公开(公告)号：KR100960391B1

公开(公告)日：2010-05-28

申请号：KR1020070137305

申请日：2007-12-26

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 조문호 ,  우윤성

IPC: B82B3/00 ,  C01B33/113 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 기판에 대해 실질적으로 수직한 나노 와이어를 형성하기 위한 나노 디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노 디바이스의 제조 방법은 챔버 내에 실리콘 소스 가스를 공급하는 단계, 챔버 내에 수납된 기판의 온도를 실리콘 소스 가스의 온도와 별개로 제어하는 단계, 기판의 온도를 제어하여 기판 위에 온도 구배를 형성하는 단계, 및 온도 구배에 따라 기판의 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 뻗은 실리콘 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함한다.
실리콘 나노 와이어, 화학기상증착법, 냉각관, 석영기판

公开(公告)号：KR100848813B1

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020070041249

申请日：2007-04-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  신영한 ,  우윤성 ,  이한보람 ,  이성균 ,  손종역

IPC: H01L41/107 ,  H01L29/72 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G11C13/025 ,  H01L41/107 ,  Y10S977/742

Abstract: A transistor using deformation caused by piezoelectric effect of a carbon nano tube is provided to obtain a transistor of a new concept using deformation of a carbon nano tube caused by deformation of a piezoelectric device by using a device of a several nano meter using a carbon nano tube. A piezoelectric device(6) is disposed at one side of a carbon nano tube(5) so that the carbon nano tube is deformed by contraction or expansion of the piezoelectric device. A switching process is performed by a difference of specific resistance of the carbon nano tube generated by a deformation quantity of the carbon nano tube caused by the contraction or expansion of the piezoelectric device. The piezoelectric device can be a shape memory piezoelectric actuator.

Abstract translation: 提供使用由碳纳米管的压电效应引起的变形的晶体管，以通过使用使用碳纳米管的几纳米器件来获得使用由压电器件的变形引起的碳纳米管的变形的新概念的晶体管 管。 压电装置（6）设置在碳纳米管（5）的一侧，使得碳纳米管通过压电装置的收缩或膨胀而变形。 通过由压电装置的收缩或膨胀引起的碳纳米管的变形量产生的碳纳米管的电阻差的差异进行切换处理。 压电器件可以是形状记忆压电致动器。

公开(公告)号：KR1020100013573A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020080075152

申请日：2008-07-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 조문호 ,  우윤성

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/2022 ,  H01L22/14 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/6675

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a poly-Si thin film and a poly-Si thin film transistor using single crystalline SI nano-wire seed template are provided to reduce crystallization temperature and improve electron mobility by using a single-crystal silicon nano-wire as a template of solid phase epitaxy of an amorphous silicon. CONSTITUTION: A plurality of single-crystal silicon nano-wires are arranged in the substrate. An amorphous silicon thin film is deposited on the arrangement of the single-crystal silicon nano-wire. The solid epitaxy of the deposited amorphous silicon is induced from the single-crystal silicon nano-wire through annealing and the amorphous silicon is crystallized. Interval between the nano-wire arranged through a position control of a catalyst forming nano-wire is controlled when the nano-wire is vertically arranged.

Abstract translation: 目的：提供使用单晶SI纳米线种子模板的多晶硅薄膜和多晶硅薄膜晶体管的制造方法，以通过使用单晶硅纳米线作为减少结晶温度并提高电子迁移率 非晶硅的固相外延模板。 构成：在基板中配置有多个单晶硅纳米线。 在单晶硅纳米线的布置上沉积非晶硅薄膜。 沉积的非晶硅的固体外延通过退火从单晶硅纳米线引发，非晶硅结晶。 当纳米线垂直布置时，控制通过形成纳米线的催化剂的位置控制布置的纳米线之间的间隔。

公开(公告)号：KR101024080B1

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020080075152

申请日：2008-07-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 조문호 ,  우윤성

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 저온에서 비정질 실리콘의 결정화가 가능하도록 하고 결정화된 다결정 실리콘의 결정립 크기가 조대하며 한 방향으로 잘 정렬된 결정립 구조를 형성시킴으로써 전자 이동도가 매우 우수한 다결정 실리콘 박막 및 이에 의한 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, (a) 복수의 단결정 실리콘 나노와이어를 기판에 배열하는 단계, (b) 상기 단결정 실리콘 나노와이어의 배열 위에 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계 및 (c) 열처리를 통해 상기 단결정 실리콘 나노와이어로부터 증착된 비정질 실리콘의 고상 에피탁시를 유도하여 비정질 실리콘을 결정화시키는 단계를 포함하는 다결정 실리콘 박막의 형성방법을 제공한다.
다결정 실리콘 박막, 저온, 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020090069593A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020070137305

申请日：2007-12-26

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 조문호 ,  우윤성

IPC: B82B3/00 ,  C01B33/113 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/00 ,  B82B3/0038 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16

Abstract: A method and an apparatus for manufacturing nanodevice are provided to employ both a silicon substrate and a quartz substrate, thereby shortening a manufacturing process and reducing production costs. A method for manufacturing nanodevice comprises the following steps of: supplying silicon source gas into a chamber(10); controlling the temperature of a substrate(20) adopted in the chamber in order to form a temperature gradient on the substrate; and forming nanowire growing in a vertical direction of the substrate according to the temperature gradient. In the temperature controlling step, the substrate is cooled down by the air or cooling water. The air or cooling water is indirectly contacted to the substrate.

Abstract translation: 提供了一种用于制造纳米器件的方法和装置，以同时采用硅衬底和石英衬底，从而缩短制造工艺并降低生产成本。 制造纳米器件的方法包括以下步骤：将硅源气体供应到腔室（10）中; 控制在室中采用的基板（20）的温度，以在基板上形成温度梯度; 并根据温度梯度在基板的垂直方向上形成纳米线。 在温度控制步骤中，基板被空气或冷却水冷却。 空气或冷却水与衬底间接接触。