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公开(公告)号：KR101295468B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020120018462
申请日：2012-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method for fabricating the same are provided to reduce defects by burying a thin n-type electrode in a recessed part. CONSTITUTION: A p-type semiconductor layer is formed on an active layer. A p-type electrode (900) is formed on the p-type semiconductor layer. An n-type electrode (400) is formed in an n-type semiconductor layer. An n-type pad (800) is arranged on the exposed surface of the n-type semiconductor layer. An insulating layer is formed on the n-type electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过将n型薄电极埋入凹部来减少缺陷。 构成：在有源层上形成p型半导体层。 p型电极（900）形成在p型半导体层上。 n型电极（400）形成在n型半导体层中。 n型衬垫（800）布置在n型半导体层的暴露表面上。 在n型电极上形成绝缘层。
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公开(公告)号：KR101838611B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020160021269
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며, 광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
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公开(公告)号：KR101838610B1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：KR1020160021272
申请日：2016-02-23
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로, 보다구체적으로는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은본 발명은단일벽탄소나노튜브및 이의제조방법, 그리고이를이용한자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명의단일벽탄소나노튜브특히, 자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브의제조방법에의하면, P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적은자외선발광다이오드의투명전극용단일벽탄소나노튜브를제조할수 있다. 또한, 본발명의제조방법에의하면붕소계열의환원제를사용하함으로써도금조절이용이할뿐만아니라니켈이고르게도금되는효과가있으며, 급속열처리를수행하여니켈또는니켈합금으로피막화할수 있다. 또한, 본발명의자외선발광다이오드는 P형질화물계반도체와오믹(ohmic)접촉이가능하며광투과도의감소가적어높은효율의증대를이룰수 있다.
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公开(公告)号：KR102173611B1
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：KR20190004173
申请日：2019-01-11
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 전기적및/또는기계적성질이우수한전도성섬유복합체의제조방법에관한것으로서, 복수개의전도성섬유가닥을포함하는전도성섬유를전류안정기(Current stabilizer)를포함하는도금조에제공하는단계; 및상기도금조에서전해도금공정을수행하여전도성섬유의내부에금속플레이크를형성하는단계를포함하는전도성섬유복합체의제조방법을제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101823579B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020160037520
申请日：2016-03-29
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: G02B3/00 , B29D11/00 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 본발명은양면실리콘렌즈및 이의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는양면실리콘렌즈를전면패터닝공정만으로제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면및 후면패터닝공정을모두수행하지않고전면패터닝공정만으로양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의양면실리콘렌즈의제조방법에의하면전면패터닝공정만을수행하므로각 면렌즈실리콘렌즈사이의정렬을높은정렬도로구현할수 있으며, 다양한형상의다양한곡률을갖는양면실리콘렌즈를제조할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101458296B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130017037
申请日：2013-02-18
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 정전기 보호 구조를 가지는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 반도체 발광 소자는 위로부터 순차로 적층된 제1도전형 반도체층, 활성층, 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과, 발광구조물의 하면에 적층된 전극구조물과, 전극구조물의 전극 중 하나를 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결하기 위하여, 전극구조물의 일부층, 제2도전형 반도체층, 및 활성층을 관통하여 제1도전형 반도체층을 노출시키는 하나 이상의 비아홀을 포함하며, 하나 이상의 비아홀 각각의 둘레의 전극구조물의 일부층 또는 발광구조물 내에 위치하는 둘레 절연막을 구비한다.
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公开(公告)号：KR102264503B1
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：KR1020190136851
申请日：2019-10-30
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01G9/20 , H01L31/12 , H01L31/0304 , H01L33/26
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公开(公告)号：KR101875602B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020170076087
申请日：2017-06-15
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/42 , H01L33/44
Abstract: 본발명은발광다이오드소자용탄소복합체및 이의제조방법과이를이용한자외선발광다이오드에관한것으로특히, 본발명의일실시예에따른발광다이오드소자용탄소복합체의제조방법은콜로이드상태의금속이온이분산된분산액을준비하는단계; 상기분산액에단일벽탄소나노튜브를혼합한후 교반하여단일벽탄소나노튜브의표면에상기금속이온이결합된탄소복합체를준비하는단계; 상기탄소복합체를박막화하는단계; 박막화된 상기탄소복합체를건조및 세정하는단계; 건조및 세정된 상기탄소복합체를열처리하는단계; 및열처리된 상기탄소복합체를패터닝하는단계를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020140103542A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017037
申请日：2013-02-18
Applicant: 전남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/145 , H01L33/44
Abstract: Disclosed are a semiconductor light emitting device having a static electricity protection structure and a production method thereof. The semiconductor light emitting device comprises: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer which are sequentially stacked from the top; an electrode structure which is stacked on the lower surface of the light emitting structure; one or more via holes which are configured to expose the first conductive semiconductor layer by penetrating a partial layer of the electrode structure, the second conductive semiconductor layer, and the active layer in order to electrically connect one of the electrodes of the electrode structure to the first conductive semiconductor layer; and a surrounding insulating film which is located in the light emitting structure within the partial layer of the electrode structure in the circumference of the via holes or the light emitting structure.
Abstract translation: 公开了具有静电保护结构的半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括：发光结构，其包括从顶部依次堆叠的第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 堆叠在发光结构的下表面上的电极结构; 一个或多个通孔，其被配置为通过穿透电极结构的部分层，第二导电半导体层和有源层来暴露第一导电半导体层，以将电极结构的电极之一电连接到 第一导电半导体层; 以及在通孔或发光结构的圆周中位于电极结构的局部层内的发光结构中的周围绝缘膜。
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