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公开(公告)号：KR100504606B1
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020020085247
申请日：2002-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 알루미늄 배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 초순수에 알루미나, 세리아 및 지르코니아로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 금속산화물 미분말, 산화제, 킬레이트 착물, 글리콜 및 pH 조절제를 분산시켜 제조되며, 본 발명에서는 킬레이트 착물과 글리콜류를 병용함으로써 알루미늄 배선의 연마시 코로젼이나 심 등의 결함 없이 연마속도를 증가시키고 연마입자의 분산안정성 및 그에 따른 연마재현성을 개선하여, 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보하는 것을 가능케 하였다.
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公开(公告)号：KR100497409B1
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020020078420
申请日：2002-12-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 탈이온수에 분산된 연마제, 제 1 산화제, 제 2 산화제, 금속-킬레이트 착물, 및 pH 조절제를 포함하는 금속배선층 연마용 CMP 슬러리 조성물로서, 상기 연마제가 1차 입자의 비표면적이 90㎡/g 내지 300㎡/g인 발연 실리카 또는 지르코니아 미분말인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속배선층의 연마속도가 높고 연마속도 선택비가 우수하며 장기보관에 따른 연마속도 저하에 대한 우려가 없으므로, 반도체 공정에서 요구되는 연마속도를 안정적으로 얻을 수 있게 해준다.
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公开(公告)号：KR1020050032787A
公开(公告)日：2005-04-08
申请号：KR1020030068745
申请日：2003-10-02
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: Provided is a slurry composition for chemical mechanical polishing of metals, which shows high polishing rate without using an excessive amount of oxidant, reduces defects after polishing, and has improved dispersion stability, shelf stability and polishing reproducibility. The slurry composition for chemical mechanical polishing of metals comprises a metal oxide as polishing agent, a peroxide compound, inorganic acid and an organic acid having at least one carboxy group as oxidants, and deionized water. Particularly, the metal oxide is silica, alumina, ceria, titania or a mixture thereof, the peroxide is benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, sodium peroxide or a mixture thereof, the inorganic acid is nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid or a mixture thereof, and the organic acid is acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, or tartaric acid.
Abstract translation: 提供了一种用于金属化学机械抛光的浆料组合物，其在不使用过量氧化剂的情况下显示高抛光速率，减少了抛光后的缺陷，并且具有改善的分散稳定性，储存稳定性和抛光再现性。 用于金属化学机械抛光的浆料组合物包括作为抛光剂的金属氧化物，具有至少一个羧基作为氧化剂的过氧化物化合物，无机酸和有机酸以及去离子水。 特别地，金属氧化物是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或其混合物，过氧化物是过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠或其混合物，无机酸是硝酸，硫酸，盐酸， 磷酸或其混合物，有机酸为乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸或酒石酸。
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公开(公告)号：KR1020050030431A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：KR1020030066879
申请日：2003-09-26
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/24 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: Provided is a slurry composition for polishing a metal wire which is improved in the selectivity of polishing velocity to an insulating layer. The slurry composition comprises 1-25 wt% of a metal oxide fine powder; 0.1-10 wt% of a peroxide; 0.001-0.05 wt% of an inorganic acid; 0.01-10 wt% of a carboxylic acid; 0.01-1.0 wt% of a metal complex; 0.001-2.0 wt% of methyltrichlorosilane and/or trichloronitromethane; and the balance of deionized water. Preferably the metal oxide fine powder is silica, alumina, ceria, titania or their mixture; the peroxide is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide and sodium peroxide; the inorganic acid is at least one selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid; the carboxylic acid is at least one selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid and tartaric acid; and the metal complex is PDTA-Fe, EDTA-Fe, PDTA-Fe or EDTA-Mn.
Abstract translation: 提供一种用于抛光金属丝的浆料组合物，其提高了抛光速度对绝缘层的选择性。 浆料组合物包含1-25重量％的金属氧化物细粉末; 0.1-10重量％的过氧化物; 0.001-0.05重量％的无机酸; 0.01-10重量％的羧酸; 0.01-1.0重量％的金属络合物; 0.001-2.0重量％的甲基三氯硅烷和/或三氯硝基甲烷; 和去离子水的平衡。 优选地，金属氧化物细粉是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或它们的混合物; 过氧化物是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的至少一种; 无机酸是选自硝酸，硫酸，盐酸和磷酸中的至少一种; 羧酸是选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸和酒石酸中的至少一种; 金属络合物为PDTA-Fe，EDTA-Fe，PDTA-Fe或EDTA-Mn。
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公开(公告)号：KR100359219B1
公开(公告)日：2002-11-04
申请号：KR1020000083648
申请日：2000-12-28
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 (photoresist) 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (1)분자량 5000~30000인 히드록시스티렌/스티렌/t-부틸아크릴레이트 공중합체 또는 히드록시스티렌/스티렌/t-부틸메타크릴레이트 공중합체 분자간에 비스페놀-A 디에탄올디비닐에테르 또는 1,4-시클로헥산디메탄올디비닐에테르를 가교제로 도입하여 가교결합시켜 얻어진, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 분자량 7000~50000인 고분자 화합물 100중량부, (2)하기 화학식 5의 구조를 갖는 감광제 0.1~20중량부, (3)유기염기 0.01~10중량부 및 (4)유기용매 500~1000중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의하여 리소그라피 특성의 저하없이 저온에서 경화시켜도 우수한 잔막율을 유지하는 포토레지스트 조성물을 제공할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 화학식중 R
1 은 수소원자 또는 메틸기이고, R
2 는 t-부틸기 또는 메틸기이며, R
3 는 메틸기이고, X는 또는 이며, l, m 및 n은 각각 0.05≤m/l≤0.5 및 0.05≤n/l≤0.5를 만족시키는 정수임)
[화학식 5]
(상기 화학식중 Q
- 는 노나플레이트(nonaflate) 또는 10-캄파술포네이트(10-camphorsulfonate)이고, Me는 메틸기임)-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101279962B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080129219
申请日：2008-12-18
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 및 부식 억제제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 부식 억제제로 인산 또는 인산염을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선 연마 시의 연마 속도를 어느 정도 유지하면서 금속 배선에 대한 에칭 속도를 감소시킬 수 있으므로, 연마 속도 및 연마 후 금속 표면 특성이 우수한 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
금속 배선, CMP 슬러리, 부식 억제제, 인산 또는 인산염, 연마, 에칭, 표면 특성-
公开(公告)号：KR1020100071392A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130089
申请日：2008-12-19
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP)slurry composition is provided to apply the composition for polishing metal wiring with the excellent polishing speed. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing(CMP)slurry composition contains ultrapure water, an abrasive, an oxidizer, a chelating agent, a polishing speed improving agent, and a pH adjusting agent. The oxidizer is a peroxide compound and an inorganic acid. The chelating agent is carboxylic acid. The polishing speed improving agent is an iron compound selected from the group consisting of iron citrate, iron chloride, iron p-toluenesulfonic acid, iron acetate, ammonium iron citrate, iron sulfate, iron d-gluconate, and iron perchlorate. The pH adjusting agent is a basic compound.
Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光（CMP）浆料组合物，以优良的抛光速度应用抛光金属布线的组合物。 构成：化学机械抛光（CMP）浆料组合物含有超纯水，研磨剂，氧化剂，螯合剂，抛光速度改进剂和pH调节剂。 氧化剂是过氧化物和无机酸。 螯合剂是羧酸。 抛光速度改进剂是选自柠檬酸铁，氯化铁，对甲苯磺酸铁，乙酸铁，柠檬酸铁铵，硫酸铁，d-葡萄糖酸铁和高氯酸铁的铁化合物。 pH调节剂是碱性化合物。
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公开(公告)号：KR100791493B1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060003409
申请日：2006-01-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 연마압력이 감소하여도 연마율의 감소가 급격하지 않은 CMP 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 의하여 연마 시의 압력 감소에 따라 연마율이 급격하게 저하되는 금속이온 혹은 금속 착물을 배제하고, 유기 활성화제를 첨가함으로써, 저압에서 연마율의 향상을 이룰 수 있고, 평탄화 공정 후 불순물의 잔류를 최소화하여 반도체 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.
활성화제, 연마율, 신뢰성-
公开(公告)号：KR100623963B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050002949
申请日：2005-01-12
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 금속 산화제를 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 금속산화물 및 무기산, 두개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 탈이온수, 금속 산화제, 알카리 화합물, 및 지방산을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 구성에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 사용전에 별도의 산화제 혼합등의 추가 공정이 필요없이 바로 사용할 수 있으면서도 장시간 방치후에도 안정적인 연마성능을 가질 수 있는 슬러리의 조성이다. 또한 산화물 침식, 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
슬러리, 금속 산화제, 지방산, 연마제, CMP
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