公开(公告)号：KR1020050067847A

公开(公告)日：2005-07-05

申请号：KR1020030098871

申请日：2003-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 본 발명은 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물, 알코올, 카르복시산, 리놀레산, 무기 산화제, 금속 착화합물, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것이며, 본 발명에 의하면 텅스텐 배선의 CMP 공정시 스크래치 및 잔류 입자 등의 결함을 방지할 수 있으며, 금속산화물의 연마입자 침강 및 뭉침을 방지하여 저장안정성이 개선되는 효과를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050018361A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：KR1020030055759

申请日：2003-08-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: Provided is CMP slurry having uniform polishing performance and dispersion stability useful for enhancing polishing speed and flatness of surface of metallic wirings in CMP process. CONSTITUTION: The composition comprises 0.1-25 wt.% of metal oxide fine powder, 0.1-10 wt.% of peroxides, 0.001-0.1 wt.% of inorganic acid, 0.01-10 wt.% of carboxylic acid, 0.001-0.5 wt.% of metal complex, 0.001-0.1 wt.% of tetramethylammonium hydroxide(TMAH) as pH controller and the balance of deionized water. TMAH preferably improves slurry stability, thereby ensuring polishing reproduction and reduction of scratch. The carboxylic compound increase polishing velocity and optimize use of peroxides and organic oxidant to prevent corrosion or seam during CMP process.

Abstract translation: 目的：提供具有均匀抛光性能和分散稳定性的CMP浆料，其用于提高CMP工艺中金属配线表面的抛光速度和平坦度。 组成：组合物包含0.1-25重量％的金属氧化物细粉，0.1-10重量％的过氧化物，0.001-0.1重量％的无机酸，0.01-10重量％的羧酸，0.001-0.5重量％ ％的金属络合物，0.001-0.1重量％的四甲基氢氧化铵（TMAH）作为pH控制器，余量为去离子水。 TMAH优选提高浆料稳定性，从而确保抛光再生和减少划痕。 羧化合物增加抛光速度，并优化使用过氧化物和有机氧化剂，以防止CMP过程中的腐蚀或接缝。

公开(公告)号：KR1020090007065A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：KR1020070070683

申请日：2007-07-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  박명국 ,  김고은 ,  최정민 ,  양호석

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02043

Abstract: A cleaning solution composition for a semiconductor device and a semiconductor device cleaning method using the same are provided to effectively remove various photo-resist residue or etching residue remained on a semiconductor substrate after pattering various thin films on the semiconductor substrate through a photo-resist pattern. A cleaning solution composition for a semiconductor device includes 0.001~10 weight% fluorine group compound, 0.1~20 weight% hydroxide alkyl ammonium system compounds, 0.1~10 weight% inorganic acid, and water of the rest content. At this time, PH shows 4.0~ 6.0. The fluorine group compound comprises mixture of one or two selected from a group consisting of hydrofluoric acid, ammonium fluoride, middle ammonium fluoride, tetramethylammonium fluoride, fluoboric acid and fluorobenzene. The hydroxide alkyl ammonium system compound comprises mixture of one or two selected from a group consisting of teramethyl ammoniom hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, hydrooxide tetra octyl ammonium, hydroxide Benzyl-tri-ethyl-ammonium, hydroxide diethyl dimethyl ammonium, hydroxide hexadecyl trimethyl ammonium and hydroxide methyltri butylammonium.

Abstract translation: 提供一种半导体装置用清洗液组合物及其半导体装置的清洗方法，通过光刻胶图案，对半导体基板上的各种薄膜进行图案化以有效地去除残留在半导体基板上的各种光刻胶残渣或蚀刻残留物 。 用于半导体器件的清洁溶液组合物包括0.001〜10重量％的氟基化合物，0.1〜20重量％的氢氧化物烷基铵体系化合物，0.1〜10重量％的无机酸和余量的水。 此时，PH显示为4.0〜6.0。 氟基化合物包括选自氢氟酸，氟化铵，中氟化铵，四甲基氟化铵，氟硼酸和氟苯中的一种或两种的混合物。 氢氧化物烷基铵体系化合物包括选自三甲基氢氧化铵，四乙基氢氧化铵，四丙基氢氧化铵，氢氧化四辛基铵，氢氧化物的一种或两种的混合物。苄基 - 三乙基铵，氢氧化二乙基二甲基铵，氢氧化十六烷基三甲基 铵和氢氧化甲基三丁基铵。

公开(公告)号：KR100810680B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020060035515

申请日：2006-04-19

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김학수 ,  라정인 ,  이정민 ,  조영재 ,  양호석

IPC: H01M10/05

Abstract: 4.4V급의 고전압 적용시 우수한 사이클 특성을 가질 수 있는 리튬 2차전지용 비수성 전해액이 제공된다. 본 발명의 리튬 2차전지용 비수성 전해액은 유기용매, 리튬염, 및 하기의 화학식 1 내지 화학식 2에 나타낸 비스 트리플루오로알킬 벤젠 중 하나 이상을 포함한다.

리튬 2차전지, 전해액, 비스 트리플루오로알킬 벤젠, 사이클

Abstract translation: 提供了当施加4.4V的高电压时能够具有优异的循环特性的用于锂二次电池的非水电解液。 本发明的非可再充电锂电池，水电解溶液包含有机溶剂，锂盐，以及一种或多种式（1）至三氟由下面化学式2表示的烷基苯。

公开(公告)号：KR1020070103647A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：KR1020060035515

申请日：2006-04-19

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김학수 ,  라정인 ,  이정민 ,  조영재 ,  양호석

IPC: H01M10/05

CPC classification number: H01M10/052 ,  C07C22/00 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M2300/0034 ,  Y02E60/122

Abstract: A non-aqueous electrolyte for a lithium secondary battery is provided to impart excellent cycle characteristics to a battery having a cut-off voltage of 4.4V while maintaining the quality of the battery. A non-aqueous electrolyte for a lithium secondary battery comprises an organic solvent, a lithium salt, and at least one trifluoroalkyl benzene represented by the following formulae 1 and 2. The bistrifluoroalkyl benzene is used in an amount of 0.01-50 parts by weight based on 100 parts by weight of the organic solvent. The organic solvent includes a mixed solvent containing at least one organic cyclic carbonate solvent and at least one organic linear carbonate solvent in a ratio of 1:4-2:2.

Abstract translation: 提供了一种用于锂二次电池的非水电解质，以在保持电池质量的同时，对截止电压为4.4V的电池赋予良好的循环特性。 用于锂二次电池的非水电解质包括有机溶剂，锂盐和由下式1和2表示的至少一个三氟烷基苯。双三氟烷基苯的用量为0.01-50重量份，基于 在100重量份的有机溶剂中。 有机溶剂包括含有至少一种有机环状碳酸酯溶剂和至少一种有机线性碳酸酯溶剂的比例为1:4-2:2的混合溶剂。

公开(公告)号：KR100660753B1

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020040095971

申请日：2004-11-22

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 프로필렌글리콜을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 무기산, 하나 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 비이온계면활성제로서 프로필렌글리콜(Propylene Glycol), 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 CMP용 전구체 조성물 및 과산화 화합물을 더 첨가한 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어나고 연마 속도가 높으며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물, 프로필렌글리콜, 연마제, 산화제

公开(公告)号：KR1020060082451A

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：KR1020050002949

申请日：2005-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 본 발명은 금속 산화제를 함유하는 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 탈이온수를 용매로 하며, 금속산화물 및 무기산, 두개 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 탈이온수, 금속 산화제, 알카리 화합물, 및 지방산을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 구성에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 사용전에 별도의 산화제 혼합등의 추가 공정이 필요없이 바로 사용할 수 있으면서도 장시간 방치후에도 안정적인 연마성능을 가질 수 있는 슬러리의 조성이다. 또한 산화물 침식, 산화물 손실 등의 패턴 연마 특성이 우수하며, 반도체 제조공정에 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
슬러리, 금속 산화제, 지방산, 연마제, CMP

Abstract translation: 本发明涉及一种用于金属布线含有金属的氧化剂，和去离子水作为溶剂，金属氧化物和无机酸，具有至少两个羧基，去离子水，金属氧化剂，碱化合物的有机羧酸化合物，和脂肪酸磨料的CMP浆料组合物 本发明涉及金属丝抛光用浆料组合物。

公开(公告)号：KR1020060056781A

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：KR1020040095971

申请日：2004-11-22

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  강동헌 ,  이인경

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 본 발명은 프로필렌글리콜을 함유하는 금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 연마제로서 금속산화물, 산화제로서 무기산, 하나 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 비이온계면활성제로서 프로필렌글리콜(Propylene Glycol), 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 CMP용 전구체 조성물 및 과산화 화합물을 더 첨가한 슬러리 조성물을 개시한다.
본 발명에 의한 금속배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어나고 연마 속도가 높으며, 반도체 제조공정에 사용시 부식 또는 균열 등의 결함을 현저하게 감소시켜 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
금속배선 연마용 CMP 전구체 및 슬러리 조성물, 프로필렌글리콜, 연마제, 산화제

公开(公告)号：KR100552381B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030083024

申请日：2003-11-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 라정인 ,  이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 연마 재현성 및 저장안정성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않고 높은 연마속도를 제공할 수 있는 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 리간드 화합물로서 트리메틸실릴트리플루오로메탄 술포네이트, 연마제로서 금속산화물, 필요에 따라 글리콜 화합물, 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 에로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.
CMP, 슬러리, Metal, 텅스텐

公开(公告)号：KR1020050032787A

公开(公告)日：2005-04-08

申请号：KR1020030068745

申请日：2003-10-02

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이재석 ,  김원래 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: Provided is a slurry composition for chemical mechanical polishing of metals, which shows high polishing rate without using an excessive amount of oxidant, reduces defects after polishing, and has improved dispersion stability, shelf stability and polishing reproducibility. The slurry composition for chemical mechanical polishing of metals comprises a metal oxide as polishing agent, a peroxide compound, inorganic acid and an organic acid having at least one carboxy group as oxidants, and deionized water. Particularly, the metal oxide is silica, alumina, ceria, titania or a mixture thereof, the peroxide is benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, sodium peroxide or a mixture thereof, the inorganic acid is nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid or a mixture thereof, and the organic acid is acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, or tartaric acid.

Abstract translation: 提供了一种用于金属化学机械抛光的浆料组合物，其在不使用过量氧化剂的情况下显示高抛光速率，减少了抛光后的缺陷，并且具有改善的分散稳定性，储存稳定性和抛光再现性。 用于金属化学机械抛光的浆料组合物包括作为抛光剂的金属氧化物，具有至少一个羧基作为氧化剂的过氧化物化合物，无机酸和有机酸以及去离子水。 特别地，金属氧化物是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或其混合物，过氧化物是过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠或其混合物，无机酸是硝酸，硫酸，盐酸， 磷酸或其混合物，有机酸为乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸或酒石酸。