公开(公告)号：KR1020130076791A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020127012240

申请日：2011-02-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이토사토미 ,  시오미히로무 ,  나미카와야스오 ,  와다게이지 ,  시마즈미츠루 ,  히요시도루

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: SiC 반도체 장치(200)를 제조하는 방법은, 적어도 일부에 불순물이 주입된 제1 표면(100a)을 포함하는 탄화규소 반도체(100)를 준비하는 공정과, 탄화규소 반도체(100)의 제1 표면(100a)을, 수소 가스를 포함하는 가스를 이용하여 드라이 에칭함으로써, 제2 표면(100b)을 형성하는 공정과, 제2 표면(100b) 상에, SiC 반도체 장치(200)를 구성하는 산화막(126)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120085764A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：KR1020127008655

申请日：2011-06-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 호리츠토무 ,  하라다신 ,  이노우에히로키 ,  사사키마코토 ,  이토사토미 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 제1 단결정 탄화규소 기판(11)의 제1 변(S1)과, 제2 단결정 탄화규소 기판(12)의 제2 변(S2)이 직선형으로 병행하도록, 제1 단결정 탄화규소 기판(11)의 제1 정점(P1)과, 제2 단결정 탄화규소 기판(12)의 제2 정점(P2)이 상호 맞대어져 있다. 또한 제1 변(S1)의 적어도 일부와, 제2 변(S2)의 적어도 일부가 제3 단결정 탄화규소 기판(13)의 제3 변(S3)에 맞대어져 있다. 이에 따라, 복합 기판을 이용한 반도체 장치의 제조에 있어서 단결정 탄화규소 기판 사이의 간극으로 인한 공정 변동을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120083412A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：KR1020127009635

申请日：2011-06-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 호리츠토무 ,  하라다신 ,  이노우에히로키 ,  사사키마코토 ,  이토사토미 ,  오키타교코 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 제1 탄화규소 기판(11)은, 지지부(30)에 접합된 제1 이면(B1)과, 제1 이면(B1)에 대향하는 제1 표면(T1)과, 제1 이면(B1) 및 제1 표면(T1)을 잇는 제1 측면(S1)을 갖는다. 제2 탄화규소 기판(12)은, 지지부(30)에 접합된 제2 이면(B2)과, 제2 이면(B2)에 대향하는 제2 표면(T2)과, 제2 이면(B2) 및 제2 표면(T2)을 이으며, 제1 측면(S1)과의 사이에 간극(GP)을 형성하는 제2 측면(S2)을 갖는다. 폐색부(21)는 간극(GP)을 폐색하고 있다. 이것에 의해, 복합 기판이 갖는 복수의 탄화규소 기판 사이의 간극에의 이물의 잔류를 막을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130083821A

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：KR1020127011250

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이토사토미 ,  시오미히로무 ,  나미카와야스오 ,  와다게이지 ,  시마즈미츠루 ,  히요시도루

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: There is provided a method for manufacturing a SiC semiconductor device achieving improved performance. The method for manufacturing the SiC semiconductor device includes the following steps. That is, a SiC semiconductor is prepared which has a first surface having at least a portion into which impurities are implanted (S1-S3). By cleaning the first surface of the SiC semiconductor, a second surface is formed (S4). On the second surface, a Si-containing film is formed (S5). By oxidizing the Si-containing film, an oxide film constituting the SiC semiconductor device is formed (S6).

公开(公告)号：KR1020130114560A

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：KR1020127019964

申请日：2011-10-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이토사토미 ,  하라다신 ,  겐바준 ,  후지카와가즈히로

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808

Abstract: 버퍼층(31)은, 기판(30) 상에 설치되고, 불순물을 함유하는 탄화규소로 만들어지며, 1 ㎛보다 크고 7 ㎛보다 작은 두께를 갖는다. 드리프트층(32)은, 버퍼층(31) 상에 설치되고, 버퍼층(31)의 불순물 농도보다 작은 불순물 농도를 갖는 탄화규소로 만들어져 있다. 이에 따라, 원하는 불순물 농도와, 높은 결정성을 갖는 드리프트층(32)을 갖는 탄화규소 반도체 장치를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130076790A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020127010182

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마스다다케요시 ,  와다게이지 ,  이토사토미 ,  히요시도루

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068

Abstract: 본 발명에 따른 SiC 반도체 장치의 제조 방법은, SiC 반도체의 제1 표면에 제1 산화막을 형성하는 공정(S4)과, 제1 산화막을 제거하는 공정(S5)과, SiC 반도체에 있어서 제1 산화막이 제거됨으로써 노출된 제2 표면에, SiC 반도체 장치를 구성하는 제2 산화막을 형성하는 공정(S6)을 포함한다. 제1 산화막을 제거하는 공정(S4)과, 제2 산화막을 형성하는 공정(S6) 사이에서, SiC 반도체는 대기가 차단된 분위기 내에 배치된다.

公开(公告)号：KR1020130076787A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020127005777

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 와다게이지 ,  마스다다케요시 ,  미야자키도미히토 ,  히요시도루 ,  이토사토미 ,  시오미히로무

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: SiC 반도체(2)의 세정 방법은, SiC 반도체(2)의 표면(2a)에 산화막을 형성하는 형성 공정과, 산화막을 제거하는 제거 공정을 포함하고, 산화막을 형성하는 공정에서는, 30 ppm 이상의 농도를 갖는 오존수를 이용하여 산화막을 형성한다. 형성 공정은, SiC 반도체(2)의 표면(2a) 및 오존수 중 적어도 한쪽을 가열하는 가열 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, SiC 반도체(2)에 대한 세정 효과를 발현할 수 있는 SiC 반도체(2)의 세정 방법을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130082439A

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020127008002

申请日：2011-05-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마스다다케요시 ,  이토사토미 ,  하라다신 ,  사사키마코토

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/187 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L29/1608

Abstract: 탄화규소 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 비용의 저감을 실현할 수 있는 탄화규소 기판 및 그 제조 방법을 얻을 수 있다. SiC 결합 기판의 제조 방법은, 복수 개의 탄화규소(SiC)로 이루어지는 단결정체를 준비하는 공정(S10)과, 집합체를 형성하는 공정(S20)과, 단결정체끼리를 접속하는 공정(S30)과, 집합체를 슬라이스하는 공정(S60)을 포함한다. 공정(S20)에서는, 복수 개의 SiC 단결정 잉곳을, 규소(Si)를 포함하는 Si층을 사이에 두고 나란하도록 배치하여 단결정체의 집합체를 형성한다. 공정(S30)에서는, 집합체를 가열함으로써 Si층의 적어도 일부를 탄화규소화하고, Si층에서 탄화규소화된 부분에 의해 인접하는 SiC 단결정 잉곳끼리를 접속한다. 공정(S60)에서는, SiC 단결정 잉곳끼리가 접속된 집합체를 슬라이스한다.

公开(公告)号：KR1020130014488A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020127013178

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 시오미히로무 ,  센다야스히코 ,  이토사토미 ,  후지카와가즈히로 ,  시마다시게키 ,  겐바준 ,  데라오다케미 ,  후루쇼마사루

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872

Abstract: 복수의 서셉터(20～22) 각각에 기판(10～12)이 탑재된다. 각각에 기판이 탑재된 복수의 서셉터가 서로 상하 방향으로 정해진 간격이 마련되도록 회전 기구에 배치된다. 복수의 서셉터가 배치된 회전 기구가 회전한다. 각각에 기판이 탑재된 복수의 서셉터가 가열된다. 회전하면서 가열되는 서셉터의 각각에, 경로 길이가 대략 같은 가스 유로를 경유하면서 가열된 원료 가스를 공급함으로써, 반도체 박막이 퇴적된다.

公开(公告)号：KR1020120083381A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：KR1020127008753

申请日：2011-06-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 호리츠토무 ,  하라다신 ,  사사키마코토 ,  이노우에히로키 ,  오키타교코 ,  나미카와야스오 ,  이토사토미

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 지지부(30)와 제1 및 제2 탄화규소 기판(11, 12)을 갖는 접합 기판이 준비된다. 제1 탄화규소 기판(11)은, 지지부(30)에 접합된 제1 이면과, 제1 이면에 대향하는 제1 표면과, 제1 이면 및 제1 표면을 잇는 제1 측면을 갖는다. 제2 탄화규소 기판(12)은, 지지부(30)에 접합된 제2 이면과, 제2 이면에 대향하는 제2 표면과, 제2 이면 및 제2 표면을 이으며, 제1 측면과의 사이에 간극을 형성하는 제2 측면을 갖는다. 간극을 충전하는 충전부(40)가 형성된다. 다음으로, 제1 및 제2 표면이 연마된다. 다음으로 충전부(40)가 제거된다. 다음으로 간극을 폐색하는 폐색부가 형성된다. 이것에 의해, 탄화규소 기판을 갖는 복합 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 공정에서, 탄화규소 기판 사이의 간극에 기인한 공정 변동을 억제할 수 있다.