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公开(公告)号：WO2016048000A3
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/KR2015/009935
申请日：2015-09-22
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01J37/073
Abstract: 전계방출효과에 의해 전자를 방출하고, 전자의 충돌에 따라 전자-정공 쌍의 형성 및 이들의 재결합에 따른 광을 형성하는 광 발생 장치가 개시된다. 자외선 또는 가시광의 형성을 위해서 요구되는 p형 반도체층의 개입없이 다중양자우물 구조를 가지는 광원층에서 전자-정공 쌍은 발생되고, 이들의 재결합에 의해 광은 발생된다.
Abstract translation: 由于电子 - 空穴对的形成及其根据电子的碰撞而再结合，所述发光装置通过场发射效应发射电子并形成光。 在具有多量子阱结构的光源层中产生电子 - 空穴对，而不需要形成紫外线或可见光所需的p-型半导体层，并且通过它们的复合而产生光。
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公开(公告)号：KR1020160034829A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020150133760
申请日：2015-09-22
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 전계방출효과에의해전자를방출하고, 전자의충돌에따라전자-정공쌍의형성및 이들의재결합에따른광을형성하는광 발생장치가개시된다. 자외선또는가시광의형성을위해서요구되는 p형반도체층의개입없이다중양자우물구조를가지는광원층에서전자-정공쌍은발생되고, 이들의재결합에의해광은발생된다.
Abstract translation: 公开了一种通过场发射效应发射电子的光产生装置，根据电子的碰撞形成电子 - 空穴对，并根据电子 - 空穴对的复合形成光。 在具有多量子阱结构的光源层中产生电子 - 空穴对，而不需要形成UV射线或可见光线所需的p型半导体层。 光通过电子 - 空穴对的重组产生。
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公开(公告)号：KR1020110092822A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012469
申请日：2010-02-10
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: B05D5/06 , B05D1/005 , B05D1/38 , B05D2203/30 , C09D129/08
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an ultralow refractive silica film is provided to obtain the uniform and homogenized silica film having high porosity using simple spin coating and to prevent the formation of cracks or porous channels. CONSTITUTION: A method for fabricating an ultralow refractive silica film comprises the steps of: preparing styrene-based copolymerization nanoparticles by polymerizing a styrene monomer and a hydrophilic monomer having a hydrophilic functional group through an emulsion polymerization method; applying an aqueous dispersion of the styrene-based copolymerization nanoparticles to a substrate surface-modified to be hydrophilic using spin-coating and applying ultrasonic waves to the coated film in order to form a porous polymer film on which the styrene-based copolymerization nanoparticles is laminated; applying and deopositing a precursor solution including a silica precursor in the porous polymer film to form the composite film of a polymer-silica precursor; and heating the composite film and removing the porous polymer film to prepare the porous silica film.
Abstract translation: 目的：提供一种制造超低折射二氧化硅膜的方法，以使用简单的旋涂法获得具有高孔隙率的均匀均匀的二氧化硅膜，并防止形成裂缝或多孔通道。 构成：制造超低折射二氧化硅膜的方法包括以下步骤：通过乳液聚合法聚合苯乙烯单体和具有亲水官能团的亲水性单体来制备苯乙烯基共聚纳米颗粒; 将苯乙烯类共聚纳米粒子的水性分散体涂布在表面改性为亲水性的基材上，使用旋转涂布法和向涂膜施加超声波，以形成多层聚合物膜，苯乙烯基共聚纳米粒子层叠在该多孔聚合物膜上 ; 在多孔聚合物膜中涂覆包含二氧化硅前体的前体溶液并形成聚合物 - 二氧化硅前体的复合膜; 并加热复合膜并除去多孔聚合物膜以制备多孔二氧化硅膜。
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公开(公告)号：KR100886359B1
公开(公告)日：2009-03-03
申请号：KR1020070026858
申请日：2007-03-19
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 본 발명은 기판 상부에 N형-반도체층, 활성층 및 P형-반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 P형-반도체층으로부터 상기 N형-반도체층 일부까지 제거되어 N형-반도체층의 일부가 노출되어 있으며, 상기 노출된 N형-반도체층의 상부에 N형 전극 패드가 형성되어 있고, P형-반도체층의 상부에 투명 전도 막(TCL; Transparent Conducting layer)이 형성되며, 상기 P형-반도체층의 상부에 P형 전극 패드가 형성되어 있고, 상기 투명 전도 막 상부에 자외선 경화 수지인 접착제로 제작된 마이크로 렌즈들이 배열(array) 되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명의 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드는 저항의 열화 없이 마이크로 렌즈가 집적되지 않은 발광 다이오드를 기준으로 직경이 10 ㎛인 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.24배, 20 ㎛ 마이크로 렌즈가 집적된 발광 다이오드의 경우 1.17배의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
발광 다이오드(LED), 마이크로 렌즈(microlens), 질화물 반도체(GaN), 외부추출효율(extraction efficiency)-
公开(公告)号：KR102006361B1
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：KR1020180024790
申请日：2018-02-28
Applicant: 주식회사 에스비케이머티리얼즈 , 전남대학교산학협력단 , 세종대학교산학협력단
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Patent Agency Ranking6.发明授权ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스 有权用于制造P型GaN基化合物半导体的方法，用于交替包含在GaN基化合物半导体中的P型掺杂剂的方法，基于GaN的化合物半导体器件和基于GaN的化合物半导体发光器件
公开(公告)号：KR101171817B1
公开(公告)日：2012-08-14
申请号：KR1020100016425
申请日：2010-02-23
Applicant: (주)큐엠씨 , 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/32
Abstract: 본원은, 전기화학적 정전위법(electrochemical potentiostatic method)을 이용하여 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트를 활성화시킴으로써 p-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층의 정공 농도를 증가시키고 전기적 특성을 개선할 수 있는 방법을 제공하고 이러한 방법을 이용하여 제조되는 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 발광 디바이스를 제공하고자 한다.
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公开(公告)号：KR101091874B1
公开(公告)日：2011-12-12
申请号：KR1020100012469
申请日：2010-02-10
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은초저굴절률을갖는실리카막을제조하는방법에관한것으로, 본발명에따른초저굴절률실리카막의제조방법은 a) 에멀젼중합법(emulsion polymerization)으로스티렌모노머(styrene monomer)와친수성작용기를갖는친수성모노머를중합하여, 스티렌계공중합나노입자를제조하는단계; b) 스핀코팅을이용하여상기스티렌계공중합나노입자의수분산액을친수성표면개질된기판에도포하고, 도포된막에초음파를인가하여, 상기스티렌계공중합나노입자가다층으로쌓인다공성폴리머막을형성하는단계; c) 상기다공성폴리머막에실리카전구체를함유한전구체용액을도포또는증착하여폴리머-실리카전구체의복합막을형성하는단계; 및 d) 상기복합막을열처리하여, 상기다공성폴리머막을제거하고다공성실리카막을제조하는단계;를포함하여제조되는특징이있다.
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公开(公告)号：KR101690430B1
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020150154166
申请日：2015-11-04
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0048 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2893/0031 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/60 , H01L51/5271
Abstract: p형반도체층의사용이배제된자외선발광소자가개시된다. 자외선을생성하기위하여전자빔생성부가구비되며, 전자빔생성부에서형성된전자빔은자외선생성부의활성층으로유도된다. 활성층에서전자빔은충돌되고, 충돌에의해생성된전자-정공쌍은활성층의장벽층에의해우물층에구속된다. 구속된전자와정공은재결합을통해자외선을형성한다.
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9.发明公开ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스 有权用于制造基于P型的基于GAN的化合物半导体的方法，用于交替在基于GAN的化合物半导体中包含的P型掺杂剂的方法，基于GAN的化合物半导体器件和基于GAN的化合物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110096897A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016425
申请日：2010-02-23
Applicant: (주)큐엠씨 , 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L2933/0008
Abstract: 본원은, 전기화학적 정전위법(electrochemical potentiostatic method)을 이용하여 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트를 활성화시킴으로써 p-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층의 정공 농도를 증가시키고 전기적 특성을 개선할 수 있는 방법을 제공하고 이러한 방법을 이용하여 제조되는 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 발광 디바이스를 제공하고자 한다.
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公开(公告)号：KR1020080085401A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：KR1020070026858
申请日：2007-03-19
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: A light emitting diode having a micro lens is provided to realize excellent optical transmissivity and high adhesive property with respect to a substrate by forming the micro lens with an ultraviolet rays hardening adhesive agent. An N-type semiconductor layer(140), an active layer(150), and a P-type semiconductor layer(160) are sequentially laminated on a substrate(110). A part of the N-type semiconductor layer is exposed by removing a region from the P-type semiconductor layer to a part of the N-type semiconductor layer. An N-type electrode pad(190) is formed on an upper portion of the exposed N-type semiconductor layer. A transparent conductive layer is formed on an upper portion of the P-type semiconductor layer. A P-type electrode pad(180) is formed on an upper portion of the P-type semiconductor layer. Micro lenses made of an ultraviolet rays hardening adhesive agent are arranged on an upper portion of the transparent conductive layer.
Abstract translation: 提供具有微透镜的发光二极管，通过用紫外线固化粘合剂形成微透镜来实现相对于基板的优异的透光性和高粘合性。 在衬底（110）上依次层叠N型半导体层（140），有源层（150）和P型半导体层（160）。 通过从P型半导体层去除一部分N型半导体层而使N型半导体层的一部分露出。 在暴露的N型半导体层的上部形成有N型电极焊盘（190）。 在P型半导体层的上部形成透明导电层。 P型电极焊盘（180）形成在P型半导体层的上部。 在透明导电层的上部配置由紫外线固化型粘合剂构成的微透镜。
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