연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조방법
    11.
    发明授权
    연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조방법 失效
    具有增强抛光能力的金属化学机械抛光浆料组合物和改进的稳定性及其制备方法

    公开(公告)号:KR100442549B1

    公开(公告)日:2004-07-30

    申请号:KR1020020063159

    申请日:2002-10-16

    Abstract: 본 발명은 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 과산화수소, 철화합물, 이미다졸계 화합물, 및 탈이온수를 포함하고 pH가 2 내지 4인, 금속 연마를 위한 CMP용 슬러리 조성물로서, 연마성능이 우수하고, 화학적 및 분산 안정성이 우수한 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면, 비교적 소량의 산화제를 사용하면서도 우수한 연마성능을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 및 분산 안정성이 현저히 향상되어 조성물의 저장 안정성이 매우 우수한, 금속연마를 위한 CMP용 조성물을 제조할 수 있다.

    향상된 연마 선택비와 분산 안정성을 갖는 CMP 슬러리
    12.
    发明公开
    향상된 연마 선택비와 분산 안정성을 갖는 CMP 슬러리 有权
    具有改进的抛光选择性和分散稳定性的CMP浆料

    公开(公告)号:KR1020100067952A

    公开(公告)日:2010-06-22

    申请号:KR1020080126563

    申请日:2008-12-12

    Abstract: PURPOSE: CMP slurry is provided to improve polishing speed of a silicone oxide film, to enhance polishing selectivity between the silicon oxide film and a silicon nitride film, and to prevent a filter from being blocked in a filtering process for removing impurities. CONSTITUTION: CMP slurry includes a substance which is selected from a group comprising a pyridine-based compound and a benzoic acid-based compound and a nonionic compound which is selected from a group comprising polyoxypropylene ether and polyoxyethylene oxypropylene copolymer. The nonionic compound is selected from a group comprising a chemical formula 1 or a chemical formula 2. The chemical formula 1 is R(OCHCH_3CH_2)_n-OR and the chemical formula 2 is RO(CH_2CH_2O)_x(CH(CH_3)CH_2O)_y(CH_2CH_2O)_z-OR. In the chemical formula 1, R and R' are a hydrogen or an alkyl group with a carbon number of 1~18.

    Abstract translation: 目的:提供CMP浆料以改善氧化硅膜的抛光速度,以增强氧化硅膜和氮化硅膜之间的抛光选择性,并防止过滤器在用于除去杂质的过滤过程中被阻挡。 构成:CMP浆料包括选自吡啶类化合物和苯甲酸类化合物和选自包含聚氧丙烯醚和聚氧乙烯氧化丙烯共聚物的非离子化合物的基团的物质。 非离子化合物选自化学式1或化学式2的化合物。化学式1是R(OCHCH 3 CH 2)n -OR,化学式2是RO(CH 2 CH 2 O)_x(CH(CH 3)CH 2 O) (CH_2CH_2O)_z-OR。 在化学式1中,R和R'是氢或碳数为1〜18的烷基。

    내후성이 향상된 열가소성 수지 조성물
    13.
    发明公开
    내후성이 향상된 열가소성 수지 조성물 失效
    具有改善耐候性的热塑性树脂组合物

    公开(公告)号:KR1020080112842A

    公开(公告)日:2008-12-26

    申请号:KR1020070061798

    申请日:2007-06-22

    Abstract: A thermoplastic resin composition is provided to be used for exteriors of automobile and construction materials which require excellent weather resistant and to ensure property balance including mobility, heat resistance, and impact strength. A thermoplastic resin composition with excellent weather resistant comprises (A) 20~30 parts by weight of an acrylic graft-copolymer grafted with a monomer mixture consisting of a vinyl aromatic compound and a vinyl cyanide compound to an acrylic rubber; (B) 5~20 parts by weight of a diene graft-copolymer grafted with a monomer mixture consisting of a vinyl aromatic compound and a vinyl cyanide compound to a diene-based rubber; (C) 35~70 parts by weight of a vinyl cyanide compound - aromatic vinyl compound copolymer; and (D) 10~30 parts by weight of an alkyl acrylate - vinyl cyanide compound - aromatic vinyl compound copolymer blend.

    Abstract translation: 提供一种热塑性树脂组合物,用于需要优异耐候性的汽车和建筑材料的外观,并确保包括流动性,耐热性和冲击强度在内的物性平衡。 具有优异耐候性的热塑性树脂组合物包含:(A)20〜30重量份的丙烯酸接枝共聚物,其与由乙烯基芳族化合物和乙烯基氰化合物组成的单体混合物接枝到丙烯酸橡胶上; (B)将5〜20重量份的由乙烯基芳族化合物和乙烯基氰化合物组成的单体混合物接枝到二烯系橡胶上的二烯接枝共聚物; (C)35〜70重量份的乙烯基氰化合物 - 芳族乙烯基化合物共聚物; 和(D)10〜30重量份的丙烯酸烷基酯 - 乙烯基氰化合物 - 芳族乙烯基化合物共聚物共混物。

    다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
    16.
    发明授权
    다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 有权
    用于抛光聚硅氧烷膜的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR100827594B1

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:KR1020060109195

    申请日:2006-11-07

    Inventor: 정재훈 이인경

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02 H01L21/3212

    Abstract: A CMP slurry composition for polishing polycrystalline silicon (or polysilicon), and a method for preparing the composition are provided to improve the polishing selectivity of polycrystalline silicon to an oxide layer and polishing uniformity. A CMP slurry composition for polishing polycrystalline silicon comprises ultrapure water; a metal oxide; a pH controller; a fluorine-based surfactant; and an ammonium-based surfactant represented by [(NR^2R')2C3H5O]Cl, wherein R and R' are a C1-C20 alkyl group. Preferably the fluorine-based surfactant is a nonionic perfluoroalkane sulfonyl compound represented by CF3(CF2)nSO2X, wherein X is COOR, OR, (OCH2CH2)mOCH2CH3 or (OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3; R is a C1-C20 alkyl group; and m is 1-100.

    Abstract translation: 提供了用于研磨多晶硅(或多晶硅)的CMP浆料组合物及其制备方法,以提高多晶硅对氧化物层的抛光选择性和抛光均匀性。 用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物包括超纯水; 金属氧化物; pH控制器 氟类表面活性剂; 和由[(NR 2 R 2')2C 3 H 5 O] Cl表示的铵基表面活性剂,其中R和R'是C 1 -C 20烷基。 优选氟系表面活性剂是由CF 3(CF 2)n SO 2 X表示的非离子全氟烷烃磺酰化合物,其中X是COOR,OR,(OCH2CH2)mOCH2CH3或(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3; R是C1-C20烷基; m为1-100。

    쉬트 외관 및 용융 특성이 우수한 메타크릴계 수지 및 그제조방법
    17.
    发明公开
    쉬트 외관 및 용융 특성이 우수한 메타크릴계 수지 및 그제조방법 有权
    优质片材外观甲基丙烯酸树脂及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020070060276A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020050119467

    申请日:2005-12-08

    Abstract: Provided are a methacrylic resin, which is improved in both sheet appearance and melt elongation characteristics by using monofunctional unsaturated monomers and a mixture of chain transfer agents properly, and a preparation thereof. The methacrylic resin comprises (A) 50-99.9 parts by weight of alkyl methacrylate, (B) 0.1-50 parts by weight of alkyl acrylate, and (C) 0.02-10 parts by weight of a mixture of an aromatic chain transfer agent and a chain transfer agent containing a thiol functional group based on 100 parts by weight of the components (A)+(B). The resin further comprises 0.002-0.2 parts by weight of a suspension stabilizer based on 100 parts by weight of the components (A)+(B).

    Abstract translation: 提供了通过使用单官能不饱和单体和适当的链转移剂的混合物来改善片材外观和熔体伸长特性的甲基丙烯酸树脂及其制备方法。 甲基丙烯酸树脂包含(A)50-99.9重量份的甲基丙烯酸烷基酯,(B)0.1-50重量份的丙烯酸烷基酯,和(C)0.02-10重量份的芳族链转移剂和 基于100重量份组分(A)+(B)的含硫醇官能团的链转移剂。 基于100重量份的组分(A)+(B),树脂还包含0.002-0.2重量份的悬浮稳定剂。

    다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
    18.
    发明授权
    다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 有权
    다결정실리콘연마용CMP슬러리조성물및이의제조방

    公开(公告)号:KR100643628B1

    公开(公告)日:2006-11-10

    申请号:KR1020050105280

    申请日:2005-11-04

    Abstract: Provided are a CMP slurry composition for polishing polycrystalline silicon which is improved in polishing uniformity and selectivity by reducing the surface defect of a wafer, and its preparation method. The CMP slurry composition comprises a metal oxide; a quaternary ammonium base compound; and 0.001-1 wt% of a fluorine-based surfactant represented by CF3(CF2)nSO2X, wherein n is 1-20; X is COOR, RO, (OCH2CH2)n' or (OCH2CH(OH)CH2)n'; R is a C1-C20 alkyl group; and n' is 1-100. Preferably the metal oxide is at least one selected from the group consisting of SiO2, Al2O3, CeO2, ZrO2 and TiO2 and has a primary particle size of 10-200 nm and a specific surface area of 10-300 m^2/g; and the quaternary ammonium base compound is at least one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide.

    Abstract translation: 本发明提供一种用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物,其通过减少晶片的表面缺陷而提高抛光均匀性和选择性,及其制备方法。 CMP浆料组合物包含金属氧化物; 季铵碱化合物; 和0.001-1重量%的由CF 3(CF 2)n SO 2 X表示的氟基表面活性剂,其中n为1-20; X是COOR,RO,(OCH 2 CH 2)n'或(OCH 2 CH(OH)CH 2)n'; R是C1-C20烷基; 和n'是1-100。 优选金属氧化物为选自SiO 2,Al 2 O 3,CeO 2,ZrO 2和TiO 2中的至少一种,其一次粒径为10-200nm,比表面积为10-300平方公尺/ g; 并且季铵碱化合物是选自氢氧化四甲基铵,氢氧化四乙基铵,氢氧化四丙基铵和氢氧化四丁基铵中的至少一种。

    결함 발생률이 낮은 CMP 슬러리 조성물 및 그 제조방법
    19.
    发明授权
    결함 발생률이 낮은 CMP 슬러리 조성물 및 그 제조방법 有权
    具有低缺陷发生率的CMP浆料及其相同方法

    公开(公告)号:KR100627589B1

    公开(公告)日:2006-09-25

    申请号:KR1020040118081

    申请日:2004-12-31

    Abstract: 본 발명은 금속산화물, 수산화 화합물, 유기 화합물 및 초순수를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 지방산과 식물성 오일이 포함된 계면활성제를 0.01 내지 1 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 CMP 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 의하면, CMP 슬러리 조성물 제조시에 지방산(Fatty acid) 및 식물성 오일(vegetable type oil) 이 포함된 계면활성제를 첨가하고, 상온에서 12시간 이상 안정화 공정을 거침으로서 CMP 공정의 결함 발생률을 낮추고, 연마 균일도를 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
    CMP, 슬러리, 금속산화물, 수산화 화합물, 유기 화합물, 지방산(Fatty acid) 와 식물성 기름(vegetable type oil)이 포함된 계면활성제

    구리 배선 연마용 CMP 슬러리
    20.
    发明授权
    구리 배선 연마용 CMP 슬러리 有权
    用于抛光Cu线的CMP浆料

    公开(公告)号:KR100611466B1

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:KR1020030100337

    申请日:2003-12-30

    Abstract: 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미나가 함침된 콜로이드성 금속산화물, 선택비 향상제, 산화제, 유/무기산, 폴리에틸렌 글리콜 및 탈이온수를 포함하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로 본 발명의 CMP 슬러리를 사용하면 연마 성능 및 선택비를 개선하는 효과를 제공할 수 있다.
    구리 배선, CMP 슬러리, 알루미나 함침, 선택비 향상제, 산화제, 폴리에틸렌 글리콜, 연마 선택비

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