다층구조의 리튬 전극, 그 제조 방법 및 그를 이용한리튬전지
    11.
    发明公开
    다층구조의 리튬 전극, 그 제조 방법 및 그를 이용한리튬전지 失效
    具有多个层的锂电极,其制造方法和使用该锂电池的锂电池

    公开(公告)号:KR1020030014263A

    公开(公告)日:2003-02-15

    申请号:KR1020027016795

    申请日:2000-06-12

    Abstract: PURPOSE: A lithium electrode, method for manufacturing the same and lithium battery using the same is provided to improve electrode capacity and lengthen useful life of the battery, while achieving improved charging/discharging characteristics. CONSTITUTION: A lithium electrode(100) comprises a lithium layer or a lithium alloy layer(101a) having a thickness of 10Å to 100μm, and which is formed on a battery current collector(103); and a porous metal layer or a porous carbon layer(102a) having a thickness of 1Å to 10μm, and which is formed on the lithium layer or the lithium alloy layer. The lithium alloy layer is made of an alloy formed of a lithium and a metal selected from a group consisting of Al, Sn, Bi, Si, Sb, B and alloy thereof. The porous metal layer is made of a metal selected from a group consisting of Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Ru, Pt, lr, Al, Sn, Bi, Si, Sb and alloy thereof.

    Abstract translation: 目的:提供锂电极及其制造方法以及使用该锂电极的锂电池,以提高电极容量并延长电池的使用寿命,同时实现改善的充电/放电特性。 构成:锂电极(100)包括厚度为10〜100μm的锂层或锂合金层(101a),形成在电池集电体(103)上。 以及形成在锂层或锂合金层上的多孔金属层或多孔碳层(102a),其厚度为1μm至10μm。 锂合金层由选自Al,Sn,Bi,Si,Sb,B及其合金中的锂和金属的合金构成。 多孔金属层由选自Ni,Cu,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Zn,Mo,W,Ag,Au,Ru,Pt,lr,Al,Sn ,Bi,Si,Sb及其合金。

    산화바나듐을 양극활물질로 포함하는 리튬이차전지용 양극
    12.
    发明授权
    산화바나듐을 양극활물질로 포함하는 리튬이차전지용 양극 失效
    包含钒氧化物作为正极活性物质的锂二次电池用正极

    公开(公告)号:KR100364135B1

    公开(公告)日:2002-12-11

    申请号:KR1020000032150

    申请日:2000-06-12

    Abstract: 본 발명은 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 양극 활물질인 산화바나늄에 첨가된 리튬이차전지용 양극을 제공한다. 산화바나늄을 양극 활물질로 포함하는 리튬이차전지에 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 첨가될 경우 리튬 이차전지의 사이클 및 용량 특성이 크게 향상되었다. 따라서 본 발명에 따른 리튬이차전지용 양극은 박막 전지 및 벌크 전지를 포함한 다양한 리튬이차전지의 제작에 사용될 수 있다.

    박막형 슈퍼 캐패시터 및 그 제조방법
    13.
    发明授权
    박막형 슈퍼 캐패시터 및 그 제조방법 失效
    薄膜超级电容器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100359055B1

    公开(公告)日:2002-11-07

    申请号:KR1020000021951

    申请日:2000-04-25

    Abstract: 본 발명은 박막형 슈퍼 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 하부 전극 박막과, 상기 하부 전극 박막 위에 형성된 5㎛ 이하의 두께를 갖는 전해질 박막 및, 상기 전해질 박막 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 상부 전극 박막을 포함하여 구성되는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 초소형 정밀 부품 및 정보 통신 기기의 전력원으로 응용할 수 있는 소형 및 경량의 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 박막 공정을 적용하여 슈퍼 캐패시터의 제조시 셀 적층의 획기적 개선을 기대할 수 있다. 또한, 박막전지와 혼성으로 사용되어 특정 전압에서 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 뿐만 아니라 순간 피크 전력을 제공할 수 있어, 박막전지의 응용 범위를 확대할 수 있다.

    상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ZnO박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치
    14.
    发明授权
    상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ZnO박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 失效
    室温下的紫外线接收操作,用于发光装置的ZnO薄膜的制造方法及其装置

    公开(公告)号:KR100343949B1

    公开(公告)日:2002-07-24

    申请号:KR1020000003690

    申请日:2000-01-26

    Abstract: 본 발명은 종래의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물인 GaN를 대체하기 위하여 상온에서 딥-레벨 발광이 전혀 없고 단지 NBE만이 관측될 수 있는 양질의 ZnO 박막을 제조하기 위한 경제적으로 저렴한 방법 및 그를 위한 장치를 제공하기 위하여, 진공 챔버내로 소정 비율의 Ar, O
    2 가스를 1 내지 500 mTorr 이하의 챔버내 진공도를 유지하도록 도입하고, 기판을 예열하고, 기판 위에 설치되는 원자 라디칼원으로부터 C 및 N을 도입하면서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 기판 위에 ZnO 단결정 박막을 증착한 후, 상기 ZnO 박막 증착시 사용하였던 챔버내 산소 분압을 유지하면서 상기 기판을 서냉시키는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법 및 그를 위한 장치를 제공한다.

    주석/리튬 산화물을 음극활물질로 포함하는 리튬이차전지
    16.
    发明公开
    주석/리튬 산화물을 음극활물질로 포함하는 리튬이차전지 失效
    锂/二氧化钛作为阴极活性材料的锂二次电池

    公开(公告)号:KR1020010086974A

    公开(公告)日:2001-09-15

    申请号:KR1020000011008

    申请日:2000-03-06

    Abstract: PURPOSE: Provided is a lithium secondary battery consisting of anode active materials, cathode active materials and electrolyte in which cathode active materials are metal tin and lithium oxide. The active material comprises either layered composition modulating form of tin layer/lithium oxide layer/tin layer or tin and lithium oxide complex form. The battery is characterized in that initial coulomb efficiency is high because the volume change in insertion and discharge reaction of lithium is tolerated thereby producing stable cathode. While conventional tin oxide need heat treatment, this composition of modulation/complex tin oxide do not need the treatment, thereby making the battery cheap. It is also very useful because it can be implemented on polymer film. CONSTITUTION: The battery is composed of tin/lithium cathode active material with the thickness of 1000angstrom-100micrometer, where tin/lithium thickness is in a ratio of 1:00l-1:100, thickness of basic tin being 1angstrom-1micrometer and lithium oxide being 1angstrom-1micrometer. Tin is in a crystal form and lithium oxide is amorphous. The tin/lithium complex cathode active material is prepared by the method of physical vapor deposit (VD) such as heat VD, electron beam VD, sputtering, ion beam VD, laser ablation; chemical vapor deposit (CVD) such as low and/or atmospheric pressure CVD, plasma added CVD and organic metal CVD and sol-gel method, spin coating method or static spraying method.

    Abstract translation: 目的:提供由负极活性物质,正极活性物质和电解质组成的锂二次电池,其中阴极活性物质为金属锡和氧化锂。 活性材料包括层/组分调制形式的锡层/氧化锂层/锡层或锡和氧化锂复合物形式。 电池的特征在于,初始库仑效率高,因为锂的插入和放电反应的体积变化是容忍的,从而产生稳定的阴极。 虽然常规的氧化锡需要热处理,但这种调制/复合氧化锡的组成不需要处理,从而使电池便宜。 它也非常有用,因为它可以在聚合物膜上实现。 构成:电池由锡/锂阴极活性物质组成,厚度为1000- 100微米,其中锡/锂的厚度比例为1:100-1:100,碱性锡的厚度为1 - 1微米,氧化锂 为1angstrom-1微米。 锡是晶体形式,氧化锂是无定形的。 锡/锂复合阴极活性材料通过物理气相沉积(VD)如热VD,电子束VD,溅射,离子束VD,激光烧蚀等方法制备。 化学气相沉积(CVD)如低压和/或大气压CVD,等离子体添加CVD和有机金属CVD和溶胶 - 凝胶法,旋涂法或静态喷涂法。

    상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ZnO박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치
    17.
    发明公开
    상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ZnO박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 失效
    用于制造在正常温度下操作的红外光接收和发射装置的ZNO膜的方法及其装置

    公开(公告)号:KR1020010076504A

    公开(公告)日:2001-08-16

    申请号:KR1020000003690

    申请日:2000-01-26

    CPC classification number: C23C14/34 C23C14/0047 C23C14/086 C30B23/02 C30B29/16

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing ZnO film for an infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature and an apparatus therefor are provided to replace GaN by manufacturing ZnO film at lower costs. CONSTITUTION: The method for manufacturing ZnO film for the infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature includes following steps. At first, a gas including Ar and O2 gases at predetermined ratio in a vacuum chamber to maintain the vacuum level lower than 1 to 500mTorr. Then, the substrate is pre-heated. At third, C and N are induced from an atom radicals implemented on the substrate and a ZnO single crystal film is vaporized on the substrate(3) by using an RF magnetron sputtering method. At third, the partial pressure of the oxygen in the chamber used while vaporizing ZnO film is maintained while the substrate is cooled down slowly. The Ar/O2 ratio is much less than 4/1. Alternatively, the Ar/O2 ratio is much less than 4/1.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的方法及其装置,以较低成本制造ZnO膜来代替GaN。 构成:在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的制造方法包括以下步骤。 首先,在真空室中以预定比例包括Ar和O 2气体的气体以保持真空度低于1至500mTorr。 然后,将衬底预热。 第三,通过使用RF磁控溅射法,在基板上实现的原子自由基诱导C和N,并在基板(3)上蒸发ZnO单晶膜。 第三,在使衬底缓慢冷却的同时保持在蒸镀ZnO膜时使用的室中的氧的分压。 Ar / O2比值远低于4/1。 或者,Ar / O 2比远小于4/1。

    이온빔을이용하여표면개질된고분자배양접시및그표면개질방법
    18.
    发明公开
    이온빔을이용하여표면개질된고분자배양접시및그표면개질방법 有权
    聚合物培养皿表面改性利用离子束和表面改性方法

    公开(公告)号:KR1020000039496A

    公开(公告)日:2000-07-05

    申请号:KR1019980054847

    申请日:1998-12-14

    Abstract: PURPOSE: A polymer culture dish having an improved hydrophilic property and surface adhesiveness is provided which a part of carbon of the activated surface is reacted with a reactive gas after activating the surface by irradiating less than 2,000 eV of ion-beam. CONSTITUTION: A surface modifying apparatus comprises a gas inlet part(20) introducing a reactive gas into a vacuum chamber(10), an ion source(30) producing ion beam, a substrate holder(40) and a vacuum pump(50). The polymer culture dish is built in the substrate holder(40) and the reactive gas is introduced into the vacuum chamber(10) through the gas inlet part(20). Ion-beam having less than 2,000 eV is irradiated to activate the surface of the polymer culture dish from the ion source(30). The surface of the polymer culture is reacted with the reactive gas such as oxygen, nitrogen, carbon dioxide, carbon monoxide, ozone and their mixed gas to produce a hydrophilic group on the surface.

    Abstract translation: 目的:提供具有改善的亲水性和表面粘合性的聚合物培养皿,其中活化表面的一部分碳通过照射小于2000eV的离子束而在活化表面后与反应性气体反应。 构成:表面改性装置包括将反应性气体引入真空室(10)的气体入口部分(20),产生离子束的离子源(30),衬底保持器(40)和真空泵(50)。 聚合物培养皿内置在基板保持件(40)中,反应气体通过气体入口部分(20)引入真空室(10)。 照射小于2000eV的离子束从离子源(30)活化聚合物培养皿的表面。 聚合物培养物的表面与氧,氮,二氧化碳,一氧化碳,臭氧及其混合气体等反应性气体反应,在表面产生亲水基团。

    박막형 전계 발광 소자(TFELD)의 제조를 위한 비정질 강유전성 절연막의 증착방법
    19.
    发明授权
    박막형 전계 발광 소자(TFELD)의 제조를 위한 비정질 강유전성 절연막의 증착방법 失效
    沉积非晶态绝缘膜的方法制造薄膜电致发光显示器

    公开(公告)号:KR100131045B1

    公开(公告)日:1998-04-14

    申请号:KR1019940017205

    申请日:1994-07-16

    Inventor: 염상섭 윤영수

    Abstract: There is provided a method of depositing a ferroelectric insulating thin film on a glass or fluorescent layer on which ITO is deposited using MOCVD for fabricating a thin film electroluminescent display. The ferroelectric insulating thin film is deposited in amorphous form by a thickness thinner than that of a ferroelectric crystalline thin film at a low temperature lower than the temperature of generating the crystal phase of the ferroelectric material in order to satisfactorily restrict interface reaction.

    Abstract translation: 提供了在用于制造薄膜电致发光显示器的MOCVD上沉积ITO的玻璃或荧光层上沉积铁电绝缘薄膜的方法。 为了令人满意地限制界面反应,铁电绝缘薄膜以比产生铁电体的结晶相的温度低的低温的铁电体结晶薄膜的厚度比非晶形式进行沉积。

Patent Agency Ranking