Abstract:
본 발명은 쌍별 비교 데이터를 이용한 다중랭킹 추정 방법 및 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 따르면, 쌍별 비교 데이터에 관한 정보를 입력데이터로서 입력하는 단계; 및 상기 입력데이터에 기초하여 다중랭킹 데이터를 생성하는 단계;를 포함하고, 상기 입력데이터는, 복수의 응답자의 집합, 복수개의 아이템의 집합, 및 복수개의 아이템에 대한 복수개의 쌍별 비교 데이터의 집합을 포함하고, 상기 복수개의 쌍별 비교 데이터의 각각의 쌍별 비교 데이터는, 복수개의 판단기준 중 하나의 판단기준에 따라 두 개의 아이템 간의 선호도를 판단한 데이터인 것을 특징으로 하는 다중랭캥 추정 방법 및 이를 수행하는 장치를 제공한다.
Abstract:
본 발명은 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 페로브스카이트 박막 상에 패시베이션 층을 형성하여 상기 페로브스카이트 박막의 결함을 감소시킨 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 페로브스카이트 발광 소자 내의 패시베이션 층은 페로브스카이트 박막의 상부에 형성되어 페로브스카이트 나노결정입자의 결함을 제거해 주고 소자 내에서의 전하 불균형을 해소함으로써, 페로브스카이트 박막을 포함하는 발광 소자의 최대 효율 및 최대 휘도를 향상시킨다.
Abstract:
The present invention relates to an energy conversion device using a change of the contact surface with liquid and more specifically, to a device and a method of converting mechanical energy to electrical energy by applying the opposite phenomenon of electrowetting phenomenon. Provided is the energy conversion device which changes the contact surface with liquid between a pair of electrodes and applies the change of the contact surface therewith to generate electrical energy so that the present invention simplifies the device, reduces manufacturing costs and has less failure because the device does not require patterned electrodes on a clogging phenomenon, a lubricating layer or complex channels.
Abstract:
본 발명은 액체를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 함으로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있으며, 플렉서블 소자 구현이 가능하도록 하고, 소자의 구조를 간단하게 하여 대면적 적용이 용이하도록 한 장점이 있다.
Abstract:
The present invention relates to an energy converting apparatus using liquid and, more specifically, to an apparatus and a method for converting mechanical energy into electric energy by applying the opposition phenomenon to electrowetting. The energy converting apparatus changes a surface in contact with liquid between a pair of electrodes and utilizes the change in the surface in contact with liquid for generating electric energy, so that electrodes complexly patterned on a channel or a lubricating layer are not required or blockage of a channel is prevented. Therefore, the energy converting apparatus can provide less trouble, reduce manufacturing costs, have simplified equipment, make a flexible element, and be easily applied to a large area by simplifying a structure of an element.
Abstract:
본 발명은 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치를 개시한다. 본 발명은 샘플탑재부와, 내부에 챔버 공간을 가지며, 일정 간격을 가지고 이격 분리되어 형성된 하우징을 구비하되, 하우징은 적어도 2개의 영역으로 분리된 구조를 가지며, 일 영역에는 챔버 공간의 상부에는 상기 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 일영역 내부로 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스주입부를 구비하고, 다른 영역에는 자외선 램프부가 설치되지 않으며, 샘플탑재부는 샘플을 탑재한 상태에서 이동가능하게 구성된다.
Abstract:
Disclosed is an ultraviolet lamp device for sintering an oxide thin film using a solution process. The ultraviolet lamp device includes a sample mounting part; a housing which has a structure which surrounds the sample mounting part and includes a chamber space in side; an ultraviolet lamp part which faces the sample mounting part in the upper part of a chamber space and emits ultraviolet rays downwards; and an inert gas injection part which injects inert gas into a sample which is mounted on the sample mounting part and is formed in a region of the housing.
Abstract:
본 발명은 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소, 이를 이용한 광전자 소자, 및 트랜지스터 소자에 관한 것으로서, 종래의 단층 전이금속 칼코겐화합물을 바람직하게는 3층 이상의 다층으로 구성하여 복수의 투명전극 사이에 채널층으로 형성한 발명에 관한 것이다. 이를 위해 투명 전도성 물질로 이루어진 복수의 전극, 그리고, 다층 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenides)에 의해 상기 복수의 전극 사이에 채널이 형성되는 채널영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소자가 개시된다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film by using a low temperature process, the oxide thin film, and an electric device thereof are provided to prevent the deterioration of an oxide property by emitting an ultraviolet ray under an inert gas atmosphere. CONSTITUTION: An oxide solution (2) is coated on a substrate (10). The coated oxide solution is irradiated with an ultraviolet ray under an inert gas atmosphere. The wavelength of the ultraviolet ray is 150 to 260 nm. The holding time of the ultraviolet irradiation is 1 to 240 minutes. The inert gas atmosphere is a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, or a helium atmosphere. [Reference numerals] (AA) Inert gas atmosphere
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of thin film transistor and a thin film transistor manufactured by the same are provided to be applied to an OLED(Organic Light Emitting Diode) requiring great amount of current by offering a short channel thin film transistor having a channel width of less than 1μm while using general exposing device. CONSTITUTION: A gate electrode(120), a gate insulating layer(130), and a source electrode(140) are successively formed on a substrate(110). A photoresist layer for forming the channel region on the source electrode is formed. The source electrode is etched on the gate insulating layer in order to form the drain electrode.