산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드
    11.
    发明公开
    산화아연 나노 구조체가 형성된 발광 다이오드 有权
    具有ZNO纳米结构的发光二极管

    公开(公告)号:KR1020110074445A

    公开(公告)日:2011-06-30

    申请号:KR1020100128502

    申请日:2010-12-15

    CPC classification number: H01L33/22 H01L33/285 H01L2933/0083

    Abstract: PURPOSE: A light-emitting diode of having ZnO nano-structure is provided to improve a light extraction efficiency by applying nano photonic crystal structure of the zinc oxide material to the upper part of a light-emitting structure. CONSTITUTION: In a light-emitting diode of having ZnO nano-structure, a light-emitting structure(120) is formed on a substrate(100). The light-emitting structure is comprised of a buffer layer(121), an n-type junction layer(123), a light-emitting layer(125), and a p-type junction layer(127). An current diffusion layer(130) is formed on the light-emitting structure. A seed layer(140) is formed on the current diffusion layer. A nano photonic crystal(170) is formed on the seed layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种具有ZnO纳米结构的发光二极管,通过将氧化锌材料的纳米光子晶体结构应用于发光结构的上部来提高光提取效率。 构成:在具有ZnO纳米结构的发光二极管中,在基板(100)上形成发光结构(120)。 发光结构由缓冲层(121),n型结层(123),发光层(125)和p型结层(127)构成。 在发光结构上形成电流扩散层(130)。 种子层(140)形成在电流扩散层上。 在种子层上形成纳米光子晶体(170)。

    이중층 분리막을 이용한 탈수소화반응을 통한 탄화수소계 가스 제조 시스템
    12.
    发明公开
    이중층 분리막을 이용한 탈수소화반응을 통한 탄화수소계 가스 제조 시스템 有权
    通过使用双层膜进行脱氢的烃油生产系统

    公开(公告)号:KR1020110014463A

    公开(公告)日:2011-02-11

    申请号:KR1020090072144

    申请日:2009-08-05

    CPC classification number: C01B3/505 B01D53/228 B01D69/12 B01D71/022

    Abstract: PURPOSE: A hydrocarbon gas producing system using a dehydrogenation reaction with a bi-layer separation film is provided to obtain a system capable of producing ethylene from ethane. CONSTITUTION: A hydrocarbon gas producing system comprises the following: a bi-layer separation film(110); an oxygen supplier supplying oxygen(122) on one surface of the bi-layer separation film; a steam collector collecting steam(124) from the bi-layer separation film; a first hydrocarbon gas supplier supplying first hydrocarbon gas(132) to the other surface(114) of the bi-layer separation film; and a second hydrocarbon gas collector collecting second hydrocarbon gas(134) from the bi-layer separation film.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用与双层分离膜进行脱氢反应的烃气体生产系统,以获得能够从乙烷生产乙烯的体系。 构成:碳氢化合物气体生成系统包括:双层分离膜(110); 在双层分离膜的一个表面上供氧(122)的供氧供应商; 从双层分离膜收集蒸汽(124)的蒸汽收集器; 将第一烃气体(132)供应到双层分离膜的另一个表面(114)的第一烃气供应器; 和从双层分离膜收集第二烃气体(134)的第二烃类气体收集器。

    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의제조방법
    13.
    发明公开
    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의제조방법 无效
    使用HOLOGRAM LITHOGRAPHY制备氧化锌纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR1020100010796A

    公开(公告)日:2010-02-02

    申请号:KR1020080071837

    申请日:2008-07-23

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using the hologram lithography is provided to manufacture simply arranged zinc oxide nanostructures without expensive equipment and to obtain various nanostructures such as nanocrystal, nanorod and nanoholes. CONSTITUTION: A method for manufacturing zinc oxide nanostructures by using a hologram lithography comprises: a step of forming a photoresist(PR) layer in the top of the substrate; a first exposure step of making uniform form by exposing the photoresist layer through the hologram lithography; a second exposure step of exposing the photoresist layer which is the first exposure photoresist layer to obtain uniform form by using the hologram lithography after rotating substrate at the constant angle; the step of forming a nano pattern by developing the photoresist layer; a step of growing the zinc oxide(ZnO) nanostructures on the top of the substrate by using a hydrothermal synthesis method.

    Abstract translation: 目的:提供使用全息图光刻制造氧化锌纳米结构的方法,制造简单排列的氧化锌纳米结构,无需昂贵的设备,并可获得纳米晶体,纳米棒和纳米孔等各种纳米结构。 构成:通过使用全息图光刻制造氧化锌纳米结构的方法包括:在衬底的顶部形成光致抗蚀剂(PR)层的步骤; 通过曝光光致抗蚀剂层通过全息图光刻制造均匀形式的第一曝光步骤; 第二曝光步骤,在以恒定角度旋转基板之后,通过使用全息图光刻将作为第一曝光光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂层曝光以获得均匀的形状; 通过显影光致抗蚀剂层形成纳米图案的步骤; 通过使用水热合成法在衬底的顶部上生长氧化锌(ZnO)纳米结构的步骤。

    마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드
    14.
    发明授权
    마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드 失效
    发光二极管与微透镜

    公开(公告)号:KR100886359B1

    公开(公告)日:2009-03-03

    申请号:KR1020070026858

    申请日:2007-03-19

    CPC classification number: H01L33/44 H01L2933/0083

    Abstract: 본 발명은 기판 상부에 N형-반도체층, 활성층 및 P형-반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 P형-반도체층으로부터 상기 N형-반도체층 일부까지 제거되어 N형-반도체층의 일부가 노출되어 있으며, 상기 노출된 N형-반도체층의 상부에 N형 전극 패드가 형성되어 있고, P형-반도체층의 상부에 투명 전도 막(TCL; Transparent Conducting layer)이 형성되며, 상기 P형-반도체층의 상부에 P형 전극 패드가 형성되어 있고, 상기 투명 전도 막 상부에 자외선 경화 수지인 접착제로 제작된 마이크로 렌즈들이 배열(array) 되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드를 제공한다.
    본 발명의 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드는 저항의 열화 없이 마이크로 렌즈가 집적되지 않은 발광 다이오드를 기준으로 직경이 10 ㎛인 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.24배, 20 ㎛ 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.17배의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
    발광 다이오드(LED), 마이크로 렌즈(microlens), 질화물 반도체(GaN), 외부추출효율(extraction efficiency)

    양면 실리콘렌즈 및 이의 제조방법
    15.
    发明公开
    양면 실리콘렌즈 및 이의 제조방법 审中-实审
    双面硅胶镜片及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170111646A

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:KR1020160037520

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 본발명은양면실리콘렌즈및 이의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는양면실리콘렌즈를전면패터닝공정만으로제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면및 후면패터닝공정을모두수행하지않고전면패터닝공정만으로양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면패터닝공정만을수행하므로각 면렌즈실리콘렌즈사이의정렬을높은정렬도로구현할수 있으며, 다양한형상의다양한곡률을갖는양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明在硅​​透镜的两侧,及其生产方法,以能够更专门制造euroneun双面硅胶透镜只有前图案化步骤的方法。 根据本发明的双面硅透镜的生产过程中,不进行两者的正面和背面图案化步骤存在能够制造双面硅胶透镜只有前图案化步骤的效果。 此外,根据本发明的双面硅透镜的制造方法,因为它仅执行前图案化工艺,并且可以实现每个侧透镜硅透镜道高对准之间的对准,可以制造具有各种形状的不同曲率的双面硅油透镜效果 一。

    양극산화 템플릿을 이용한 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조 방법
    16.
    发明公开
    양극산화 템플릿을 이용한 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조 방법 有权
    使用AAO模板制造具有三维吸收层的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020150047661A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:KR1020130126536

    申请日:2013-10-23

    Abstract: 양극산화플레이트를이용하여제조되는 3차원구조의광흡수층을포함하는태양전지제조방법이개시된다. 하부구조의후면전극층상에알루미늄을적층한후 양극산화를통해다수개의나노홀또는다수개의나노기둥을가지는템플릿을형성한다. 템플릿의다수개의나노홀또는다수개의나노기둥에 CZTS 전구체물질을충전시킨후 템플릿을제거하여전구체박막을형성한다. 전구체박막을황화또는셀렌화분위기에서열처리하여 3차원구조의광흡수층을형성한다. 나아가, 열처리를수행하기전에양극산화중에후면전극층상에형성된산화물을제거한후 상술한열처리를수행할수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种制造具有由阳极氧化模板制造的3D结构的光吸收层的太阳能电池的方法。 在铝层叠在底部结构的后电极层上之后,通过阳极氧化形成具有多个纳米孔或纳米柱的模板。 在CZTS前体材料填充在模板的纳米孔或纳米柱中后,通过去除模板形成前体薄膜。 3D结构的光吸收层是通过在硫化或硒化物气氛下热处理前体薄膜而形成的。 此外,在热处理之前,在阳极氧化工艺中除去在后电极层上形成的氧化物之后进行热处理。

    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법
    17.
    发明授权
    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법 有权
    一种制造具有通过激光光刻形成的三维光吸收层的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR101515301B1

    公开(公告)日:2015-04-27

    申请号:KR1020130112099

    申请日:2013-09-17

    Abstract: 레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种使用激光光刻制造具有三维结构光吸收层的太阳能电池的方法。 这是一种形成用于部分或步骤的暴露表面的柱状前体层中的所有的光吸收层的步骤和所述下部结构,以形成具有多个暴露的部分为下部结构的表面暴露于下部结构的光致抗蚀剂掩模 并且光刻胶掩模的形成使用激光光刻。 这种激光光刻可以以经济的制造成本精确地形成三维结构的各种光吸收层。

    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법
    18.
    发明公开
    레이저 리소그래피를 이용하여 형성되는 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지 제조방법 有权
    使用激光光刻制造吸收层薄膜三维结构的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020150032439A

    公开(公告)日:2015-03-26

    申请号:KR1020130112099

    申请日:2013-09-17

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: 레이저 리소그래피를 이용하여 3차원 구조의 광흡수층을 가지는 태양전지를 제조하는 방법이 개시된다. 이는 하부구조 상에 하부구조의 표면을 노출시키는 다수개의 노출부를 가지는 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와, 하부구조의 노출된 표면에 광흡수층의 일부 또는 전부를 위한 기둥형 전구체층을 형성하는 단계를 포함하며, 포토레지스트 마스크의 형성은 레이저 리소그래피를 이용한다. 이러한 레이저 리소그래피는 경제적인 제조비용으로 3차원 구조의 다양한 광흡수층을 정밀하게 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种使用激光光刻制造具有3D结构的光吸收层的太阳能电池的方法。 根据本发明的具有3D结构的光吸收层的太阳能电池的制造方法包括以下步骤:用多个曝光部分形成光致抗蚀剂掩模以暴露底部结构上的底部结构的表面; 并且在底部结构的暴露表面上形成用于部分或全部光吸收层的柱型前体层。 激光光刻用于形成光致抗蚀剂掩模,并且这种激光光刻可以精确地形成具有经济制造成本的3D结构的各种光吸收层。

    가스센서 및 이의 제조방법
    19.
    发明授权
    가스센서 및 이의 제조방법 有权
    气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101384415B1

    公开(公告)日:2014-04-14

    申请号:KR1020120050293

    申请日:2012-05-11

    Abstract: 가스센서 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의한 가스센서는 p형 박막형 화합물 반도체층을 채용하여 화학적으로 안정하고, 신속하게 검출 대상 가스를 검지할 수 있으며, p형 박막형 화합물 반도체층의 치밀한 특성과 n형 다공성 화합물 반도체층의 다공질 특성으로 pn 접합 계면에서 가스 분자의 화학 반응이 용이하게 일어날 수 있고, 반응 시간 및 회복 시간이 감소될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 가스센서의 제조방법은 기판 상에 p형 화합물 반도체용 전구체 박막을 스퍼터링하여 증착하고, 전구체 박막을 열처리하는 단계를 통해 p형 박막형 화합물 반도체층을 형성하며, CBD(chemical bath deposition)법을 이용하여 p형 박막형 화합물 반도체층 상에 n형 금속 산화물 나노로드를 성장시키는 단계를 통해 n형 다공성 화합물 반도체층을 형성하여 간단하고 용이하게 우수한 특성을 갖는 가스센서를 제조할 수 있다.

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