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公开(公告)号:KR1019960011352B1
公开(公告)日:1996-08-22
申请号:KR1019930028525
申请日:1993-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The process includes (a)calcining a mixture of MgO and Nb2O5 primarily at 1,000 deg.C; (b)crushing the calcined powder; (c)producing MgNb2O6 by calcining crushed material secondarily in the temperature range of 1,200 deg.C to 1,500 deg.C and (d)calcining a mixture of said MgNb2O6 and PbO in the temperature range of 800 to 900 deg.C. The process is characterized by inhibiting the formation of secondary phase, which causes the dielectric constant of capacitor to decrease.
Abstract translation: 该方法包括(a)主要在1000℃煅烧MgO和Nb2O5的混合物; (b)粉碎煅烧粉末; (c)通过在1200℃〜1500℃的温度范围内二次煅烧粉碎材料制备MgNb 2 O 6,(d)在800-900℃的温度范围内煅烧所述MgNb 2 O 6和PbO的混合物。 该过程的特征在于抑制二次相的形成,这导致电容器的介电常数降低。
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公开(公告)号:KR1019960010586A
公开(公告)日:1996-04-20
申请号:KR1019940024328
申请日:1994-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/462
Abstract: 본 발명은 고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율(k)이 40미만의 값을 가지며, 첨가물을 산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 어려움이 많은 문제점이 있었다.
이에 본 발명에 의한 고주파 유전체 자기 조성물은 Zn
1-X Sn
x Tio
4 +YTiO
2 의 유전체 자기조성물을 주성분으로 하며, 이때 상기 X, Y는 몰(mol)비로서 0.1<X<0.4, 0<Y<0.1를 가지도록 하는 것이며, 첨가원소는 물에 녹는 염화니켈(NiCl
2 ) 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO
3 )
2- 4H
2 O)형태로 첨가하였다.
또한 이와같은 고주파 유전체 자기조성물을 산화지르코늄(ZrO
2 ), 산화 주석(SnO
2 ), 산화티탄(TiO
2 )으로 구성된 주조성물에 첨가원소로 수용성의 염화니켈(NiCl
2 ), 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO
3 )
2- 4H
2 O)을 첨가하여 혼합후, 1000℃ 내지 1200℃에서 하소 하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1400℃의 온도의 산소 분위기에서 소성하는 순서로 진행되는 제조방법에 의해 제조함을 특징으로 하고 있다.-
公开(公告)号:KR1019960004395B1
公开(公告)日:1996-04-02
申请号:KR1019930017504
申请日:1993-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/462
Abstract: A microwave dielectric magnetic composition comprises Zr1-xSnxTi1-yO4 as a main component with sintering-aiding agent of aZnO + bSb2O3, where 0.1
Abstract translation: 微波介电磁性组合物包含Zr1-xSnxTi1-yO4作为主要成分,其中α0+ bSb2O3的烧结助剂为0.1
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公开(公告)号:KR1019950029229A
公开(公告)日:1995-11-22
申请号:KR1019940008362
申请日:1994-04-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: 본 발명은 스트론튬 타이타니트 산화물(SrTiO
3 )을 주성분으로 하고 환원첨가제로서 Bi
2 O
3 ㅡWO
3 프릿(frit)이 첨가되어 조성된 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 유전체 자기는 주성분 Sr
1 -
2x Ti
1-y O
3 (x=0.05∼0.3㏖% Bi
2 O
3 , y=0.15∼0.9㏖% WO
3 )에 Bi
2 O
3 와 WO
3 를 1 : 3의 몰비로 혼합하여 용융(900℃, 10분)→급냉→분쇄하여 얻어진 Bi
2 O
3 ㅡWO
3 프릿을 환원첨가제로 첨가하여 환원분위기중에서 1400ㅡ1470℃의 온도로 4시간 소결한 후 1250℃에서 2시간 동안 2차 열처리함으로써 제조된다. 본 발명의 유전체 자기는 유전율 60,000 (at 1KHz), 유전손실 0.5%이하, 절연 저항 10
10 Ω- ㎝(DC 25V)로서 매우 양호한 유전특성과 절연저항특성을 나타낸다.-
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公开(公告)号:KR1019940008695B1
公开(公告)日:1994-09-24
申请号:KR1019910024402
申请日:1991-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1272
Abstract: A multicrystalline grain boundary type semiconducting magnetic condenser was manufd. Thus, SrCO3 having 99% of purity and TiO2 were mixed, and calcinated at 1,130 degree C for 2 hrs to give SrTiO3. 1 Mole of SrTiO3, 0.005-0.012 mole of TiO2, 0.003 -0.006 mole of Nb2O5 (TaO5 or Sb2O5) were mixed and crushed in wet process. Obtained powder was molded at 1,530 degree C (±100 degree C/hr) for 4hrs. Silver paste was printed in the both sides of the sintered body at 800 degree C for 10 min to form an electrode.
Abstract translation: 制造了多晶晶界型半导体磁性冷凝器。 因此,将纯度为99%的SrCO 3与TiO 2混合,在1130℃下煅烧2小时,得到SrTiO 3。 将1摩尔SrTiO 3,0.005-0.012摩尔TiO 2,0.003-0.006摩尔Nb 2 O 5(TaO 5或Sb 2 O 5)混合并在湿法中粉碎。 得到的粉末在1530℃(±100℃/小时)下成型4小时。 在烧结体的两面将银浆在800℃下印刷10分钟,形成电极。
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公开(公告)号:KR100632393B1
公开(公告)日:2006-10-12
申请号:KR1020040017149
申请日:2004-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/468
Abstract: 본 발명은 875
o C 이하의 온도에서 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로서 특히, 유전율이 200~1000 범위에 있고, 유전손실값이 3% 미만인 것을 특징으로 한다. 조성물의 구성은 5~20 wt%의 Li
2 OB
2 O
3 -SiO
2 계 유리 프리트와 80~95 wt%의 BaO-TiO
2 계 유전체 세라믹스의 조합으로 구성된다. 본 발명을 통해 개발된 조성물은, 내장 캐패시터 형태로서 세라믹 다층 패키징의 일부를 구성하는데 효과적으로 적용될 수 있다.
고유전율, 저온소성, 유전체, 유리프리트, LTCC
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