公开(公告)号：KR1020100097715A

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020107014004

申请日：2007-12-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349 ,  G11C2013/0073

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a programming method thereof are provided to increase durability by applying a reverse recovery pulse. CONSTITUTION: A phase change memory array(24) comprises a plurality of phase change memory devices. A pulse generator(22) comprises a write current pulse, an erase current pulse, and a reverse recovery current pulse for the phase change memory device of a phase change memory array. The direction of the reverse recovery pulse is opposite to the direction of the write current pulse and the erase current pulse of the phase memory device. The pulse generator includes a bidirectional pulse generator which flows a current in both directions of the phase change memory device.

Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其编程方法，以通过施加反向恢复脉冲来提高耐久性。 构成：相变存储器阵列（24）包括多个相变存储器件。 脉冲发生器（22）包括用于相变存储器阵列的相变存储器件的写入电流脉冲，擦除电流脉冲和反向恢复电流脉冲。 反向恢复脉冲的方向与相位存储器件的写入电流脉冲和擦除电流脉冲的方向相反。 脉冲发生器包括在相变存储器件的两个方向上流过电流的双向脉冲发生器。

公开(公告)号：KR100930079B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020080027741

申请日：2008-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황욱연 ,  김주호 ,  김중현 ,  이택성 ,  정병기 ,  이현석 ,  이수연 ,  김원목 ,  정증현

IPC: G11B7/24073 ,  G11B7/243

CPC classification number: G11B7/252 ,  G11B7/24065 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432

Abstract: A super-resolution optical recording medium includes a reflective layer formed on a substrate, a recording layer for recording information thereon, a super-resolution layer made of a chalcogenide semiconductor material, and a first and a second dielectric layers laminated on upper and lower surfaces of the super-resolution layer. The recording layer is made of a material that has a decomposition temperature higher than an information reproduction temperature and does not form bubble recording marks during recording, and the super-resolution layer contains one or more elements selected from the group consisting of nitrogen, oxygen, carbon, and boron.

Abstract translation: 超分辨率光学记录介质包括形成在衬底上的反射层，用于在其上记录信息的记录层，由硫属化物半导体材料制成的超分辨率层以及层叠在上表面和下表面上的第一和第二介电层 的超分辨率层。 记录层由分解温度高于信息再现温度的材料制成，并且在记录期间不形成气泡记录标记，并且超分辨率层包含选自氮，氧，硫和氮的一种或多种元素。 碳和硼。

公开(公告)号：KR101303868B1

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020110104609

申请日：2011-10-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  정두석

IPC: H04N9/07 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14647

Abstract: 컬러 이미지 센서가 개시된다. 본 발명의 일 태양에 따르면, 하부 전극, 상부 전극, 하부 전극과 상부 전극 사이에 위치한 칼코지나이드 소재를 포함하는 감광소자; 및 상기 감광 소자에서 발생한 전기적 특성값에 기반하여 입사한 빛의 파장 또는 세기를 측정하는 이미지 센싱 회로를 포함하는, 컬러 이미지 센서가 개시된다. 또한 이미지 센싱 회로는, 감광 소자에 가변 전원을 공급하는 전원 공급 장치; 가변 전원에 동기화되어, 감광 소자에서 발생한 전기적 특성값을 저장하는 복수의 저장소자; 복수의 저장소자 각각에 저장된 전기적 특성값에 기반하여, 입사한 빛의 파장 또는 세기를 측정하는, 컬러 이미지 센서가 개시된다.

公开(公告)号：KR101259382B1

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：KR1020117012409

申请日：2008-11-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정증현 ,  정병기 ,  김원목 ,  정두석

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/08

CPC classification number: F03G7/065

Abstract: 초소형 작동기로서, 일단이 고정된 기판과, 상기 기판 위에 증착된, 상변화시 상변화 속도, 변형율 및 응력이 큰 상변화 막과, 상기 상변화 물질 막 위에 증착된 보호 절연막과, 상기 상변화 막의 상변화를 유도하기 위한 열에너지 공급을 위한 전류 펄스 공급장치를 포함하고, 상기 상변화 막의 상변화에 따른 그 부피 및 잔류응력의 변화로 상기 기판의 타단을 움직이도록 하는 것을 특징으로 한다. 상변화 막은 칼코지나이드 상변화 물질로 형성된다.

公开(公告)号：KR101071705B1

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：KR1020107014004

申请日：2007-12-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349 ,  G11C2013/0073

Abstract: 본발명의상변화메모리장치는복수개의상변화메모리소자가배열된상변화메모리어레이와, 상기상변화메모리어레이내 각각의상변화메모리소자에대하여쓰기전류펄스, 지우기전류펄스, 역방향복구전류펄스를제공하는펄스발생기를포함한다. 상기역방향복구펄스의방향은상변화메모리소자의상기쓰기전류펄스및 지우기전류펄스의방향과반대이며, 상기역방향복구펄스는전류로인해발생하는주울열의효과및 일렉트로마이그레이션에의한효과에의해상변화물질의구성원소가이동할수 있는크기를갖는다. 또한, 상기역방향복구펄스의전류의폭은정상동작시의쓰기동작을위한최소시간또는지우기위한최소시간중 최소값보다큰 값을갖는다.

公开(公告)号：KR100891278B1

公开(公告)日：2009-04-06

申请号：KR1020067016386

申请日：2005-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정혜선 ,  정서영 ,  권익찬 ,  이수연 ,  노경호

IPC: A61K9/107

Abstract: 본 발명은 생체 적합성 고분자를 함유하여 입체적으로 안정화된 상태인 에멀젼 또는 큐보좀 조성물, 이를 포함하는 에멀젼 또는 큐보좀 제형 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020170108500A

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020160032520

申请日：2016-03-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  김성근 ,  황도경 ,  주현수 ,  이영택

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  G02B5/22 ,  H04N9/73

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1129

Abstract: 실시예들은기판, 기판상에형성된제1 색상을위한제1 칼코지나이드물질층, 상기제1 칼코지나이드물질층상에형성된제2 색상을위한제2 칼코지나이드물질층및 상기제2 칼코지나이드물질층상에형성된제3 색상을위한제3 칼코지나이드물질층을포함하는칼코지나이드물질기반의필터리스컬러이미지센서에관련된다.

公开(公告)号：KR101535075B1

公开(公告)日：2015-07-10

申请号：KR1020140006857

申请日：2014-01-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송용원 ,  이수연 ,  이지연 ,  임정아 ,  최지원 ,  정병기 ,  김진석 ,  장호성 ,  이현정

IPC: A61B5/145 ,  A61B5/1477

CPC classification number: A61B5/0002 ,  A61B5/14507 ,  A61B5/14532 ,  A61B5/1486 ,  A61B5/6821 ,  A61B2562/16 ,  H01M2/1022 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M2220/30

Abstract: 본발명은센싱모듈, 전력저장모듈및 회로모듈을포함하고대상체와접촉하여건강지표정보를수집하는비침습형건강지표모니터링시스템에관한것이다. 또한, 본발명은상기건강지표모니터링시스템을이용하여건강지표정보를지속적으로모니터링하는방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种非侵入性健康指标监测系统，其包括感测模块，蓄电模块和电路模块，并通过触摸物体来收集健康指示器信息。 此外，本发明涉及一种通过使用健康指标监视系统来连续监视健康指标信息的方法。

公开(公告)号：KR101431656B1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020130037445

申请日：2013-04-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정병기 ,  김수동 ,  이수연 ,  신상열 ,  안형우

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/143 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: According to the present description, the present invention provides a manufacturing method of a chalcogenide switching device which comprises the steps of: forming a first electrode on an SOI substrate; forming a chalcogenide substance comprising Gex and Se_1-x on the first electrode; and forming a second electrode on the chalcogenide substance. The x is greater than 0 and less than 1. The present invention also provides the chalcogenide switching device manufactured by the same method.

Abstract translation: 根据本说明书，本发明提供了一种硫族化物开关器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在SOI衬底上形成第一电极; 在第一电极上形成包含Gex和Se_1-x的硫族化物物质; 并在硫族化物物质上形成第二电极。 x大于0且小于1.本发明还提供了通过相同方法制造的硫族化物开关装置。

公开(公告)号：KR100960595B1

公开(公告)日：2010-06-07

申请号：KR1020080061513

申请日：2008-06-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  김원목 ,  이경석 ,  박종극 ,  정증현 ,  이수연 ,  이택성

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/16 ,  C23C16/407 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12

Abstract: 본 발명은 박막 상에서의 표면 입자크기 및 표면 거칠기를 향상시켜 캐리어 이동도 특성 및 광산란 효과를 개선할 수 있는 박막 성장방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 성장방법은 기판 상에 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들의 핵이 형성되는 제 1 단계와, 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 1 결정 성장방향을 갖는 제 1 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 1 결정입자들로 이루어진 제 1 집합조직을 형성하는 제 2 단계 및 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 2 결정 성장방향을 갖는 제 2 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 2 결정입자들로 이루어진 제 2 집합조직을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 집합조직을 구성하는 제 2 결정입자 각각의 표면 면적은 상기 제 1 집합조직을 구성하는 제 1 결정입자 각각의 표면 면적보다 큰 것을 특징으로 한다.
우선성장, 선택성장, 성장방향제어