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公开(公告)号：KR102226206B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020200093129
申请日：2020-07-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L27/095
Abstract: 적어도 1개의이중 PN 접합을포함하는반도체층; 및상기반도체층과동시에접촉하는애노드및 캐소드를포함하고, 상기반도체층과상기애노드와의접합은쇼트키접합, 상기캐소드와의접합은오믹접합인것을특징으로하는, 이중 PN 접합을포함하는메모리소자및 그구동방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR102000882B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020180139254
申请日：2018-11-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/321 , H01L21/67 , C23C14/24
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公开(公告)号：KR1020170029972A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150127219
申请日：2015-09-08
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 비대칭수직나노선어레이를이용한열전소자및 이의제조방법을제공한다. 비대칭수직나노선어레이를이용한열전소자는벌크기판, 벌크기판은서로이격배치된, 도핑된기판영역들을포함하고, 상기도핑된기판영역들상에각각수직으로형성된 n형및 p형비대칭수직나노선어레이, 비대칭수직나노선어레이의나노선들사이를채우고있는열보호막, 상기비대칭수직나노선어레이의각 상단에따로분리되어접하는열방출부및 비대칭수직나노선어레이의하단과연결된도핑된기판영역들이모두동시에접하는열흡수부를포함하고, 비대칭수직나노선어레이는나노선상단의직경과하단의직경이서로다른것을특징으로하는비대칭수직나노선열전소자를포함한다. 이에따라, 열전변환효율과출력량을향상시킬수 있다. 또한, 비대칭수직실리콘나노선, 실리콘열흡수부및 실리콘열방출부를일체형으로제작함으로써, 소자의대량생산이가능하게하고, 나아가, 소자의단가를감소시킴으로써, 상용화에유리한열전소자및 그제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种使用不对称垂直纳米线阵列的热电装置及其制造方法。 使用非对称的垂直纳米线阵列的热电器件是体衬底，体衬底被彼此设置的间隔开的，它包括掺杂的基底区域中，并且形成在每个直立到掺杂衬底区域的n型和p型非对称垂直纳米线 阵列，非对称垂直和底部，并连接到热发射部分和不对称的垂直纳米线阵列触点的所述掺杂衬底区域分别是在每个导线之间填充所述纳米柱保护层的顶部的，线阵列的不对称垂直纳米线阵列都 并且不对称垂直纳米线阵列包括不对称垂直纳米线热电元件，所述不对称垂直纳米线热电元件在纳米线的上端处具有直径并且下端处的直径彼此不同。 结果，可以提高热电转换效率和输出量。 此外，通过使所述非对称垂直硅纳米线，单件硅热吸收元件和所述从而能够大量生产该装置的的硅热释放部件，进一步地，减少了装置的成本，良好的热电装置和制造的商品化的方法 可以提供。
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公开(公告)号：KR1020130020458A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110083105
申请日：2011-08-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L31/022466 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/0547 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric conversion efficiency by forming each tilt sidewall of a plurality of silicon nanowires. CONSTITUTION: A rear electrode(600) is formed on one side of a substrate. A p-type semiconductor layer includes a plurality of nanowires which are vertically arranged on the rear of the substrate. An n-type semiconductor layer(300) is formed on the p-type semiconductor along the surface of the plurality of nanowires. A front electrode(500) is formed on the n-type semiconductor layer. An insulation layer(700) covers the front electrode and the n-type semiconductor layer and fills a space between the plurality of nanowires.
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过形成多个硅纳米线的每个倾斜侧壁来提高光电转换效率。 构成：背面电极（600）形成在基板的一侧。 p型半导体层包括垂直布置在基板的后部的多个纳米线。 沿着多个纳米线的表面在p型半导体上形成n型半导体层（300）。 在n型半导体层上形成有前电极（500）。 绝缘层（700）覆盖前电极和n型半导体层，并填充多个纳米线之间的空间。
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公开(公告)号：KR1020120117231A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110034860
申请日：2011-04-14
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N27/30 , G01N27/406 , B82B1/00
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y40/00 , G01N27/06 , G01N27/3278 , G01N33/48707 , H01L29/66477
Abstract: PURPOSE: A nano wire sensor having a nano wire of a network structure and a manufacturing method thereof are provided to make an object material react to a detection material in a lateral surface and lower part of a nano wire because the nano wire maintains an original structure without being bent or transformed even the length of a channel is long. CONSTITUTION: A nano wire sensor having a nano wire of a network structure comprises a source electrode(30-1), a drain electrode(30-2), and a probe material(40). The source electrode and drain electrode are formed on the top of a substrate(10). The nano wire is formed in between the source and drain electrodes into a network structure in which patterns of a cross point repeat. The detection material is fixed to the nano wire and selectively reacts with an object material(41) flowing in from outside.
Abstract translation: 目的：提供一种具有网络结构的纳米线及其制造方法的纳米线传感器，以使得物体材料与纳米线的侧表面和下部的检测材料反应，因为纳米线保持原始结构 即使通道的长度长，也不会弯曲或变形。 构成：具有网络结构的纳米线的纳米线传感器包括源电极（30-1），漏电极（30-2）和探针材料（40）。 源电极和漏电极形成在衬底（10）的顶部上。 纳米线形成在源电极和漏电极之间的网络结构中，其中交叉点的图案重复。 检测材料固定在纳米线上，并与从外部流入的物体（41）选择性地反应。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101936466B1
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：KR1020160125995
申请日：2016-09-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01J1/44 , H01L29/06 , H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR1020160001472A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：KR1020140080076
申请日：2014-06-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/78 , H01L29/78696 , H01L33/24 , H01L33/34
Abstract: 본발명에따른전자소자는기판, 기판위에형성되어있으며복수의선형반도체가교차결합된복수의교차점을가지는망형반도체, 망형반도체와전기적으로연결되어있는제1 전극및 제2 전극을포함한다.
Abstract translation: 提供一种电子设备，其包括通过提供可沿水平方向灵活移动的半导体的具有弹性和柔性的半导体。 根据本发明，电子设备包括：基板; 网状半导体，其形成在基板上，并且具有多个交点连接的多个线性半导体; 以及电连接到网络型半导体的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：KR101444260B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020120140109
申请日：2012-12-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N27/414
CPC classification number: H01L29/775 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , H01L29/66439
Abstract: 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노선의 적층으로 3차원 구조로 형성하여 직선형 나노선 센서에 비하여 넓은 노출 표면적을 갖도록 함으로써 대상물질이 나노선에 부착되는 확률을 높이고 이를 통해 측정 감도를 향상할 수 있는 구조의 나노선을 갖춘 나노선 센서를 제공하여 나노선의 전기전도도(conductance 또는 resistance)의 변화를 더욱 민감하게 감지할 수 있어서 센서의 감도를 높일 수 있는 장점이 있다
또한, 상층부 나노선의 경우 매질이 나노선의 상부 및 측면부 뿐 아니라 하부에도 차게 되어 소자의 동작이 GAA(Gate-all-around) 와 같이 되어, 나노선의 게이트 제어능력이 향상됨에 따라 감도가 증가하게 된다.
또한, 병렬로 배치된 나노선의 영향으로 높은 전도도를 갖는 나노선이 전체 소자의 전도도에 영향을 미치게 되므로, 소자의 켜짐 특성이 병렬 연결된 나노선 중 우수한 성능의 나노선에 의하여 주요한 영향을 받아 평균적인 소자의 켜짐 특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
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