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公开(公告)号：KR100453976B1
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020020074493
申请日：2002-11-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: PURPOSE: A diaphram manufacturing method for a micro device is provided to improve the stability of a diaphram structure by forming an octagonal diaphram using an etching mask having a cross type pattern. CONSTITUTION: A low stress etch stop layer(110) is formed on a silicon substrate(100). An etching mask layer(120) is formed at the lower portion of the silicon substrate. A cross type pattern(150) is formed at the center portion of the etch mask layer for partially exposing the silicon substrate. A diaphram for a micro device is formed by carrying out anisotropic etching process on the silicon substrate exposed through the cross type pattern. Preferably, the diaphram of the low stress etch stop layer is the shape of an octagonal structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于微型器件的隔膜制造方法，以通过使用具有十字型图案的蚀刻掩模形成八角形膜片来改善隔膜结构的稳定性。 构成：在硅衬底（100）上形成低应力蚀刻停止层（110）。 蚀刻掩模层（120）形成在硅衬底的下部。 在蚀刻掩模层的中心部分形成十字型图案（150），用于部分暴露硅衬底。 通过在通过十字型图案暴露的硅衬底上执行各向异性蚀刻工艺来形成用于微器件的隔膜。 优选地，低应力蚀刻停止层的膜片是八边形结构的形状。
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公开(公告)号：KR100295992B1
公开(公告)日：2001-10-26
申请号：KR1019980033000
申请日：1998-08-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/14
Abstract: 본 발명은 비 냉각 볼로미터형 적외선 센서로 사용될 수 있는 Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 계 완화형 강유전체 조성물에 관한 것이다.
Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 계 강유전체 조성물인 (1-x)Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 - x PbTiO
3 (0.03≤x≤0.09) 및 (1-x)Pb(Mg
⅓ Nb
⅔ )O
3 - x PbTiO
3 - y NiO(0.01≤x≤0.20, 0.005≤y≤0.10)를 합성하기 위하여 출발원료로 PbO와 TiO
2 와 MgNb
2 O
6 그리고 NiO를 평량한 다음, 증류수를 첨가하여 교반기에서 혼합한다. 혼합된 시료는 건조, 하소, 분쇄한 다음, 분말 상태의 시료를 유압프레스를 이용하여 원판형태로 성형한다. 성형된 시편들은 PMN-PT의 경우 1000 내지 1250℃에서 PMN-PT-yNiO 의 경우에는 900℃에서 2시간동안 소결하였다.-
公开(公告)号：KR1020010010469A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990029367
申请日：1999-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a silicon membrane is to measure only a change of a reflecting light due to removal of a reflecting film, therefor obtaining a uniform thickness of the silicon membrane independent of a temperature of an etching solution. CONSTITUTION: A method of manufacturing a silicon membrane comprises the steps of: forming at least one of an etching area by etching a portion of the first surface of a silicon substrate(100); depositing a reflecting film on the etching area; forming a protecting film(300) on the first surface and the second surface opposite to the first surface; forming the first opening as a measuring area and the second opening as an active area by etching the portion of the protecting film on the second surface; and etching the measuring area and the active area using the remaining protecting film as an etching mask until all of the metal film is etched.
Abstract translation: 目的：制造硅膜的方法是仅测量由于去除反射膜而导致的反射光的变化，从而获得与膜的温度无关的硅膜的均匀厚度。 构成：制造硅膜的方法包括以下步骤：通过蚀刻硅衬底（100）的第一表面的一部分来形成蚀刻区域中的至少一个; 在蚀刻区域上沉积反射膜; 在与第一表面相对的第一表面和第二表面上形成保护膜（300）; 通过蚀刻第二表面上的保护膜的部分，形成作为测量区域的第一开口和第二开口作为有源区域; 并使用剩余的保护膜作为蚀刻掩模蚀刻测量区域和有源区域，直到蚀刻所有金属膜。
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公开(公告)号：KR1020000031873A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980048124
申请日：1998-11-11
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B41J2/005
Abstract: PURPOSE: An ink jet printer head is provided to increase a yield rate and a resolution degree using a production technique of a semiconductor in a production process for producing an ink chamber unit and an ink channel and a nozzle necessary for producing an ink jet printer head, also to enable to produce a printer head of a high brightness with a low price. CONSTITUTION: A production method of an ink jet printer head comprises the steps of: forming a porous silicon area in a silicon wafer(101), forming a lower electrode(113) at the opposite surface of the silicon wafer, forming a piezoelectric film(115) on an upper end of the lower electrode, forming an upper electrode(117) on the upper end of the piezoelectric film, spreading a photoresist on the silicon wafer surface, removing the photoresist except the part bonded with the porous silicon, plating metal on the silicon wafer surface, and removing the porous silicon and the photoresist to produce the ink jet printer head. After removing the photoresist, a nozzle(122), an ink storage tank(123), an ink supply channel(125), and an ink chamber(127) are formed by etching the porous silicon area.
Abstract translation: 目的：提供一种喷墨打印机头，用于在用于生产墨水室单元和油墨通道的制造过程中使用半导体的生产技术提高成品率和分辨度，以及用于制造喷墨打印机头所需的喷嘴 ，也可以以低价格生产高亮度的打印机头。 构成：喷墨打印头的制造方法包括以下步骤：在硅晶片（101）中形成多孔硅区域，在硅晶片的相对表面形成下电极（113），形成压电膜（ 115），在压电薄膜的上端形成上部电极（117），在硅晶片表面上涂布光致抗蚀剂，除去与多孔硅结合的部分以外的光致抗蚀剂，电镀金属 在硅晶片表面上，并且去除多孔硅和光致抗蚀剂以产生喷墨打印头。 在除去光致抗蚀剂之后，通过蚀刻多孔硅区域形成喷嘴（122），墨水储存箱（123），墨水供应通道（125）和墨水室（127）。
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公开(公告)号：KR1020000014835A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980034451
申请日：1998-08-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/24 , G01J5/0853 , G01N27/046
Abstract: PURPOSE: A millimeter wave sensing apparatus and fabricating method of sensing sensor is provided to improve an electric power efficiency by connecting a heater between a bolometer and an antenna. CONSTITUTION: The millimeter wave sensing apparatus comprises a sensing layer formed in a home shape by etching a part of the silicon substrate, a dielectric layer deposited bottom of the sensing layer, a sensor reading circuit layer formed beneath the dielectric layer in a home shape by etching a part of the silicon substrate, a sensor for sensing a millimeter wave by forming a bottom of the dielectric layer, an insulating layer deposited in a bottom of the sensor reading circuit layer, a metal reflection layer reflecting the millimeter wave transmitted through the dielectric layer by locating at a quarter position of the wave length of the millimeter wave from the sensor.
Abstract translation: 目的：提供一种毫米波感测装置和感测传感器的制造方法，以通过在辐射热量计和天线之间连接加热器来提高电力效率。 构成：毫米波感测装置包括通过蚀刻硅衬底的一部分，感测层的沉积底部的介电层，以家庭形状的介电层下方形成的传感器读取电路层，以家庭形式形成的感测层， 蚀刻硅衬底的一部分，用于通过形成电介质层的底部来感测毫米波的传感器，沉积在传感器读取电路层的底部中的绝缘层，反射透过电介质的毫米波的金属反射层 通过定位在来自传感器的毫米波的波长的四分之一位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100243357B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970050372
申请日：1997-09-30
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명의 적외선 센서 어레이는 복수개의 홀을 갖고, 상기 홀마다 대응하여 도전성 페이스트가 채워진 마이크로 홀을 갖는 상부 그린 쉬트와, 상기 상부 그린 쉬트의 하부에 상기 홀에 대응하여 표면에 상부 전극이 형성되어 있고, 배면에는 하부 전극이 형성되어 있고, 상기 상부 전극은 상기 마이크로 홀에 연결되는 중간 그린 쉬트와, 상기 중간 그린 쉬트의 하부에 상기 중간 그린 쉬트에 대향하여 형성되고, 상기 하부 전극에 대향한 복수개의 홀을 갖고, 상기 홀마다 상기 하부 전극과 연결되고 도전성 페이스트가 채워진 마이크로 홀을 갖는 하부 그린 쉬트와, 상기 상부 그린 쉬트의 상부에 형성되는 필터를 포함한다. 본 발명의 적외선 센서 어레이는 테이프 캐스팅 방법을 이용하여 배선층이 포함된 세라믹 소자 및 필터를 직접 적층하는 일체형이기 때문에 세라믹 소자의 불필요한 배선에 의해 발생되는 기생 임피던스 성분을 최소화할 수 있고 PCB기판에 실장이 용이하다.
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公开(公告)号：KR1019980014330A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033265
申请日：1996-08-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G07D7/00
CPC classification number: G07D7/12 , G07D11/0036 , H04N5/33
Abstract: 본 발명은 이미지 센서를 채용한 지폐 식별기 및 그 제어 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 이미지 센서의 광원들인 하나이상의 가시광 LED와 적외선 LED를 구비하며, 이들을 순차적으로 전환하여 구동시킴으로써 지폐의 인식율을 향상시키고 지폐의 정사 정도에 영향을 적게 받도록 한 이미지 센서를 채용한 지폐 식별기 및 그 제어방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 지폐 식별기는, 소정의 지폐를 식별하기 위하여 상기 지폐의 이미지 데이터를 추출하는 이미지센서와, 상기 이미지센서가 지폐의 이미지 데이터를 추출할 수 있도록 소정의 반사광 또는 투과광을 제공하는 광원수단을 포함하여 된 지폐 식별기에 있어서, 상기 광원수단은, 입수되는 지폐의 한쪽 면상에 설치되어 상기 지폐로부터 반사된 광을 상기 이미지센서에 제공하는 하나이상의 반사광 수단(예를 들면, 적색 LED 및/또는 녹색 LED와 같은 가시광 LED)과, 상기 지폐의 다른 한쪽 면상에 설치되어 상기 지폐를 투과한 광을 상기 이미지센서에 제공하는 투과광 수단(예를 들면, 적외선 LED)를 구비하여 된 것을 특징으로 하며, 본 발명의 지폐 식별기 제어방법은, 상기 지폐에서 반사되는 광을 상기 이미지센서에 제공하는 상기 하나이상� �� 반사광 수단과, 상기 지폐를 투과하는 광을 상기 이미지 센서에 제공하는 상기 투과광 수단을 순차적으로 전환구동시켜 상기 이미지 센서에 반사광 및 투과광이 각각 순차적으로 제공되도록 한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101215922B1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020100078350
申请日：2010-08-13
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은제조공정을단순화시키고, 접합특성과감지특성을향상시킬수 있는정전용량형(capacitive type) 압력센서및 그의제조방법을제공하는데그 목적이있다. 이를위해, 본발명은홈부를구비한유리기판과, 상기홈부내에형성된상부전극과, 후면에멤브레인을구비한실리콘기판과, 상기실리콘기판의전면에이온주입공정을실시하여상기실리콘기판의전면으로부터일정깊이를갖도록상기실리콘기판내에서로이격되어형성된제1 및제2 하부전극을포함하고, 상기제1 및제2 하부전극의적어도일부가상기상부전극과대향되도록상기실리콘기판과상기유리기판이양극접합(anodic bonding)으로이종접합된정전용량형압력센서를제공한다. 따라서, 본발명은실리콘기판내에제1 및제2 하부전극을형성하고, 유리기판상에상부전극을형성하며, 상기실리콘기판과상기유리기판을양극접합으로이종접합시켜정전용량형압력센서를구현함으로써종래기술에따른실리콘융합접합방법(실리콘-실리콘접합)에비해공정을단순화시키고, 접합및 감도특성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101145667B1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：KR1020100025559
申请日：2010-03-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 산처리 과정을 포함하는 강유전체 박막 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 염기성을 가지는 표면을 식각하고 산성을 가지는 표면을 노출시키기 위해 기판 표면을 산처리하는 단계; 및 상기 산처리 과정을 거친 기판 상에 수열합성법에 의해 페로브스카이트형 강유전체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 강유전체 박막 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120015845A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020100078321
申请日：2010-08-13
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01L9/12 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , G01L19/0076 , H01L29/66007 , H01L29/84
Abstract: PURPOSE: A capacitive pressure sensor is provided to miniaturize a size by minimizing parasitic capacitance and to form a conductive sealing film in an anchor shape. CONSTITUTION: A capacitive pressure sensor comprises a substrate(110), a first insulating layer(111), a cavity(116), a second insulating layer(113), sealing films(117), and an upper electrode(115). The substrate is used as a lower electrode. The first insulating layer is formed on the substrate. The cavity is formed in the first insulating layer. The second insulating layer has an opening connected to the cavity and is formed on the first insulating layer to cover the cavity. The sealing films are formed using a conductive material. The upper electrode is electrically separated from the sealing films and is formed on the second insulating layer to be overlapped with the cavity.
Abstract translation: 目的：提供电容式压力传感器，通过最小化寄生电容并形成锚定形状的导电密封膜来使尺寸小型化。 构成：电容式压力传感器包括基板（110），第一绝缘层（111），空腔（116），第二绝缘层（113），密封膜（117）和上电极（115）。 基板用作下电极。 第一绝缘层形成在基板上。 空腔形成在第一绝缘层中。 第二绝缘层具有连接到空腔的开口，并形成在第一绝缘层上以覆盖空腔。 密封膜使用导电材料形成。 上电极与密封膜电隔离，并形成在第二绝缘层上以与空腔重叠。
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