Abstract:
PURPOSE: A lithium electrode, method for manufacturing the same and lithium battery using the same is provided to improve electrode capacity and lengthen useful life of the battery, while achieving improved charging/discharging characteristics. CONSTITUTION: A lithium electrode(100) comprises a lithium layer or a lithium alloy layer(101a) having a thickness of 10Å to 100μm, and which is formed on a battery current collector(103); and a porous metal layer or a porous carbon layer(102a) having a thickness of 1Å to 10μm, and which is formed on the lithium layer or the lithium alloy layer. The lithium alloy layer is made of an alloy formed of a lithium and a metal selected from a group consisting of Al, Sn, Bi, Si, Sb, B and alloy thereof. The porous metal layer is made of a metal selected from a group consisting of Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Ru, Pt, lr, Al, Sn, Bi, Si, Sb and alloy thereof.
Abstract:
본 발명은 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 양극 활물질인 산화바나늄에 첨가된 리튬이차전지용 양극을 제공한다. 산화바나늄을 양극 활물질로 포함하는 리튬이차전지에 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 첨가될 경우 리튬 이차전지의 사이클 및 용량 특성이 크게 향상되었다. 따라서 본 발명에 따른 리튬이차전지용 양극은 박막 전지 및 벌크 전지를 포함한 다양한 리튬이차전지의 제작에 사용될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 박막형 슈퍼 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 하부 전극 박막과, 상기 하부 전극 박막 위에 형성된 5㎛ 이하의 두께를 갖는 전해질 박막 및, 상기 전해질 박막 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 상부 전극 박막을 포함하여 구성되는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 초소형 정밀 부품 및 정보 통신 기기의 전력원으로 응용할 수 있는 소형 및 경량의 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 박막 공정을 적용하여 슈퍼 캐패시터의 제조시 셀 적층의 획기적 개선을 기대할 수 있다. 또한, 박막전지와 혼성으로 사용되어 특정 전압에서 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 뿐만 아니라 순간 피크 전력을 제공할 수 있어, 박막전지의 응용 범위를 확대할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 종래의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물인 GaN를 대체하기 위하여 상온에서 딥-레벨 발광이 전혀 없고 단지 NBE만이 관측될 수 있는 양질의 ZnO 박막을 제조하기 위한 경제적으로 저렴한 방법 및 그를 위한 장치를 제공하기 위하여, 진공 챔버내로 소정 비율의 Ar, O 2 가스를 1 내지 500 mTorr 이하의 챔버내 진공도를 유지하도록 도입하고, 기판을 예열하고, 기판 위에 설치되는 원자 라디칼원으로부터 C 및 N을 도입하면서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 기판 위에 ZnO 단결정 박막을 증착한 후, 상기 ZnO 박막 증착시 사용하였던 챔버내 산소 분압을 유지하면서 상기 기판을 서냉시키는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법 및 그를 위한 장치를 제공한다.
Abstract:
본 발명은 이온빔을 이용하여 친수성으로 표면개질된 고분자 배양접시 및 그 표면 개질방법에 관한 것으로, 고분자 배양접시 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 배양접시의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 배양접시 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성기를 형성시키는 고분자 배양접시의 표면개질방법과 그에 의해 표면개질된 고분자 배양접시를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: Provided is a lithium secondary battery consisting of anode active materials, cathode active materials and electrolyte in which cathode active materials are metal tin and lithium oxide. The active material comprises either layered composition modulating form of tin layer/lithium oxide layer/tin layer or tin and lithium oxide complex form. The battery is characterized in that initial coulomb efficiency is high because the volume change in insertion and discharge reaction of lithium is tolerated thereby producing stable cathode. While conventional tin oxide need heat treatment, this composition of modulation/complex tin oxide do not need the treatment, thereby making the battery cheap. It is also very useful because it can be implemented on polymer film. CONSTITUTION: The battery is composed of tin/lithium cathode active material with the thickness of 1000angstrom-100micrometer, where tin/lithium thickness is in a ratio of 1:00l-1:100, thickness of basic tin being 1angstrom-1micrometer and lithium oxide being 1angstrom-1micrometer. Tin is in a crystal form and lithium oxide is amorphous. The tin/lithium complex cathode active material is prepared by the method of physical vapor deposit (VD) such as heat VD, electron beam VD, sputtering, ion beam VD, laser ablation; chemical vapor deposit (CVD) such as low and/or atmospheric pressure CVD, plasma added CVD and organic metal CVD and sol-gel method, spin coating method or static spraying method.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing ZnO film for an infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature and an apparatus therefor are provided to replace GaN by manufacturing ZnO film at lower costs. CONSTITUTION: The method for manufacturing ZnO film for the infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature includes following steps. At first, a gas including Ar and O2 gases at predetermined ratio in a vacuum chamber to maintain the vacuum level lower than 1 to 500mTorr. Then, the substrate is pre-heated. At third, C and N are induced from an atom radicals implemented on the substrate and a ZnO single crystal film is vaporized on the substrate(3) by using an RF magnetron sputtering method. At third, the partial pressure of the oxygen in the chamber used while vaporizing ZnO film is maintained while the substrate is cooled down slowly. The Ar/O2 ratio is much less than 4/1. Alternatively, the Ar/O2 ratio is much less than 4/1.
Abstract translation:目的:提供一种用于制造在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的方法及其装置,以较低成本制造ZnO膜来代替GaN。 构成:在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的制造方法包括以下步骤。 首先,在真空室中以预定比例包括Ar和O 2气体的气体以保持真空度低于1至500mTorr。 然后,将衬底预热。 第三,通过使用RF磁控溅射法,在基板上实现的原子自由基诱导C和N,并在基板(3)上蒸发ZnO单晶膜。 第三,在使衬底缓慢冷却的同时保持在蒸镀ZnO膜时使用的室中的氧的分压。 Ar / O2比值远低于4/1。 或者,Ar / O 2比远小于4/1。
Abstract:
PURPOSE: A polymer culture dish having an improved hydrophilic property and surface adhesiveness is provided which a part of carbon of the activated surface is reacted with a reactive gas after activating the surface by irradiating less than 2,000 eV of ion-beam. CONSTITUTION: A surface modifying apparatus comprises a gas inlet part(20) introducing a reactive gas into a vacuum chamber(10), an ion source(30) producing ion beam, a substrate holder(40) and a vacuum pump(50). The polymer culture dish is built in the substrate holder(40) and the reactive gas is introduced into the vacuum chamber(10) through the gas inlet part(20). Ion-beam having less than 2,000 eV is irradiated to activate the surface of the polymer culture dish from the ion source(30). The surface of the polymer culture is reacted with the reactive gas such as oxygen, nitrogen, carbon dioxide, carbon monoxide, ozone and their mixed gas to produce a hydrophilic group on the surface.
Abstract:
There is provided a method of depositing a ferroelectric insulating thin film on a glass or fluorescent layer on which ITO is deposited using MOCVD for fabricating a thin film electroluminescent display. The ferroelectric insulating thin film is deposited in amorphous form by a thickness thinner than that of a ferroelectric crystalline thin film at a low temperature lower than the temperature of generating the crystal phase of the ferroelectric material in order to satisfactorily restrict interface reaction.
Abstract:
베타 시트 구조를 포함하거나 결정화에 의하여 베타 시트 구조를 형성할 수 있는 탄소 전구체 또는 단백질을 이용하여 탄소 물질을 제조한다. 상기 베타 시트 구조는 열이 가해짐에 따라 sp 2 혼성 공명 구조로 전환될 수 있다. 이에 따라, 탄화 과정이 단순하고, 종래와 달리, 촉매나 유기용매의 사용이 없는 친환경적 탄소 물질 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 베타 시트 함량 조절을 통하여 탄소 물질의 다양한 형태와 미세 구조를 조절할 수 있다.