초 고밀도 자기기록용 플래너형 기록헤드의 특성 최적화방법
    11.
    发明公开
    초 고밀도 자기기록용 플래너형 기록헤드의 특성 최적화방법 失效
    超高频磁记录方案优化记录头的特点方法

    公开(公告)号:KR1020030087309A

    公开(公告)日:2003-11-14

    申请号:KR1020020025317

    申请日:2002-05-08

    Abstract: PURPOSE: A method for optimizing characteristics of a planner type recording head for super high density magnetic recording is provided to record information on a medium having high magnetocrystalline anisotropy by realizing a high recording magnetic field. CONSTITUTION: A characteristic of a recording head is optimized by changing shape parameters of the recording head by first, second, and third head-trimming methods having predetermined parts of the recording head as shapes and sizes of a, b, and c. In the first head-trimming method, b and c are fixed as predetermined values, and only a is changed, so that a head-trimming part has a step-like shape. In the second head-trimming method, a and c are fixed as predetermined values, and b becomes smaller, so that the characteristic of the head has a similar shape to the shape of the first head-trimming method. In the third head-trimming method, b and c are fixed as predetermined values, only a is changed, so that the characteristic of the head has a similar shape to the shape of the first head-trimming method.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于优化用于超高密度磁记录的计划型记录头的特性的方法,通过实现高记录磁场来记录具有高磁晶各向异性的介质的信息。 构成:通过用记录头的预定部分作为a,b和c的形状和尺寸的第一,第二和第三头部修剪方法改变记录头的形状参数来优化记录头的特性。 在第一校正方法中,b和c被固定为预定值,只有a被改变,使得头部修剪部分具有阶梯状形状。 在第二头部修剪方法中,a和c被固定为预定值,并且b变小,使得头部的特性与第一头部修剪方法的形状具有相似的形状。 在第三头部修剪方法中,b和c被固定为预定值,仅a改变,使得头部的特性与第一头部修剪方法的形状具有相似的形状。

    TB계거대자기변형합금박막
    12.
    发明授权
    TB계거대자기변형합금박막 失效
    TB型超磁致伸缩合金薄膜

    公开(公告)号:KR100281985B1

    公开(公告)日:2001-02-15

    申请号:KR1019980032225

    申请日:1998-08-07

    Abstract: 본 발명은 Tb 및 Fe를 주성분으로 하는 Tb계 거대 자기변형 합금 박막에 관한 것으로, 그 조성이 Tb
    x Fe
    y B
    z (여기서, x, y, z는 원자%로서, 42.74 ≤ x ≤ 55.28, 43.47 ≤ y ≤ 54.1, 0.4 ≤ z ≤ 5.59이며, 단 x + y + z = 100이다)와, Tb
    x Fe
    y Sm
    z (여기서, x, y, z는 원자%로서, 38.44 ≤ x ≤ 45.90, 53.72 ≤ y ≤ 60.93, 0.33 ≤ z ≤ 2.19이며, 단 x + y + z = 100이다)으로 된 거대 자기변형 합금 박막을 제공한다.
    본 발명의 거대 자기변형 합금 박막은 반응속도가 빠르고, 자기변형이 큼은 물론, 낮은 Tb 함량에서도 자기변형 특성이 우수하기 때문에, 마이크로 디바이스의 구동체로서 우수한 특성을 가진다.

    TB-FE계거대자기변형박막및그의제조방법
    13.
    发明授权
    TB-FE계거대자기변형박막및그의제조방법 失效
    TB-FE磁致伸缩合金的薄膜及其方法

    公开(公告)号:KR100243719B1

    公开(公告)日:2000-03-02

    申请号:KR1019970006944

    申请日:1997-03-03

    Abstract: 조성식 Tb
    x Fe
    y B
    z (식중, x, y 및 z는 원자 %로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 0 ≤ z ≤ 0.4 및 x + y + z = 100이다)로 표시되는 거대 자기변형 합금 박막 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 자기변형 합금 박막은 낮은 자기장이 인가되는 경우에도 높은 자기변형치를 나타낸다.

    자기변형 합금 박막 실리콘 캔티레버
    14.
    发明公开
    자기변형 합금 박막 실리콘 캔티레버 失效
    磁性应变合金薄膜硅悬臂梁

    公开(公告)号:KR1019990070575A

    公开(公告)日:1999-09-15

    申请号:KR1019980005499

    申请日:1998-02-21

    Abstract: 두께가 약 25 ㎛인 실리콘 구조물에 다음의 조성식, Tb
    x Fe
    y B
    z, [이때, x, y, z는 원자%로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 및 0 ≤ z ≤ 0.4 (단, x + y + z = 100)] 으로 이루어진 거대 자기변형 합금 박막이 코팅되어 있는 자기변형 합금 박막 실리콘 캔티레버에 대한 것으로서, 본 발명의 캔티레버는 낮은 자기장에서도 큰 변위를 갖는다.

    SM계거대자기변형박막및그제조방법
    15.
    发明公开
    SM계거대자기변형박막및그제조방법 失效
    SM型超磁致伸缩薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019990066602A

    公开(公告)日:1999-08-16

    申请号:KR1019980002663

    申请日:1998-01-31

    Abstract: 본 발명은 조성식
    Sm
    x Fe
    y B
    z
    (상기 식에서 x, y 및 z는 각각 원자 %로서,
    24.0 ≤ x ≤ 57.8,
    41.8 ≤ y ≤ 75.3,
    0.4 ≤ z ≤ 0.7,
    단, x + y + z = 100임)인 Sm-Fe-B계 거대 자기 변형 합금 박막에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 따른 자기 변형 합금 박막은 낮은 인가 자기장에서도 높은 자기 변형치를 나타낸다.

    TB-FE계거대자기변형박막및그의제조방법
    16.
    发明公开
    TB-FE계거대자기변형박막및그의제조방법 失效
    TB-FE超磁致伸缩薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019980072259A

    公开(公告)日:1998-11-05

    申请号:KR1019970006944

    申请日:1997-03-03

    Abstract: 조성식 Tb
    x Fe
    y B
    z (식중, x, y 및 z는 원자 %로서, 43.5 ≤ x ≤ 62.4, 37.3 ≤ y ≤ 56.5, 0 ≤ z ≤ 0.4 및 x + y + z = 100이다)로 표시되는 거대 자기변형 합금 박막 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 자기변형 합금 박막은 낮은 자기장이 인가되는 경우에도 높은 자기변형치를 나타낸다.

    비정질 자성 합금 박대의 유도 자기 이방성 형성 방법
    17.
    发明公开
    비정질 자성 합금 박대의 유도 자기 이방성 형성 방법 失效
    形成非晶态磁性合金薄带的感应磁各向异性的方法

    公开(公告)号:KR1019980053043A

    公开(公告)日:1998-09-25

    申请号:KR1019960072079

    申请日:1996-12-26

    Abstract: 금속 산화물의 졸-겔 용액을 제조하는 단계, 졸-겔 용액을 철계 비정질 자성 합금 박대의 표면에 피복하는 단계, 피복된 철계 비정질 자성 합금 박대를 건조시키는 단계, 및 건조된 피복 철계 비정질 자성 합급 박대를 열처리하는 단계로 이루어지는 철계 비정질 자성 합금 박대에 유도 자기 이방성을 형성하는 방법이 제공된다. 산화물의 종류를 적절히 선택함으로써 유도 자기 이방성을 형성시키며, 따라서 직류 및 교류 자기적 성질을 크게 변화시킬 수 있다.

    Tb-Fe계 자기 변형 합금 및 그 제조 방법
    18.
    发明授权
    Tb-Fe계 자기 변형 합금 및 그 제조 방법 失效
    生产TB-FE合金的方法

    公开(公告)号:KR100141022B1

    公开(公告)日:1998-07-15

    申请号:KR1019950027100

    申请日:1995-08-29

    Abstract: 본 발명은 TbFe
    3 에 소량의 B가 첨가되어 이루어진 삼원계 Tb-Fe-B 자기 변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기 변형 합금은 Tb 21.25 내지 23.75 원자%, Fe 63.75 내지 71.25 원자% 및 B 5 내지 15 원자%로 이루어진 모합금을 용해시킨 용탕을 불활성 분위기하에서 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각 롤 위로 분사시켜 급냉시킴에 의해 박대 형태로 제조된다. 본 발명에 의해 제조된 자기 변형 합금은 낮은 자기장에서 우수한 자기 변형 특성을 나타낸다.

    희토류-철계 자기변형 합금 및 그 제조방법
    19.
    发明授权
    희토류-철계 자기변형 합금 및 그 제조방법 失效
    稀土磁转变合金及相同产品的制备方法

    公开(公告)号:KR100120280B1

    公开(公告)日:1997-10-22

    申请号:KR1019940017415

    申请日:1994-07-19

    Abstract: Process for preparing rare earth-iron magnetostriction alloy is claimed. Thus, mother metal consists of 25-30 atom% of Dy, 56-70 atom% of Fe, and 0-15 atom% of B is melted in a quarth furnace which is under the pressure of 1.5x101-2.0x10-1 MPa at 1,200-1,400 deg.C in an inactive atmophere and cooled rapidly at a speed of 1x105-1x107 K/sec by injecting molten metal on a cooling roll which is rolling at a linear velocity of 10-50 m/sec.

    Abstract translation: 要求保护稀土 - 铁磁致伸缩合金的方法。 因此,母金属由25-30原子%的Dy,56-70原子%的Fe组成,0-15原子%的B在1.5×101-2.0×10-1 MPa的压力炉中熔化 在无活性大气中为1200-1400℃,并以1×105-1×107K /秒的速度快速冷却,将熔融金属注入以10-50m /秒的线速度滚动的冷却辊上。

    높은 큐리온도를 갖는 Ge-Mn 자성반도체 제조방법
    20.
    发明公开
    높은 큐리온도를 갖는 Ge-Mn 자성반도체 제조방법 失效
    具有高CURIE温度的Ge-Mn磁性半导体制造方法

    公开(公告)号:KR1020040070868A

    公开(公告)日:2004-08-11

    申请号:KR1020030007079

    申请日:2003-02-05

    Inventor: 임상호 송상훈

    CPC classification number: H01F10/193 H01F1/405 H01F41/20

    Abstract: PURPOSE: A method is provided to increase a curie temperature by forming a Ge-Mn alloy into an amorphous state and using a large amount of Mn. CONSTITUTION: A method comprises a step of designing a Ge-Mn alloy by reflecting thermodynamic properties of Ge semiconductor and Mn magnetic metal; and a step of producing a Ge-Mn alloy thin film by applying different thermal energies to the Ge semiconductor and Mn magnetic metal and performing a simultaneous evaporation through the use of a co-thermal evaporation process. The Ge-Mn alloy has an amorphous state so as to maintain a single phase and contain a magnetic metal of high content of 0 to 48 atomic percent.

    Abstract translation: 目的:通过将Ge-Mn合金形成为非晶状态并使用大量的Mn来提高居里温度的方法。 构成:一种方法包括通过反映Ge半导体和Mn磁性金属的热力学性质来设计Ge-Mn合金的步骤; 以及通过对Ge半导体和Mn磁性金属施加不同的热能并通过使用共热蒸发工艺进行同时蒸发来生产Ge-Mn合金薄膜的步骤。 Ge-Mn合金具有非晶状态,以保持单相并含有0至48原子%的高含量的磁性金属。

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