPC classification number: H01R4/04 ,  G01R1/06755 ,  G01R1/073 ,  G01R3/00 ,  H01R43/007 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/31678

    Abstract: 본 발명은, 인접하는 전극간의 피치가 작아도 막의 면방향의 합선을 일으키지 않기 때문에, 특히 반도체 패키지의 실장용으로서, 가일층의 고밀도실장화의 요구에 충분히 대응할 수 있는 이방전도막이나, 그것보다도 저압의 접속으로 보다 확실하게 전도 접속할 수 있고, 또한 대전류가 흘러도 용단하지 않아서, 고주파의 신호로도 대응 가능하며, 특히 콘택트프로브의 실장용으로서 매우 적합한 이방전도막, 및 이들 이방전도막의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 이방전도막은, 전도성분으로서, 미세한 금속입자가 다수, 사슬형상으로 연결된 형상을 가지는 금속분말을 함유하는 것이며, 특히 반도체 패키지의 실장용의 경우는 금속분말의 사슬의 길이를, 전도 접합하는 인접하는 전극간의 거리미만으로 하고, 또 콘 택트프로브의 실장용의 경우는 사슬의 지름을, 1㎛을 초과하며, 또한 20㎛이하의 범위로 한다. 또 제조방법은, 그 적어도 일부를, 강자성을 가지는 금속으로 형성한 사슬을 자기장에 의해서 배향시키면서 막을 형성하는 것을 특징으로 한 것이다.

    금속미분말의 제조방법
    17.
    发明公开
    금속미분말의 제조방법 失效
    生产金属喷雾的方法

    公开(公告)号：KR1020050007608A

    公开(公告)日：2005-01-19

    申请号：KR1020047020137

    申请日：2003-06-11

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 이나자와신지 ,  마지마마사토시 ,  코야마케이지 ,  타니요시에

    IPC: B22F9/24 ,  C25C5/02

    CPC classification number: B22F9/24 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C25C5/02 ,  B22F1/0018

    Abstract: 본 발명은, 지금까지보다도 한층 더 미세하고, 또한 입경이 고르게 되어 있을 뿐만 아니라, 불순물을 함유하지 않은 고순도의 금속미분말을 보다 염가이고 또한 대량으로, 또 안전하게 제조할 수 있는, 신규인 금속미분말의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있으며, 4가의 티탄이온을 함유하는, pH가 7이하의 수용액을 음극전해처리하여, 4가의 티탄이온의 일부를 3가로 환원함으로서, 3가의 티탄이온과 4가의 티탄이온이 혼재한 환원제 수용액을 제조하고, 이 환원제 수용액에, 금속미분말의 토대가 되는 적어도 1종의 금속원소의 수용성의 화합물을 첨가, 혼합하여, 3가의 티탄이온이 4가로 산화할 때의 환원작용에 의해서 금속원소의 이온을 환원, 석출시켜서 금속미분말을 제조하는 것을 특징으로 한 것이다.

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