公开(公告)号：KR1019970071132A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960013288

申请日：1996-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명은 감광성 열경화제로 치환된 공중합성 단량체를 포함하는 감광성 열경화성 조성물에 관한 것으로, 이 조성물은 (ⅰ) UV 조사에 의해 산이나 염기를 발생하는 단량체; (ⅱ) 공중합성 라디칼 광개시제; (ⅲ) 이온성 광중합용 단량체; 에폭시기를 갖는 올리고머 또는 이들의 혼합물; (ⅳ) 라디칼 광중합용 에틸렌계 불포화 화합물; (ⅴ) 증감제; 및, (ⅵ) 희석제를 구성성분으로 하고 있다. 본 발명의 감광성 열경화성 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 중, 레지스트피막에 남아 있는 용매를 제거하기 위해 실시하는 열건조 공정에서 에폭시의 경화제가 열경화 반응을 일으키지 않고 있다가, UV 조사에 의해서 산성기과 염기성기를 발생하고 이어 열경화 반응을 일으켜서 포토레지스트의 현상성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020170097256A

公开(公告)日：2017-08-28

申请号：KR1020160018378

申请日：2016-02-17

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 조영욱 ,  곽경진 ,  김영순 ,  김광길 ,  맹덕영 ,  박찬진 ,  김진백 ,  정경옥 ,  김수지 ,  천지훈

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D3/20 ,  C11D3/26

Abstract: 본발명은유기용매를포함한박리액의스프레이처리공정중 박리액내의기포발생을최소화하고박리력을향상시키기위하여, 특정타입의블록공중합체를포함하는드라이필름레지스트박리제조성물및 이를이용한드라이필름레지스트를제거하는방법에관한것이다.

Abstract translation: 另外，本发明的干膜抗蚀剂，以在过程中含有有机溶剂时，处理所述除去用溶液的喷雾过程中，剥离液最小化空气夹带和改进的剥离强度，用干膜抗蚀剂剥离剂组合物，它包括特定类型的嵌段共聚物 Lt。

公开(公告)号：KR100770223B1

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：KR1020060105989

申请日：2006-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김경미 ,  김영호 ,  김진백 ,  오태환

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128 ,  Y10S430/146

Abstract: 포토레지스트 형성용 화합물, 이를 포함하는 저분자 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법에서, 상기 조성물은 환형 잔기를 갖는 화합물 7 내지 14 중량%와, 광산 발생제 0.1 내지 0.5 중량%와 여분의 유기 용매를 포함한다. 상기 저분자 포토레지스트 조성물은 환형 구조의 잔기를 기본 골격으로 하는 상기 화합물을 포함하고 있어 일반적으로 사용되는 저분자 포토레지스트 조성물의 장점을 갖는 동시에 기존의 포토레지스트 조성물에 비해 상대적으로 높은 내식각성을 갖는다.

公开(公告)号：KR100599405B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020030058526

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김경선

IPC: C07C245/18

Abstract: 본 발명은 하기 구조식 (I) 또는 (Ⅱ)로 표시되는 다이아조 케토 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체 및 메타아크릴레이트 단량체, 상기 단량체를 함유하는 중합체, 상기 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
구조식(I) 구조식 (Ⅱ)

본 발명에 따른 다이아조 케토 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체, 및 메타아크릴레이트 단량체를 이용하여 형성된 중합체는 기존 포토레지스트의 메트릭스 중합체로 사용되는 것들과는 달리 광산발생제의 첨가 없이 단지 빛에 의해 카르복시산이 발생한다. 또한 본 발명의 포토레지스트 중합체는 노광 후 열을 가하는 시간 (post exposure bake)동안 발생하는 T-top 현상, 산의 확산에 의한 문제점, 패턴의 붕괴 등의 문제점들이 발생하지 않는 장점을 지니고 있다. 뿐만 아니라 접착성이 우수하고 범용 현상액인 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (TMAH) 수용액에 현상이 가능하여 고집적 반도체 소자의 미세회로를 제조할 때 원 자외선 영역의 KrF (248nm)과 ArF (193nm) 광원을 이용한 리소그래피 공정에 매우 유용하게 사용될 수 있다.

다이아조 케토, 포토레지스트

公开(公告)号：KR1020050020511A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030058526

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김경선

IPC: C07C245/18

Abstract: PURPOSE: Provided are polymers prepared by polymerization of norbornene, acrylate and methacrylate monomers. The polymers generate carboxyl acid without addition of photoacid generator. The photoresist polymers not only have advantages of no T-top phenomenon, no problems related with acid diffusion and no pattern disruption during post exposure bake period but also are useful for lithography process using KrF and ArF light source in the far infrared region in preparing microcircuit of highly integrated semiconducting device. CONSTITUTION: The polymer comprises the monomers represented by formula (I), (II), (III), (IV), wherein R1 and R2 are independently C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy and phenyl; R3 is hydrogen, C1-20 alkyl, C1-20 alkoxy, phenyl, C1-20 hydroxy alkyl, C1-20 alkoxy alkyl, C6-30 aliphatic cyclic hydrocarbon, C6-30 aliphatic lactone; R4 is independently hydrogen, C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy, phenyl; and R5 is independently C1-4 alkylene, C1-4 alkoxy, phenyl or C6-30 aliphatic lactone. The photoresist composition comprises the polymers represented by formula (V), (VI), (VII), (VIII) and (IX), wherein R1 and R2 are independently C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy, phenyl; R3 is hydrogen, C1-20 alkyl, C1-20 alkoxy, phenyl, C1-20 hydroxy alkyl, C1-20 alkoxy alkyl, C6-30 aliphatic cyclic hydrocarbon, C6-30 aliphatic lactone; n is degree of polymerization value of 1000; x and y are mole ratio wherein x + y

Abstract translation: 目的：提供通过降冰片烯，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯单体聚合制备的聚合物。 聚合物生成羧酸而不添加光酸发生剂。 光致抗蚀剂聚合物不仅具有没有T顶现象的优点，与酸扩散有关的问题，在曝光前曝晒期间没有图案破裂，而且在制备微电路的远红外区域中使用KrF和ArF光源的光刻工艺是有用的 的高度集成的半导体器件。 构成：聚合物包含由式（I），（II），（III），（IV）表示的单体，其中R 1和R 2独立地为C 1-4烷基，C 1-4烷氧基和苯基; R3是氢，C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，C1-20羟基烷基，C1-20烷氧基烷基，C6-30脂肪族环烃，C6-30脂肪族内酯; R4独立地是氢，C1-4烷基，C1-4烷氧基，苯基; 且R 5独立地为C 1-4亚烷基，C 1-4烷氧基，苯基或C 6-30脂肪族内酯。 光致抗蚀剂组合物包含由式（V），（VI），（VII），（VIII）和（IX）表示的聚合物，其中R 1和R 2独立地为C 1-4烷基，C 1-4烷氧基，苯基; R3是氢，C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，C1-20羟基烷基，C1-20烷氧基烷基，C6-30脂肪族环烃，C6-30脂肪族内酯; n为聚合度值1000; x和y是摩尔比，其中x + y <= 1。

公开(公告)号：KR100314761B1

公开(公告)日：2001-11-17

申请号：KR1019990006989

申请日：1999-03-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  이범욱

IPC: C07C69/73

CPC classification number: C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: 본발명은노르보르넨에콜릭산, 디옥시콜릭산또는리소콜릭산유도체를결합시킨단량체를단독중합하거나또는말레산무수물과공중합하거나또는말레산무수물및 2-하이드록시에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트또는 5-노르보르넨-2-카르복실릭산을단독또는혼합하여중합시킨중합체및 그용도에관한것이다. 본발명은노르보르넨에콜릭산또는디옥시콜릭산또는리소콜릭산유도체를결합시켜단량체를합성하고이 단량체들을단독중합하거나또는말레산무수물과공중합하거나또는말레산무수물및 2-하이드록시에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트또는 5-노르보르넨-2-카르복실릭산과단독또는혼합하여라디칼중합을시켜중합체를제조한다. 본발명에서합성한중합체는광산발생제와함께용제에녹인다음필터에여과하여포토레지스트용액을만들고이 것으로부터미세화상을얻는용도로이용할수 있다.

公开(公告)号：KR100220951B1

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019960068911

申请日：1996-12-20

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김현우 ,  김진석

IPC: C08F261/02 ,  C08F8/02 ,  C08F8/28

CPC classification number: G03F7/039 ,  C08F8/00 ,  C08F8/48 ,  C08F216/06 ,  C08F216/1416 ,  C08F216/38 ,  G03F7/0045 ,  C08F8/28 ,  C08F218/08

Abstract: 본 발명은 원자외선 영역에서 사용될 수 있는 새로운 포토레지스트 물질로서 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 공중합체는 원자외선 영역에서 흡광도가 매우 낮아 뛰어난 투명성을 나타내고, 주쇄의 아세탈 구조와 치환기의 아세탈 구조에 의해 내건식에칭성이 향상되었다.

公开(公告)号：KR100180974B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019980036332

申请日：1998-09-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: G03F7/039

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다:

상기 식에서,
R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고;
R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며;
R
3 는 -OR', -SO
3 R', -CO
2 R', -PO
3 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고;
R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며;
R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R
5 와 동일한 기이고; 및,
m은 0 내지 10의 정수이다.

公开(公告)号：KR100178475B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950030063

申请日：1995-09-14

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  정민호 ,  장경호

IPC: C07D207/26

CPC classification number: C07D207/273 ,  C07D207/277 ,  C07D223/10 ,  C07D405/12 ,  C08F26/06 ,  C08F26/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0387 ,  G03F7/039

Abstract: 본 발명은 비닐락탐의 3위치에 여러종류의 보호기를 도입한 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규한 N-비닐락탐 유도체, 그의 중합체 및 이들 중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 초미세가공(microlithography)에서 원자외선 노광에 적합한 고감도, 고해상성의 화상을 형성할 수 있는 포토레지스트 재료로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 의해 제조된 포토레지스트는 초미세회로의 형성이 가능할 뿐만 아니라, 패턴형성의 공정도 획기적으로 개선할 수 있다.
상기 식에서, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 -OR-, SO
3 R', -CO
2 R', -PO
3 R', SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기; 시클로알킬기; N, O, P, S의 헤테로 원자를 포함한 시클로기; 또는, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이며; R
3 은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기, 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기 또는 R
2 와 동일한 기이고; R
4 및 R
5 는 -OH, -OR(R은 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기) 또는 R
1 과 동일한 기이며; 및, m은 0 내지 10의 정수이다

公开(公告)号：KR100160163B1

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019940032189

申请日：1994-11-30

Applicant: 한국타이어월드와이드 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 임성수 ,  김진백

IPC: C08K3/36

Abstract: 본 발명은 자동차용 타이어를 제조하기 위한 고무조성물에 강도를 부여하기 위하여 투입하는 충전제에 관한 것으로, 수소이온 농도가 0.1-13ph인 수용액에 실리카계 충전제를 투입한 후, 이에 계면활성제, 디엔계 단량체, 그리고 라디칼 개시제를 가하여 중합하므로서, 무기 충전제의 입자 표면 전하와 계면활성제 간의 정전기적 인력으로 무기 충전제 입자 표면에 계면활성제를 흡착시키고, 무기 충전제 입자 표면에 형성된 계면활성제 응집체의 소수성 영역에 유기 단량체를 선택적으로 용해시켜 중합하므로써 무기 충전제 표면을 유기고분자로 피복하여 캡슐화하는 것을 특징으로 하는 하며, 이러한 본 발명의 디엔계 고무로 피복된 캡슐화 실리카를 배합하여 이루어진 고무조성물은 가공성, 가류특성, 실리카계 충전제의 분산성, 내찢김성, 내피로성, � ��장강도, 인장탄성율 등이 우수하다.