公开(公告)号：WO2019054555A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/KR2017/012212

申请日：2017-11-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02601 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31116 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 본 발명의 일실시예는, 반도체 기판 상에 금속 나노 입자를 형성하는 금속 나노 입자 형성 단계와, 상기 반도체 기판을 에칭하는 제1 식각 단계와, 상기 금속 나노 입자를 제거하는 금속 나노 입자 제거 단계, 그리고, 상기 제1 식각 단계에서 에칭된 반도체 기판을 에칭하여 나노 구조체를 형성하는 제2 식각 단계를 포함하는 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：WO2019054550A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/KR2017/011586

申请日：2017-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정증현 ,  김원목 ,  박종극

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명의 일관점에 따르면 기판; 상기 기판 상부에 형성된 투명 전도성 산화물 후면전극; 상기 투명 전도성 산화물 후면전극의 상부에 형성된 적어도 Cu, Ga 및 Ag을 포함하는 칼코게나이드계 광흡수층; 및 상기 칼코게나이드계 광흡수층 상부에 형성된 투명 전도성 산화물 전면전극을 포함하며, 상기 칼코게나이드계 광흡수층이 상기 투명 전도성 산화물 후면전극에 접하는 계면영역에는 Cu의 함량이 상기 칼코게나이드계 광흡수층의 평균 Cu 함량에 비해 상대적으로 높은 Cu-과잉영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 칼코게나이드계 태양전지가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060059649A

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020040098796

申请日：2004-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  김원목 ,  안동호 ,  김기범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물

公开(公告)号：KR100767333B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020060046409

申请日：2006-05-24

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 강대환 ,  김인호 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목 ,  김기범

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  G11C13/0004

Abstract: A non-volatile electrical phase-change memory device and a manufacturing method thereof are provided to make a uniform temperature and phase distribution within a phase-change material layer by reducing contact resistance between phase change material and electrode material. A first interlayer dielectric(21), a bottom electrode layer(22), a second interlayer dielectric(23), a phase-change material layer(24) and a top electrode layer(25) are sequentially formed on a silicon substrate(20). A contact hole(23') penetrates the second interlayer dielectric to connect the phase-change material layer with the bottom electrode layer, and is filled with phase change material or bottom electrode material. An interfacial control layer(23") is formed at an interface between the phase change material and the bottom electrode material.

Abstract translation: 提供了一种非易失性电相变存储器件及其制造方法，通过降低相变材料和电极材料之间的接触电阻，使相变材料层内的温度和相位分布均匀。 在硅衬底（20）上依次形成第一层间电介质（21），底电极层（22），第二层间电介质（23），相变材料层（24）和顶电极层（25） ）。 接触孔（23'）穿透第二层间电介质以将相变材料层与底部电极层连接，并填充有相变材料或底部电极材料。 在相变材料和底部电极材料之间的界面处形成界面控制层（23“）。

公开(公告)号：KR100651656B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040098796

申请日：2004-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  김원목 ,  안동호 ,  김기범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물

Abstract translation: 非易失性相变存储单元技术领域本发明涉及一种非易失性相变存储单元，更具体地涉及具有导电性较高但导热系数小且热稳定性优异的透明导电氧化物半导体材料的非易失性相变存储单元 使用。 根据本发明的存储单元可以有效地应用于降低非易失性相变存储器的数据写入和擦除操作所需的功耗。

公开(公告)号：KR101958930B1

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：KR1020170156540

申请日：2017-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  장윤희 ,  김인호 ,  윤희선 ,  정증현

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/05 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101919487B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020170117578

申请日：2017-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101909944B1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：KR1020170096384

申请日：2017-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김원목 ,  정증현

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 레이저가공이용이한후면전극을가지는박막태양전지및 그제조방법이제공된다. 상기박막태양전지는기판상에배치되는후면전극을포함하고, 상기후면전극은상기기판쪽계면에위치하고제1 구조를갖는제1 부분영역(first domain); 상기기판쪽계면과반대쪽에위치하고제2 구조를갖는제2 부분영역(second domain); 및상기제1 부분영역과상기제2 부분영역사이에존재하고, 상기제1 부분영역으로부터상기제2 부분영역으로향하는방향으로구조가상기제1 구조에서상기제2 구조로점진적으로변하는제1 구배부분영역(first gradient domain);을포함한다. 상기박막태양전지는박막태양전지의스크라이빙공정에서후면전극의레이저스크라이빙공정에의한가공성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020160091027A

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：KR1020150011097

申请日：2015-01-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정증현 ,  손유승 ,  박종극 ,  김원목

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0322

Abstract: 폴리이미드기판구조는, 폴리이미드기판; 폴리이미드기판위에형성된금속전극층; 폴리이미드기판의양 표면중 적어도하나의면에형성되고, 열팽창률이금속전극층의열팽창률보다작은물질로구성되는열팽창억제층; 폴리이미드기판및 열팽창억제층사이의계면접찹력을향상시키기위해폴리이미드기판및 열팽창억제층사이에형성되는계면접착층; 및열팽창억제층의손상을억제하기위해열팽창억제층상에형성되는캡핑층을포함한다. 이러한폴리이미드기판구조는박막태양전지에적용할수 있고, 이에따라, 폴리이미드의유효열팽창률을감소시켜서태양전지셀의균열및 박리현상을억제하고, 광흡수층과폴리이미드기판간열팽창불일치로인해발생하는기판의휨 현상을완화할수 있다. 이를통해, 유연박막태양전지제조공정의불량률감소, 생산성향상을기대할수 있고, 광전변환효율열화를최소화할수 있다.

Abstract translation: 聚酰亚胺基板结构包括：聚酰亚胺基板; 形成在聚酰亚胺基板上的金属电极层; 所述热膨胀抑制层形成在所述聚酰亚胺基板的至少一个相对表面上并且由具有低于所述金属电极层的热膨胀率的热膨胀率的材料形成; 在所述聚酰亚胺基板和所述热膨胀抑制层之间形成的界面粘合层，以改善所述聚酰亚胺基板和所述热膨胀抑制层之间的界面粘合力; 以及形成在热膨胀抑制层上以抑制对热膨胀抑制层的损伤的覆盖层。 聚酰亚胺基板结构可以应用于薄膜太阳能电池，因此，聚酰亚胺的有效热膨胀率降低，从而可以抑制太阳能电池的裂纹和分层现象，并且生成基板的弯曲 由于光吸收层和聚酰亚胺基板的热膨胀率之间的差异可以减轻。 由此，能够期待柔性薄膜太阳能电池的制造工序的误差率的降低，生产率的提高，能够使光电转换效率的降低最小化。

公开(公告)号：KR101352537B1

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：KR1020120061357

申请日：2012-06-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김원목 ,  김진수 ,  정증현 ,  백영준 ,  박종극

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 Se 또는 S계 광흡수층 기반 박막태양전지에 있어서 하부 투명전극층의 구조를 제어함으로써 상부 투명전극층의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 비정질 구조의 산화물계 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.