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公开(公告)号：KR101510991B1
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020140055231
申请日：2014-05-09
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/063
Abstract: 저항변화메모리를이용하는신경회로망형태분류기및 이를이용하여입력패턴의형태를분류하는방법이개시된다. 입력벡터에대한가중치의부여는시냅스를통해수행된다. 시냅스는저항변화메모리로구성되며, 셋펄스의인가에따라점진적으로저항이감소하고, 리셋펄스의인가에따라점진적으로저항이증가하는양상을가진다. 시냅스에연결된뉴런부는임피던스소자를가진다. 임피던스소자는저항변화메모리로구성되며, 셋전압의인가에의해저저항상태를구현하고, 리셋전압의인가에의해고저항상태를구현한다. 이를통해입력패턴의형태분류는임계전압과출력에서발생되는전압의비교를통해이루어진다.
Abstract translation: 公开了使用电阻变化存储器的神经元网络形式分类器和通过使用它来对输入模式的形式进行分类的方法。 通过突触进行加权值到输入向量的应用。 突触由电阻变化存储器形成，根据设定脉冲的应用，电阻逐渐降低，并且根据复位脉冲的应用，电阻逐渐增加。 连接到突触的神经元部分具有阻抗元件。 阻抗元件由电阻变化存储器形成，通过施加设定电压使其成为低电阻状态，并通过施加复位电压而成为高电阻状态。 因此，通过阈值电压和从输出产生的电压之间的比较来分类输入模式的形式。
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公开(公告)号：KR101316375B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020110083105
申请日：2011-08-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L31/022466 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/0547 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 양 측벽이 경사지게 형성되어 비대칭 구조를 가지는 복수개의 실리콘 나노와이어를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 태양전지는 측벽이 경사를 가지는 복수개의 나노와이어를 포함함으로써 반도체층과 투명 전극층 간의 굴절률 차이에 의한 빛의 전반사 현상을 통해 입사된 빛을 pn 접합부로 집중시킬 수 있으며, 빛의 이동 거리가 증가에 따른 광흡수율 증가로 광전변환효율이 향상된다. 또한, 본 발명에 의한 태양전지의 제조방법은 p형 기판을 사용하고 이를 식각하여 p형 반도체층을 형성함으로써 제조원가의 절감 및 간단하고 용이한 방법으로 다양한 형태의 측벽 경사 구조를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101263188B1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：KR1020110034860
申请日：2011-04-14
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N27/30 , G01N27/406 , B82B1/00
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y40/00 , G01N27/06 , G01N27/3278 , G01N33/48707 , H01L29/66477
Abstract: 본발명은반복되는패턴을갖는네트워크구조의나노선을사용함으로써높은효율과구조적안정성을얻을수 있는네트워크구조의나노선을구비한나노선센서에관한것으로, 기판상부에형성된소스전극및 드레인전극, 상기소스전극및 드레인전극사이에형성되며, 교차점의패턴이반복되는네트워크구조로형성된나노선및 상기나노선에고정되며외부에서유입되는대상물질과선택적으로반응하는탐지물질을포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101124434B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020100005077
申请日：2010-01-20
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 전치 왜곡기의 비선형 경로에 트랜지스터와 신호 지연이 다른 전송선로를 연결하여 전력 증폭기의 메모리 효과(memory effect)를 보상할 수 있는 전치 왜곡 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면은, 전력 증폭기로 입력되는 신호를 제 1 신호와 제 2신호로 분배하는 제 1 전력 분배기, 제 2 신호를 입력 받아 복수개의 신호로 분배하고 트랜지스터로 구성된 복수개의 왜곡 발생기를 이용하여 서로 상이한 지연을 갖는 복수개의 왜곡 신호를 발생시키고 상기 복수개의 왜곡 신호를 결합시키는 제 2 경로부, 제 1 신호를 입력 받아 제 2 경로부만큼 상기 제 1 신호를 지연시키는 제 1 경로부, 및 제 1 경로부 및 제 2 경로부의 출력을 결합하는 제 1 전력 결합기를 포함하는 전력 증폭기의 메모리 효과를 보상하기 위한 전치 왜곡 시스템을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101124425B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100005078
申请日：2010-01-20
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F3/602 , H03F1/0288 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2200/543 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142
Abstract: 본 발명은 제 1 도허티 전력 증폭기와 제 2 도허티 전력 증폭기를 분포 구조로 연결하여 광대역 특성을 나타내고 선형성을 개선시키는 전력 증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면은, 제 1 증폭기, 제 1 증폭기와 병렬로 연결된 제 2 증폭기, 제 1 증폭기의 입력과 제 2 증폭기의 입력 사이에 연결되어 제 2 증폭기의 입력을 위상 반전시키는 제 1 시프트부, 및 제 1 증폭기의 출력과 제 2 증폭기의 출력 사이에 연결되어 제 2 증폭기의 출력을 위상 반전시키는 제 2 시프트부를 포함하고, 제 1 증폭기와 제 2 증폭기는 도허티 증폭기이고, 도허티 증폭기는 병렬로 연결된 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기를 포함하는 분포 도허티 전력 증폭기를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101091971B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020100051980
申请日：2010-06-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A double Doherty power amplifier is provided to perform a switch role according to the size of an input signal through a drive amplifier using a Doherty power amplifier as a main peaking power amplifier. CONSTITUTION: A double Doherty power amplifier comprises a first hybrid power divider(501), a first λ/2 transmission line(502), and a drive amplifier(503). The double Doherty power amplifier comprises a main carrier amplifier(504), a first transmission line(505), and a main peaking amplifier(506). The double Doherty power amplifier comprises a first λ/4 transmission line(507), a fourth transmission line(508), and a fourth λ/4 transmission line(509). The drive amplifier comprises a drive carrier amplifier(503a) and a drive peaking amplifier(503b). The main peaking amplifier comprises a second hybrid power divider(506a), a peaking amplifier(506b), a second transmission line(506c), a carrier amplifier(506d), a third transmission line(506e), a second λ/4 transmission line(506f), and a third λ/4 transmission line(506g).
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公开(公告)号：KR1020110132139A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100051980
申请日：2010-06-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/211 , H03F3/602 , H03F2200/192 , H03F2200/543
Abstract: 본 발명은 전력증폭기의 효율을 증가시키기 위해 일반적인 도허티 전력증폭기의 피킹 증폭기에 도허티 전력증폭기를 사용함으로써 넓은 출력범위에서 높은 효율을 얻을 수 있도록 한 이중 도허티 전력증폭기에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 입력 신호의 전 범위에서 동작하는 제 1 경로부; 포화전력에서 6-dB BOP 지점에서부터에서 동작하는 제 2 경로부; 상기 제 1 경로부 및 상기 제 2 경로부에 상기 입력 신호를 분배하기 위한 제 1 하이브리드 전력 분배기; 및 상기 제 1 경로부에 포함된 주 캐리어 증폭기 및 상기 제 2 경로부에 포함된 주 피킹 증폭기를 제어하기 위한 구동증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 目的：提供双Doherty功率放大器，通过使用Doherty功率放大器作为主峰值功率放大器，通过驱动放大器根据输入信号的大小执行开关角色。 构成：双Doherty功率放大器包括第一混合功率分配器（501），第一λ/ 2传输线（502）和驱动放大器（503）。 双Doherty功率放大器包括主载波放大器（504），第一传输线（505）和主峰值放大器（506）。 双Doherty功率放大器包括第一λ/ 4传输线（507），第四传输线（508）和第四λ/ 4传输线（509）。 驱动放大器包括驱动载波放大器（503a）和驱动峰值放大器（503b）。 主峰值放大器包括第二混合功率分配器（506a），峰化放大器（506b），第二传输线（506c），载波放大器（506d），第三传输线（506e），第二λ/ 4传输 线（506f）和第三λ/ 4传输线（506g）。
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公开(公告)号：KR100766201B1
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：KR1020050107022
申请日：2005-11-09
Applicant: 학교법인 포항공과대학교 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H03F3/20
Abstract: 본 발명은 알에프 전력 증폭기에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 알에프 전력 증폭기에서 원천 주파수 성분만의 위상 변화를 측정하거나 혹은 알에프 전력 증폭기에서 기준 신호가 상쇄될 때의 상대적인 위상 정보만을 획득하는 방식으로 위상 변화를 측정하는 종래 방법과는 달리, 알에프 전력 증폭기에서, 임의의 톤 간격을 갖는 투 톤 신호를 전력 증폭기에 인가하고, 원천 주파수의 3차 혼변조 왜곡 신호를 특정 주파수 위에 위치시킨 후에, 전력 증폭기의 전, 후에서의 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값을 검출하고, 검출된 위상 차이값 중 실제 값을 판별하며, 판별된 실제 값을 상기 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값으로 저장한 후에, 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 신호를 특정 주파수로 위치시키고, 전력 증폭기의 전, 후에서의 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값을 검출하며, 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분 및 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값에 따라 위상 변화를 측정함으로써, 알에프 전력 증폭기에서 주전력 증폭기의 전, 후에서의 원천 주파수 성분뿐만 아니라 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 변화도 측정할 수 있는 것이다.
알에프 증폭기, 원천 주파수(fundamental frequency), 3차 혼변조 왜곡 성분 (3rd order intermodulation distortion), 위상 검출기-
公开(公告)号：KR101444260B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020120140109
申请日：2012-12-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N27/414
CPC classification number: H01L29/775 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , H01L29/66439
Abstract: 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노선의 적층으로 3차원 구조로 형성하여 직선형 나노선 센서에 비하여 넓은 노출 표면적을 갖도록 함으로써 대상물질이 나노선에 부착되는 확률을 높이고 이를 통해 측정 감도를 향상할 수 있는 구조의 나노선을 갖춘 나노선 센서를 제공하여 나노선의 전기전도도(conductance 또는 resistance)의 변화를 더욱 민감하게 감지할 수 있어서 센서의 감도를 높일 수 있는 장점이 있다
또한, 상층부 나노선의 경우 매질이 나노선의 상부 및 측면부 뿐 아니라 하부에도 차게 되어 소자의 동작이 GAA(Gate-all-around) 와 같이 되어, 나노선의 게이트 제어능력이 향상됨에 따라 감도가 증가하게 된다.
또한, 병렬로 배치된 나노선의 영향으로 높은 전도도를 갖는 나노선이 전체 소자의 전도도에 영향을 미치게 되므로, 소자의 켜짐 특성이 병렬 연결된 나노선 중 우수한 성능의 나노선에 의하여 주요한 영향을 받아 평균적인 소자의 켜짐 특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR101145666B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020110016645
申请日：2011-02-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F1/0266 , H03F2200/18
Abstract: PURPOSE: A three-stage GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) Doherty power amplifier for high frequency applications is provided to be operated in a high frequency more than 3ghz by using a GaN HEMT power device. CONSTITUTION: A 3-stage Doherty power amplifier includes a 10-dB power divider(301), a drive amplifier(302), and a gate bias controller(303). The 3-stage Doherty power amplifier includes a first λ/4 transmission line(304), a delay line(305), and a hybrid 3-dB power divider(306). The 3-stage Doherty power amplifier includes an input matching circuit(307), a carrier amplifier(308), and a first peaking amplifier(309). The 3-stage Doherty power amplifier includes a second peaking amplifier(310), an output matching circuit(311), and an output λ/4 transmission line(312).
Abstract translation: 目的：通过使用GaN HEMT功率器件，高频应用的三级GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）Doherty功率放大器以高于3GHz的高频率工作。 构成：3级Doherty功率放大器包括10-dB功率分配器（301），驱动放大器（302）和栅极偏置控制器（303）。 3级Doherty功率放大器包括第一λ/ 4传输线（304），延迟线（305）和混合3dB功率分配器（306）。 3级Doherty功率放大器包括输入匹配电路（307），载波放大器（308）和第一峰值放大器（309）。 3级Doherty功率放大器包括第二峰值放大器（310），输出匹配电路（311）和输出λ/ 4传输线（312）。
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