Abstract:
본 발명은 차동형 이종접합 포토트랜지스터에 관한 것으로, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 적어도 둘 이상 어레이하고 일부의 이종접합 포토트랜지스터에 차광막을 형성하여 차동형 이종접합 포토트랜지스터를 제작함으로써, 암전류가 낮은 값을 가지는 이상적인 수광소자를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, NPIN형 이종접합 포토트랜지스터를 고용하여, 종래의 PIN 광검출기에 비하여, 높은 감도와 넓은 동적 범위(Dynamic range) 특성을 가지므로, 매우 미약한 근적외 광신호를 감지할 수 있어 인체 감지와 같은 의료용, 환경용, 군사용 등에 응용할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 기판 상에 게이트 및 부유 바디(Floating Body)를 형성하고, 이격된 기판상의 포토 다이오드(Photo Diode)에서 빛에 의해 여기된 정공을 게이트에 축적시켜 채널의 완전 공핍을 유발시킬 뿐만 아니라, 채널의 완전 공핍을 유발시킬 뿐만 아니라, FET(Feld Effect transistor, 이하 FET)의 바디 포텐셜(Body Potential)을 광여기 캐리어에 선형적으로 증가시켜 결국, FET의 문턱 전압을 조절하여 광응답을 증대시키고, 하부 기판에 전자를 축적하여 LBT(Lateral Bipolar transistor, 이하 LBT)를 야기 시켜 채널의 정공의 흐름을 더욱 증가시킴으로써 광전변환 효율이 증가하는 고감도 이미센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 N 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 N 형 기판에 P 형의 이온을 주입하여 P 형 영역을 형성하는 단계; 상기 N 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계에서 식각되지 않은 활성 실리콘 중앙 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 상기 매몰 산화막 상부의 실리콘 및 게이트에 P 형의 이온을 주입하여 P 형 게이트, P 형 소오스 및 P 형 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 포토 다이오드의 P 형 영역과 게이트를 연결하는 연결부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 고감도 이미지센서 및 그 제조방법은 SOI 기판을 이용함으로써 암 전류를 낮출 수 있고, 단위 소자의 크기를 줄 일수 있을 뿐만 아니라, 기생적인 부유 캐패시턴스를 줄일 수 있어 고속 동작이 가능하며 빛에 민감하게 반응할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 고안은 박막의 두께와 선택 에칭 기술을 이용하여 형성된 나노 패턴을 이용하여 소자가 전사되도록 하는 나노 바이오 측정 시스템에 관한 것이다. 본 고안의 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템은 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템에 있어서, 기판; 상기 기판상에 두 개 이상의 교대하는 이종 재질로 구성된 박막층 및 상기 박막층의 일단면에 일부 박막층이 돌출되어 형성된 패턴으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 고안의 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템은 박막의 두께와 선택 에칭 기술을 이용하여 정밀한 나노 패턴을 형성하여 바이오 물질을 원하는 폭과 간격을 가진 상태에서 소자에 전사할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 고안은 pH 센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 마이크로 칩을 이용하여 극소량의 시료 용액의 광학적 특성으로 pH를 측정하는 pH 센서에 관한 것이다. 본 고안의 상기 목적은 시료 용액과 지시약 용액이 각각 주입되는 주입부; 상기 주입부와 연결되며 시료 용액과 지시약 용액이 접촉하며 층흐름으로 흘러가는 미세 통로; 및 상기 시료 용액과 지시약 용액이 배출되는 배출부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 칩을 이용한 pH 센서에 의해 달성된다. 따라서, 본 고안에 의한 마이크로 칩을 이용한 pH 센서는 마이크로 칩을 이용하여 극소량의 시료 용액만으로 pH를 측정하고 층흐름(laminar flow)을 이용하여 pH 측정 후 시료 용액을 회수할 수 있는 특징이 있다.
Abstract:
PURPOSE: A broadcasting receiving device capable of controlling internal power supply based on the states of download and playback of VOD and a method thereof are provided to reduce the electricity consumption generated at a set-top box (STB) in a VOD service providing process. CONSTITUTION: A receiving part (110) downloads VOD. A processor (130) plays the VOD. When the download of VOD is completed, the processor blocks power supplied to the receiving part. When the play of the VOD is completed, the processor continues the power supply to the receiving part. The complete of the play of the VOD includes at least one between a case the play of the VOD is completed and a case the play of the VOD is stopped by a command. [Reference numerals] (111) Tuner; (112) Demodulation part; (120) Memory; (130) Processor; (140) AV output part; (150) Remote control receiving part
Abstract:
TV 전원 상태에 기인한 방송수신장치 자동 모드 전환 방법 및 이를 적용한 방송수신장치가 제공된다. 본 방송수신장치의 자동 모드 전환 방법은, 리모컨으로부터 사용자 명령을 수신하는 단계 및 사용자 명령이 방송수신장치에 연결된 장치에 대한 특정 명령으로 판단되면 방송수신장치의 동작모드를 대기모드로 전환시키는 단계를 포함한다. 이에 의해, 미사용 상황 인지 범위가 확대되고, 인지 시간이 단축되어 대기모드 전환속도가 빨라져, 불필요한 전력 소모를 더욱 저감할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: An automatic mode switching method of a broadcasting receiving apparatus is provided to recognize a situation that a user does not use a set-top box and to automatically switch the set-top box in a standby mode. CONSTITUTION: An AV output device(100) determines whether an inputted user command is a specific command. If the user command is the specific command, the AV output device generates a control message for control of an operation mode of an STB(Set Top Box)(200). The AV output device transmits the generated control message to a broadcasting receiving apparatus. [Reference numerals] (AA, BB) Start; (CC) End; (S510, S550) Operating in an ON mode; (S520) External input command is input from STB to other external devices?; (S530) Generating a message for requesting mode conversion; (S540) Transferring the generated message for requesting mode conversion; (S560) Mode conversion request message is received?; (S570) Stand-by mode conversion
Abstract:
본 발명은 에스오아이 기판을 이용한 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에스오아이 이미지 센서는 에스오아이 기판상에 형성되어 빛을 전기신호로 변환하기 위한 게이트 바디 연결형 MOSFET 구조의 수광소자로 이루어진 수광 픽셀부 및 상기 수광 픽셀부와 인접하고, 상기 에스오아이 기판의 매몰 산화층을 제거한 영역에 형성되어 상기 수광 픽셀부로부터 받은 전기신호를 디지털 신호로 변화하여 처리하는 신호처리부; 및 상기 수광 픽셀부와 상기 신호처리부에 형성된 소자분리막을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 에스오아이 이미지 센서의 제조 방법은 신호처리부가 형성될 영역에 에스오아이 기판의 실리콘 기판 및 매몰 산화층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘을 노출하는 단계; 상부 실리콘 및 하부 실리콘에 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘 상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 증착하는 단계; 상기 증착된 게이트 산화막 및 게이트 전극을 패턴닝 하는 단계; 및 소스/드레인 영역을 형성하는 단계 를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따라 제조된 이미지 센서는 에스오아이 수광소자의 고반응성, 고속, 저전력 특성을 살려 빛을 전기적 신호로 바꿀수 있고 나머지 부분은 실리콘 소자의 우수한 신뢰성을 바탕으로 동작특성 및 신뢰성이 우수한 이미지 센서를 제조할 수 있다는 효과가 있다. 에스오아이, 이미지 센서
Abstract:
A scanning type device for measuring thickness of subcutaneous fat is provided to arrange a plurality of light sources and a plurality of light receiving units in one band and measure thickness of subcutaneous fat in a scan mode, thereby easily providing cross sectional distribution of subcutaneous fat by a simple operation. A plurality of light sources(101) emits a near infrared ray. A plurality of light receiving units(102) corresponds to the plurality of light sources. In one side of a band(103), the plurality of light sources and the plurality of light receiving units are arranged. A controller(104) controls the plurality of light sources. The controller receives, analyzes a signal from the light receiving units and outputs the analyzed signal. The light source applies a near infrared ray on a surface of a target material. The light receiving unit receives the near infrared ray to output a signal. The plurality of light receiving units is arranged in a lower part of the band. The light sources correspond to the light receiving units.
Abstract:
본 발명은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 광전류를 전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워용 모스(MOS) 및 상기 리셋용 모스(MOS)와 상기 광전변환용 모스(MOS)의 사이에 위치하여 전류를 축적하기 위한 플로팅 디퓨전 노드를 포함하며, 해당 로우(row)에 선택적으로 전원을 공급하는 방식을 적용하여이미지 데이타를 처리한다. 따라서, 본 발명은 신호 검출을 제외하고는 오프(off)되어 있으므로 저전력으로 구동이 가능할 뿐만 아니라 종래의 암전류가 발생하는 현상을 방지할 수 있어 고감도의 이미지 센서의 구현이 가능하며, 광전변환방식을 적용한 PMOS를 사용하여 이미지 센서의 능동 픽셀을 구현함으로써, 미세한 빛이 존재하는 저조도에서도 고감도를 실현할 수 있으며, 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하는 이점이 있다. 씨모스 이미지센서, PMOS, NMOS