Abstract:
탄화규소 기판(81)은 기판 영역(R1) 및 지지부(30)를 갖는다. 기판 영역(R1)은 제1 단결정 기판(11)을 갖는다. 지지부(30)는 제1 단결정(11)의 제1 이면(B1)에 접합되어 있다. 제1 단결정 기판(11)의 전위 밀도는 지지부(30)의 전위 밀도보다 낮다. 기판 영역(R1) 및 지지부(30) 중 어느 하나 이상은 보이드를 갖는다.
Abstract:
지지부(30)와 제1 및 제2 탄화규소 기판(11, 12)을 갖는 접합 기판이 준비된다. 제1 탄화규소 기판(11)은, 지지부(30)에 접합된 제1 이면과, 제1 이면에 대향하는 제1 표면과, 제1 이면 및 제1 표면을 잇는 제1 측면을 갖는다. 제2 탄화규소 기판(12)은, 지지부(30)에 접합된 제2 이면과, 제2 이면에 대향하는 제2 표면과, 제2 이면 및 제2 표면을 이으며, 제1 측면과의 사이에 간극을 형성하는 제2 측면을 갖는다. 간극을 충전하는 충전부(40)가 형성된다. 다음으로, 제1 및 제2 표면이 연마된다. 다음으로 충전부(40)가 제거된다. 다음으로 간극을 폐색하는 폐색부가 형성된다. 이것에 의해, 탄화규소 기판을 갖는 복합 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 공정에서, 탄화규소 기판 사이의 간극에 기인한 공정 변동을 억제할 수 있다.
Abstract:
탄화규소 기판의 제조 방법은, 탄화규소를 포함하는 베이스 기판(10)과 단결정 탄화규소를 포함하는 SiC 기판(20)을 준비하는 공정과, 베이스 기판(10)과 SiC 기판(20)을 서로의 주요면(10A, 20B)끼리가 접촉하도록 중첩시킴으로써, 적층 기판을 제작하는 공정과, 적층 기판을 가열함으로써, 베이스 기판(10)과 SiC 기판(20)을 접합하여 접합 기판(3)을 제작하는 공정과, 베이스 기판(10)과 SiC 기판(20) 사이에 온도차가 형성되도록 접합 기판(3)을 가열함으로써, 접합 기판(3)을 제작하는 공정에 있어서 베이스 기판(10)과 SiC 기판(20)의 접합 계면(15)에 형성된 보이드(30)를 외부로 배출하는 공정을 포함하고 있다.
Abstract:
각각이 이면(B1)을 가지며 탄화규소로 이루어진 적어도 하나의 단결정 기판(11)과, 주면(F0)을 가지며 탄화규소로 이루어진 지지부(30)가 준비된다. 이 준비에 있어서, 이면(B1) 및 주면(F0) 중 적어도 어느 하나가 기계적 가공에 의해 형성된다. 이 형성에 의해 이면(B1) 및 주면(F0) 중 적어도 어느 하나에, 결정 구조의 왜곡을 갖는 표면층이 형성된다. 표면층의 적어도 일부가 제거된다. 이 제거 후에, 이면(B1) 및 주면(F0)이 서로 접합된다.