公开(公告)号：KR1020130092945A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：KR1020127010056

申请日：2011-01-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이노우에히로키 ,  하라다신 ,  사사키마코토 ,  니시구치다로 ,  오키타교코 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/7602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 적층체(TX)를 준비하는 공정이, 제1 단결정 기판군(10a)의 각각과 제1 베이스 기판(30a)이 서로 마주보고, 제2 단결정 기판군(10b)의 각각과 제2 베이스 기판(30b)이 서로 마주보고, 제1 단결정 기판군(10a)과 제1 베이스 기판(30a)과 삽입부(60X)와 제2 단결정 기판군(10b)과 제2 베이스 기판(30b)이 한 방향을 향해 이 순서대로 겹쳐 쌓이도록 행해진다. 다음으로, 적층체(TX)의 온도가 탄화규소가 승화할 수 있는 온도에 도달하도록, 또한 적층체(TX) 내에서 한 방향을 향해 온도가 높아지는 온도 구배가 형성되도록 적층체(TX)가 가열된다. 이에 따라, 효율적으로 탄화규소 기판(81)을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120042753A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020117029381

申请日：2010-09-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구치다로 ,  사사키마코토 ,  하라다신 ,  오키타교코 ,  이노우에히로키 ,  나미카와야스오

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/1608

Abstract: 탄화 규소로 만들어진 지지부(30c)는 주면(F0)의 적어도 일부에 기복을 갖는다. 탄화 규소로 만들어진 하나 이상의 단결정 기판(11) 각각의 이면(B1)과 지지부(30c)의 기복이 형성된 주면(F0)이 서로 접촉하도록 지지부(30c) 및 하나 이상의 단결정 기판(11)이 중첩된다. 하나 이상의 단결정 기판(11) 각각의 이면(B1)을 지지부(30c)에 접합하기 위해서, 지지부(30c)의 온도가 탄화 규소의 승화 온도를 넘고 또한 하나 이상의 단결정 기판(11) 각각의 온도가 상기 지지부(30c)의 온도 미만이 되도록 지지부(30c) 및 하나 이상의 단결정 기판(11)이 가열된다.

公开(公告)号：KR1020120038508A

公开(公告)日：2012-04-23

申请号：KR1020127004361

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사키마코토 ,  하라다신 ,  마스다다케요시 ,  와다게이지 ,  이노우에히로키 ,  니시구치다로 ,  오키타교코 ,  나미카와야스오 ,  호리이다쿠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 제조 비용의 저감을 실현할 수 있는 탄화 규소 기판의 제조 방법은 베이스 기판(10)과 SiC 기판(20)을 준비하는 공정과, 베이스 기판(10)과 SiC 기판(20)을 중첩시킴으로써 적층 기판을 제작하는 공정과, 적층 기판을 가열함으로써 접합 기판(3)을 제작하는 공정과, 베이스 기판(10)의 온도가 SiC 기판(20)의 온도보다 높아지도록 접합 기판(3)을 가열함으로써, 접합 계면(15)에 형성된 보이드(30)를 접합 기판(3)의 두께 방향으로 이동시키는 공정과, 베이스 기판(10)에 있어서 SiC 기판(20)과 반대측의 주면(10B)을 포함하는 영역을 제거함으로써 보이드(30)를 제거하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120024767A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020117029809

申请日：2010-09-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사키마코토 ,  하라다신 ,  니시구치다로 ,  오키타교코 ,  이노우에히로키 ,  나미카와야스오 ,  후지와라신스케

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  H01L21/02002 ,  Y10T428/192

Abstract: SiC 잉곳(10a)은 4개의 변를 갖는 바닥면(12a)과, 바닥면(12a)으로부터 바닥면(12a)의 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 4개의 측면(12b, 12c, 12d, 12e)과, 측면(12b, 12c, 12d, 12e)과 접속되고, 바닥면(12a)과 반대측의 성장면(12f)을 구비한다. 바닥면(12a), 측면(12b, 12c, 12d, 12e) 및 성장면(12f) 중 적어도 하나는 {0001}면, {1-100}면, {11-20}면, 또는 이들 면에 대하여 10˚ 이내의 기울기를 갖는 면이다.

公开(公告)号：KR1020160012973A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020157006855

申请日：2014-05-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이노우에히로키 ,  하라다료지 ,  미야타케켄이치로

IPC: B63J4/00 ,  B63B13/00 ,  C02F1/32 ,  C02F1/00 ,  C02F103/00

CPC classification number: C02F1/325 ,  B63B13/00 ,  B63J4/002 ,  C02F1/001 ,  C02F2103/008 ,  C02F2201/3227 ,  C02F2201/328 ,  C02F2209/005 ,  C02F2209/40 ,  C02F2301/043 ,  C02F2303/04

Abstract: 밸러스트수(ballast-water)를저류하는밸러스트탱크로부터상기밸러스트수를배출하기위한배출경로와, 자외선램프를포함하고, 상기배출경로를통과하는상기밸러스트수에자외선을조사하는자외선조사장치와, 상기밸러스트수가순환하고또한상기자외선램프로부터의자외선을받도록형성된순환경로와, 상기밸러스트수가흐르는경로를상기순환경로와상기배출경로와의사이에서전환하기위한전환부와, 상기자외선램프의점등처리동안에는상기밸러스트수가상기순환경로에흐르도록상기전환부를제어하고, 상기자외선램프의점등이완료되면상기밸러스트수가상기배출경로를흐르도록상기전환부를제어하는제어장치를구비하는밸러스트수처리장치이다.

Abstract translation: 压载水处理装置包括：排出路径，用于从压载水压载的压载舱排放压载水;紫外线照射装置，其包括紫外线灯，并且通过紫外线照射通过排出路径的压载水;循环路径 形成为使得压载水在其中循环并被从紫外线灯发射的紫外线照射，用于切换压载水在循环路径和排出路径之间流动的路径的切换部分和控制切换的控制装置 使得在紫外线灯的接通过程中压载水流过循环路径，并且控制开关部分，使得当紫外线灯的接通完成时压载水流过放电路径。

公开(公告)号：KR1020160012972A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020157006854

申请日：2014-05-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이노우에히로키 ,  하라다료지 ,  미야타케켄이치로

IPC: B63J4/00 ,  B63B13/00 ,  B01D29/64 ,  C02F1/32 ,  C02F1/00 ,  C02F103/00 ,  C02F103/08

CPC classification number: C02F1/32 ,  B01D29/6438 ,  B63J4/002 ,  C02F1/004 ,  C02F1/325 ,  C02F2103/008 ,  C02F2103/08 ,  C02F2201/32 ,  C02F2201/326 ,  C02F2209/006 ,  C02F2209/40 ,  C02F2301/043 ,  C02F2303/04

Abstract: 해수를여과하기위한필터를갖는여과장치와, 상기필터에의해여과된해수에자외선을조사하는자외선조사장치와, 상기여과장치에의해여과된해수를상기자외선조사장치에공급하기위한제1 경로와, 상기여과장치에잔류하는해수를배출하기위한배수경로와, 상기제1 경로에설치된제1 밸브와, 상기자외선조사장치로부터나온해수를밸러스트탱크에공급하기위한제2 경로와, 상기여과장치에의해여과된해수를상기자외선조사장치에공급하는데에앞서, 상기제1 밸브를닫고상기여과장치에도입되는해수를이용하여상기필터를세정하는제어장치를구비하는밸러스트수처리장치이다.

公开(公告)号：KR1020120112376A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020127007592

申请日：2010-09-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이노우에히로키 ,  하라다신 ,  사사키마코토 ,  니시구치다로 ,  오키타교코 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/12 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 탄화규소 이외의 재료로 이루어지는 이종 재료층이 형성된 경우라도 휘어짐을 억제할 수 있는 탄화규소 기판(1)은 탄화규소로 이루어지는 베이스층(10)과, 평면적으로 봤을 때 베이스층(10) 상에 나란히 배치된 단결정 탄화규소로 이루어지는 복수의 SiC층(20)을 구비한다. 그리고, 인접해 있는 SiC층(20)의 단부면(20B)들 사이에는, 간극(60)이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020120085764A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：KR1020127008655

申请日：2011-06-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 호리츠토무 ,  하라다신 ,  이노우에히로키 ,  사사키마코토 ,  이토사토미 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 제1 단결정 탄화규소 기판(11)의 제1 변(S1)과, 제2 단결정 탄화규소 기판(12)의 제2 변(S2)이 직선형으로 병행하도록, 제1 단결정 탄화규소 기판(11)의 제1 정점(P1)과, 제2 단결정 탄화규소 기판(12)의 제2 정점(P2)이 상호 맞대어져 있다. 또한 제1 변(S1)의 적어도 일부와, 제2 변(S2)의 적어도 일부가 제3 단결정 탄화규소 기판(13)의 제3 변(S3)에 맞대어져 있다. 이에 따라, 복합 기판을 이용한 반도체 장치의 제조에 있어서 단결정 탄화규소 기판 사이의 간극으로 인한 공정 변동을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120083412A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：KR1020127009635

申请日：2011-06-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 호리츠토무 ,  하라다신 ,  이노우에히로키 ,  사사키마코토 ,  이토사토미 ,  오키타교코 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 제1 탄화규소 기판(11)은, 지지부(30)에 접합된 제1 이면(B1)과, 제1 이면(B1)에 대향하는 제1 표면(T1)과, 제1 이면(B1) 및 제1 표면(T1)을 잇는 제1 측면(S1)을 갖는다. 제2 탄화규소 기판(12)은, 지지부(30)에 접합된 제2 이면(B2)과, 제2 이면(B2)에 대향하는 제2 표면(T2)과, 제2 이면(B2) 및 제2 표면(T2)을 이으며, 제1 측면(S1)과의 사이에 간극(GP)을 형성하는 제2 측면(S2)을 갖는다. 폐색부(21)는 간극(GP)을 폐색하고 있다. 이것에 의해, 복합 기판이 갖는 복수의 탄화규소 기판 사이의 간극에의 이물의 잔류를 막을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120038461A

公开(公告)日：2012-04-23

申请号：KR1020127002622

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구치다로 ,  하라다신 ,  이노우에히로키 ,  사사키마코토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 탄화규소 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 비용의 저감을 실현 가능한 본 발명에 따른 탄화규소 기판의 제조 방법은, 단결정 탄화규소로 이루어지는 SiC 기판(20)을 준비하는 공정과, 용기(70) 내에 SiC 기판(20)의 일측의 주면(20B)에 면하도록 베이스 기판(10)을 배치하는 공정과, 용기(70) 내에 있어서, 베이스 기판(10)을, 베이스 기판(10)을 구성하는 탄화규소의 승화 온도 이상의 온도 영역으로 가열함으로써 SiC 기판(20)의 일측의 주면(20B)에 접촉하도록 탄화규소로 이루어지는 베이스층(10)을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 그리고, 베이스층(10)을 형성하는 공정에서는, 용기(70) 내에, SiC 기판(20) 및 베이스 기판(10)과는 별개인, 규소를 포함하는 물질로 이루어지는 규소 발생원(91)이 배치된다.