公开(公告)号：KR101289128B1

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：KR1020050069909

申请日：2005-07-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  나카하타세이지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명은 AlGaN계 단결정 기판 자체의 파괴 인성을 개선하고, 그 흡수 계수를 저감시키는 것을 목적으로 한다.
질화물 반도체 단결정 기판은 Al
x Ga
1-x N(0≤x≤1)의 조성을 갖는 경우에, (1.2-0.7x) MPa·m
1/2 이상의 파괴 인성값과 20 ㎠ 이상의 면적을 가지며, 또한, Al
x Ga
1-x N(0.5≤x≤1)의 조성을 갖는 경우에, 350∼780 ㎚의 전체 파장 범위에 있어서 50 ㎝
-1 이하의 흡수 계수를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.

公开(公告)号：KR1020120108912A

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020117019567

申请日：2010-09-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구치다로 ,  사사키마코토 ,  하라다신 ,  오키타교코 ,  이노우에히로키 ,  후지와라신스케 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/187 ,  H01L29/7802

Abstract: 탄화규소 기판(81)은 기판 영역(R1) 및 지지부(30)를 갖는다. 기판 영역(R1)은 제1 단결정 기판(11)을 갖는다. 지지부(30)는 제1 단결정(11)의 제1 이면(B1)에 접합되어 있다. 제1 단결정 기판(11)의 전위 밀도는 지지부(30)의 전위 밀도보다 낮다. 기판 영역(R1) 및 지지부(30) 중 어느 하나 이상은 보이드를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120014024A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：KR1020117028915

申请日：2010-04-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하라다신 ,  사사키마코토 ,  니시구치다로 ,  나미카와야스오 ,  후지와라신스케

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 열처리에 의한 적층 결함의 발생을 억제하면서, 두께 방향의 저항률을 저감시킬 수 있는 탄화규소 기판(1)은 탄화규소로 이루어지는 베이스층(10)과, 단결정 탄화규소로 이루어지며, 상기 베이스층(10)의 한쪽 주면(10A) 위에 배치된 SiC층(20)을 구비한다. 베이스층(10)의 불순물 농도는 2×10
19 ㎝
-3 보다 크다. 그리고, SiC층(20)의 불순물 농도는 5×10
18 ㎝
-3 보다 크고 2×10
19 ㎝
-3 보다 작다.

公开(公告)号：KR1020120014017A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：KR1020117028635

申请日：2010-04-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구치다로 ,  사사키마코토 ,  하라다신 ,  후지와라신스케 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 탄화규소 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 비용의 저감을 실현할 수 있는 탄화규소 기판(1)은 탄화규소로 이루어지는 베이스 기판(10)과, 베이스 기판(10)과는 다른 단결정 탄화규소로 이루어지며, 베이스 기판(10) 위에 접촉하여 배치된 SiC층(20)을 구비한다. 이것에 의해, 탄화규소 기판(1)은 탄화규소 단결정을 유효하게 이용하는 것이 가능한 탄화규소 기판이 된다.

公开(公告)号：KR1020120011059A

公开(公告)日：2012-02-06

申请号：KR1020117028517

申请日：2010-04-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 와다게이지 ,  하라다신 ,  마스다다케요시 ,  호나가미사코 ,  니시구치다로 ,  사사키마코토 ,  후지와라신스케 ,  나미카와야스오

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 결함의 발생을 억제하면서, 온저항의 저감을 달성할 수 있는 종형 IGBT인 IGBT(100)는 탄화규소 기판(1)과, 드리프트층(3)과, 웰 영역(4)과, n
+ 영역(5)과, 이미터 콘택트 전극(92)과, 게이트 산화막(91)과, 게이트 전극(93)과, 콜렉터 전극(96)을 구비한다. 탄화규소 기판(1)은, 탄화규소로 이루어지며, 도전형이 p형인 베이스층(10)과, 단결정 탄화규소로 이루어지며, 베이스층(10) 위에 배치된 SiC층(20)을 포함하고, 베이스층(10)의 p형 불순물 농도는 1×10
18 ㎝
-3 을 초과한다.

公开(公告)号：KR1020110120258A

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020110097166

申请日：2011-09-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: PURPOSE: An AlGaInN substrate, an AlGalnN substrate washing method, an AlN substrate, and an AlN substrate washing method are provided to immerse the AlGaInN substrate into a washing solution while applying ultrasonic waves, thereby eliminating particles with a diameter of 0.2μm or greater existed on the surface of the AlGaInN substrate. CONSTITUTION: An AlGaInN substrate(45) is immersed in an acid solution(25). A photoelectron spectrum of the surface of the AlGaInN substrate is provided using an X-ray photoelectron spectroscopy with a detection angle of 10°. The acid solution is comprised of at least one kind of a group comprised of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid. The AlGaInN substrate is immersed for 30 seconds or more. The concentration of the acid solution is 0.5 mass percent or greater.

Abstract translation: 目的：提供AlGaInN衬底，AlGalnN衬底洗涤方法，AlN衬底和AlN衬底洗涤方法，以在施加超声波的同时将AlGaInN衬底浸入洗涤溶液中，从而消除直径为0.2μm以上的颗粒 在AlGaInN衬底的表面上。 构成：将AlGaInN衬底（45）浸入酸溶液（25）中。 使用检测角度为10°的X射线光电子能谱法，提供AlGaInN衬底的表面的光电子光谱。 酸溶液由至少一种由氢氟酸，盐酸和硫酸组成的组成。 将AlGaInN基板浸渍30秒以上。 酸溶液的浓度为0.5质量％以上。

公开(公告)号：KR1020090056829A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020080113391

申请日：2008-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  요시다히로아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/32 ,  C30B19/02 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: A III-nitride crystal substrate, and a light-emitting device and a method of the same are provided to allow the III-nitride crystal substrate to be suitable for an emitting diode by using a substrate with a low current density and a high crystallinity. In a III-nitride crystal substrate, and a light-emitting device and a method of the same, the III-nitride crystal substrate has a main substrate(100m) over 10cm^2. A peripheral region is positioned within 5mm or less from the circumference of the main side. The total dislocation density is over 1x10^4 cm-2 or less than 3x10^6 cm-2 at a region excluding the circumference, and the ratio of the spiral density to the total potential density is over 0.5.

Abstract translation: 提供III族氮化物晶体基板以及发光器件及其制造方法，以通过使用具有低电流密度和高结晶度的衬底来允许III族氮化物晶体衬底适用于发光二极管。 在III族氮化物晶体基板和发光器件及其制造方法中，III族氮化物晶体基板具有超过10cm 2的主衬底（100m）。 周边区域位于主侧面的5mm以内。 在除圆周外的区域，总位错密度超过1×10 ^ 4cm -2或小于3×10 6 cm -2，并且螺旋密度与总电位密度之比超过0.5。

公开(公告)号：KR1020050029103A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：KR1020040023635

申请日：2004-04-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  나카무라타카오 ,  모리히로키 ,  카타야마코지

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

Abstract: A semiconductor light emitting device is provided to extend the lifetime of a ZnSe-based light emitting device by forming a semiconductor barrier layer between an active layer and a p-type clad layer such that the semiconductor barrier layer has a bandgap greater than that of a p-type clad layer. A light emitting device of a II-VI group compound semiconductor is formed on a compound semiconductor substrate(1), including an active layer(4) between an n-type clad layer(3) and a p-type clad layer(5). A semiconductor barrier layer(11) having a bandgap greater than that of the p-type clad layer is formed between the active layer and the p-type clad layer.

Abstract translation: 提供一种半导体发光器件，以通过在有源层和p型覆盖层之间形成半导体势垒层来延长ZnSe基发光器件的寿命，使得半导体阻挡层的带隙大于 p型覆层。 在包括n型覆盖层（3）和p型覆盖层（5）之间的有源层（4）的化合物半导体基板（1）上形成II-VI族化合物半导体的发光元件， 。 在有源层和p型覆盖层之间形成具有比p型覆盖层大的带隙的半导体势垒层（11）。

公开(公告)号：KR1020120124352A

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020117024009

申请日：2010-09-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구치다로 ,  사사키마코토 ,  하라다신 ,  오키타교코 ,  이노우에히로키 ,  후지와라신스케 ,  나미카와야스오

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B33/06

Abstract: 각각이 이면(B1)을 가지며 탄화규소로 이루어진 적어도 하나의 단결정 기판(11)과, 주면(F0)을 가지며 탄화규소로 이루어진 지지부(30)가 준비된다. 이 준비에 있어서, 이면(B1) 및 주면(F0) 중 적어도 어느 하나가 기계적 가공에 의해 형성된다. 이 형성에 의해 이면(B1) 및 주면(F0) 중 적어도 어느 하나에, 결정 구조의 왜곡을 갖는 표면층이 형성된다. 표면층의 적어도 일부가 제거된다. 이 제거 후에, 이면(B1) 및 주면(F0)이 서로 접합된다.

公开(公告)号：KR1020120024526A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020117005798

申请日：2010-04-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사사키마코토 ,  하라다신 ,  니시구치다로 ,  후지와라신스케 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 본 발명의 반도체 기판의 제조방법에서는, 제1 이면(B1)을 갖는 제1 탄화규소 기판(11)과, 제2 이면(B2)을 갖는 제2 탄화규소 기판(12)이 준비된다. 제1 및 제2 이면(B1, B2)이 각각 하나의 방향으로 노출되도록, 제1 및 제2 탄화규소 기판(11, 12)이 배치된다. 제1 및 제2 이면(B1, B2)을 서로 연결하는 결합부(50)가 형성된다. 결합부(50)를 형성하는 공정은, 제1 및 제2 이면(B1, B2) 각각의 위에 탄화규소로 이루어진 성장층(30)을, 하나의 방향으로부터 승화물을 공급하는 승화법에 의해 형성하는 공정을 포함한다.