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公开(公告)号：KR101493837B1
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130144711
申请日：2013-11-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 저온에서 광전류 및 광전압을 측정하고 이미징하는 장치 및 방법에 관한 것으로 크라이오스탯을 사용하여 저온의 샘플에 레이저를 입사하여 발생하는 광전류와 샘플에서 반사된 레이저를 포토다이오드 등을 통해 이미지 전압신호를 샘플 표면에 입사하는 빛의 위치를 이동하여 스캐닝하면서 연속적으로 검출하고, 상기 광전류 및 이미지 전압신호를 데이터화하여 광전류 이미지 및 반사 이미지를 도출하는 것을 특징으로 하는 저온에서 광전류 및 광전압을 측정하고 이미징하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及在低温下的光电流和光电压的显微镜和扫描。 作为激光产生的光电流使用低温恒温器在低温下被射入样品，并且通过光电二极管等从来自样品的反射激光产生的图像电压信号被连续地检测为入射光在样品表面上的位置 被传送和扫描。 将光电流和图像电压信号转换为数据，从而产生光电流图像和反射图像。
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12.发明公开혈관성장인자 감지를 위한 압타머 기반의 암 진단용 실리콘나노와이어 바이오센서, 이의 제조방법 및 이를 이용한 혈관 성장인자 검출방법 失效基于APTAMER的硅纳米生物传感器，用于根据VEGF的检测进行的癌症诊断及其制造方法和使用该方法检测VEGF
公开(公告)号：KR1020100045831A
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020080104946
申请日：2008-10-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N33/50 , G01N27/26 , G01N33/68 , G01N33/574
Abstract: PURPOSE: A silicon nanowire biosensor for diagnosing cancer is provided to selectively detect vascular endothelial growth factor(VEGF) and early diagnose various kinds of cancer. CONSTITUTION: A silicon nanowire transistor biosensor contains source, drain, gate, a field effect transistor having a channel area between the source and drain, and an RAN aptamer which selectively binds with fixed VEGF on the surface of silicon nano wire. The RNA aptamer is Pegaptanib Sodium.
Abstract translation: 目的：提供用于诊断癌症的硅纳米线生物传感器，以选择性检测血管内皮生长因子（VEGF）并早期诊断各种癌症。 构造：硅纳米线晶体管生物传感器包含源极，漏极，栅极，具有源极和漏极之间的沟道区域的场效应晶体管，以及选择性地与硅纳米线表面上的固定VEGF结合的RAN适体。 RNA适体是哌加他滨钠。
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13.发明公开니켈 실리사이드 나노 구조체를 포함하는 전자 방출원,이를 이용한 전자 방출 소자 및 니켈 실리사이드 나노구조체 제조 방법 无效电子发射源，包括镍硅氧烷纳米结构，电子发射装置使用电子发射源和制备镍硅氧烷纳米结构的方法
公开(公告)号：KR1020090046533A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070112746
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 니켈 실리사이드 나노 구조체를 포함하는 전자 방출원을 제공한다. 상기 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체는 높은 종횡비를 가지며, 선단이 뾰족한 형태로서 우수한 전기적 특성을 갖는다. 따라서 상기 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체를 이용한 전자 방출 소자는 구동전압, 전계 방출 특성 등에 있어서 우수한 특성을 구현할 수 있다. 또한, 상기 니켈 실리사이드 나노 구조체는 실리콘 기반 물질로서 실리콘 기반 산업에 접목이 유리하다. 한편, 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법은 저온 공정이 가능함에 따라, 공정 단가를 낮추며, 또한 촉매를 사용하는 통상적인 나노 구조체 공정에 비하여 단순화된 것으로서, 양산 가능한 제조 방법이다.
나노 구조체, 니켈 실리사이드, 전자 방출원-
公开(公告)号：KR101317812B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020110103114
申请日：2011-10-10
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 공주대학교 산학협력단
IPC: H01M4/38 , H01M4/1395 , B82B3/00 , H01M10/0525
Abstract: 본 발명은 금속 실리사이드로 이루어진 나노 선 형상의 코어와 상기 코어의 표면에 실리콘이 덮여진 코어-쉘 구조의 나노 구조체로서 특히 리튬 이온 전지의 음극에 사용되었을 때 고보존력(high retention)과 고충방전(high capacity) 특성을 나타낼 수 있는 나노 구조체와 이의 형성 방법 및 상기 나노 구조체를 적용한 리튬 이온 전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明核心二进制硅被覆盖的纳米线状芯和由金属硅化物高保持率（高保持率）和投诉放电的芯的表面上时尤其用于锂离子电池作为壳结构的纳米结构的负电极（ 高容量，形成纳米结构的方法，以及使用该纳米结构的锂离子电池。
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15.发明授权혈관성장인자 감지를 위한 압타머 기반의 암 진단용 실리콘나노와이어 바이오센서, 이의 제조방법 및 이를 이용한 혈관 성장인자 검출방법 失效基于APTAMER的硅纳米生物传感器，用于检测VEGF的癌症诊断及其制造方法和使用其检测VEGF
公开(公告)号：KR101009938B1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：KR1020080104946
申请日：2008-10-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N33/50 , G01N27/26 , G01N33/68 , G01N33/574
Abstract: 본 발명은 황반변성 치료에 사용되며 혈관성장인자를 특이적으로 인식하는 anti-VEGF 압타머를 실리콘 나노와이어 전계효과 트랜지스터에 적용함으로써, 조기에 암 진단을 가능하게 하는 바이오센서와 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 바이오센서는 소스, 드레인 및 게이트를 포함하며 상기 소스와 드레인 사이의 채널영역이 실리콘 나노와이어로 이루어진 전계효과 트랜지스터와, 상기 실리콘 나노와이어의 표면에 고정된 혈관성장인자(VEGF)와 선택적으로 결합하는 RNA 압타머(aptamer)를 포함하며, 상기 압타머에 혈관성장인자가 결합될 때 발생하는 화학적 게이트 현상을 이용하여 혈관성장인자를 감지하는 것을 구성적 특징으로 한다.
바이오센서, 혈관성장인자, 암, 조기진단-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100135532A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053969
申请日：2009-06-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/463 , H01L21/02052 , H01L21/02532 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for low-temperature and high-speed depositing a silicon thin film are provided to obtain the light temperature gradient between a substrate and a chamber by cooling the substrate in a silicon thin film depositing process. CONSTITUTION: A silicon source gas is introduced in a chamber(10). A chamber heating part(12) heats the chamber by being installed in the chamber. A substrate supporting part is mounted in the chamber. The substrate supporting part supports a substrate on which a silicon thin film is deposited. The silicon thin film is deposited on the substrate by heating and thermally decomposing the silicon source gas.
Abstract translation: 目的：提供一种用于低温高速沉积硅薄膜的方法和设备，以通过在硅薄膜沉积工艺中冷却衬底来获得衬底和室之间的光温梯度。 构成：将硅源气体引入室（10）中。 腔室加热部件（12）通过安装在腔室中来加热腔室。 衬底支撑部件安装在腔室中。 基板支撑部分支撑沉积有硅薄膜的基板。 通过加热和热分解硅源气体将硅薄膜沉积在衬底上。
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公开(公告)号：KR1020100000541A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060078
申请日：2008-06-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming nickel silicide nano structure through oxide-reduction reaction of nickel thin film catalyst is provided to apply on various areas having different densities. CONSTITUTION: A method for forming a nickel silicide nano structure comprises: a step of forming a nickel layer(33) on a substrate(31); a step of regulating the amount of oxide film(34) formed on the nickel layer through oxidation or reduction; and a step of reacting reaction vapor containing the silicon with nickel layer and oxide film to synthesize the nickel silicide. The amount of oxide film is regulated by controlling oxidation time. The substrate is quartz substrate, ITO substrate, glass substrates or SiO2/Si substrate.
Abstract translation: 目的：提供通过镍薄膜催化剂的氧化还原反应形成镍硅化物纳米结构的方法，以应用于具有不同密度的各种区域。 构成：形成硅化镍纳米结构的方法包括：在衬底（31）上形成镍层（33）的步骤; 通过氧化还原来调节形成在镍层上的氧化膜（34）的量的步骤; 以及使含有硅的反应蒸气与镍层和氧化物膜反应以合成硅化镍的步骤。 通过控制氧化时间来调节氧化膜的量。 衬底是石英衬底，ITO衬底，玻璃衬底或SiO 2 / Si衬底。
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公开(公告)号：KR1020170000318A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020160002593
申请日：2016-01-08
Applicant: 기초과학연구원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L31/055 , H01L31/107 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은층간배향기반광 흡수및 발광특성을가진반도체스택의분석방법을공개한다. 이방법은 (a) 화학기상증착법을이용하여결정방향이일치하는전이금속-칼코겐화합물의제1 스택이제조되는단계; (b) 물리적전사를이용하여회전각조절에의해결정방향이불일치하는전이금속-칼코겐화합물의제2 스택이제조되는단계; (c) 상기제1 및제2 스택각각의원자층간 광의흡수및 발광양상이측정되는단계; 및 (d) 상기측정된광의흡수및 발광양상을동역학분석하여천이밴드갭이판별되는단계;를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, 2차원반도체적층구조의상대적인결정방향을선택적으로일치또는불일치시키는조절이가능하여새로운전자구조를인공적으로형성할수 있고, 종래에보고되지않은새로운인공저 차원반도체구조를실현할 수있게된다. 또한, 2차원원자층물질간의상호작용이원자층간 회전각도에따라새로이결정되어다양한광 물리현상연구가가능해지고, 이를통한물질특성제어를통하여 2차원물질발광체, 레이저, 광검출기등으로실제산업상에폭넓게응용이가능하게된다.
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公开(公告)号：KR1020130033251A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110103114
申请日：2011-10-10
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 공주대학교 산학협력단
IPC: H01M4/38 , H01M4/1395 , B82B3/00 , H01M10/0525
Abstract: PURPOSE: A nanostructure is provided to improve electron conductivity and structural stability and to obtain high capacity and high retention for the negative electrode of a lithium secondary battery. CONSTITUTION: A nanostructure consists of a core/shell structure that a core is made of a metal silicide and is covered with silicon. A manufacturing method of the nanostructure comprises a step of forming a metal thin film on a substrate(11); a step of forming an oxide film by oxidizing a part of the metal thin film; a step of injecting silicon-containing reaction gas into an oxide film and forming a metal silicide nanostructure(14); a step of injecting the silicon-containing reaction gas into the metal silicide nanostructure and forming silicon on the surface of the metal silicide nanostructure.
Abstract translation: 目的：提供纳米结构以提高电子传导性和结构稳定性，并为锂二次电池的负极获得高容量和高保留性。 构成：纳米结构由芯/壳结构组成，核心由金属硅化物制成并被硅覆盖。 纳米结构的制造方法包括在基板（11）上形成金属薄膜的工序。 通过氧化金属薄膜的一部分来形成氧化膜的步骤; 将含硅反应气体注入氧化膜并形成金属硅化物纳米结构（14）的步骤; 将含硅反应气体注入到金属硅化物纳米结构中并在金属硅化物纳米结构的表面上形成硅的步骤。
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公开(公告)号：KR101024080B1
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：KR1020080075152
申请日：2008-07-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 저온에서 비정질 실리콘의 결정화가 가능하도록 하고 결정화된 다결정 실리콘의 결정립 크기가 조대하며 한 방향으로 잘 정렬된 결정립 구조를 형성시킴으로써 전자 이동도가 매우 우수한 다결정 실리콘 박막 및 이에 의한 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, (a) 복수의 단결정 실리콘 나노와이어를 기판에 배열하는 단계, (b) 상기 단결정 실리콘 나노와이어의 배열 위에 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계 및 (c) 열처리를 통해 상기 단결정 실리콘 나노와이어로부터 증착된 비정질 실리콘의 고상 에피탁시를 유도하여 비정질 실리콘을 결정화시키는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막의 형성방법을 제공한다.
다결정 실리콘 박막, 저온, 트랜지스터
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