Abstract:
본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명의 일 측면에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 박막 형성 활성층; 상기 박막 형성 활성층 상에 직접 위치하고 제1 전극인 금속 박막; 상기 금속 박막 상에 위치하는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극;을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve stability by using an upper dielectric layer having hydrophobicity formed in a channel region. CONSTITUTION: A base gate dielectric layer (200) is formed on a gate. A hydrophobic layer (300) is formed between a source and a drain. An organic semiconductor layer (500) is formed in the source and the drain. The organic semiconductor layer is formed on the hydrophobic layer. The hydrophobic layer is made of cytop.
Abstract:
PURPOSE: A high contrast organic light emitting device and a display apparatus comprising the same are provided to increase light intensity by using a micro cavity structure. CONSTITUTION: A first electrode(502) is formed in the upper part of a substrate. An organic layer(503) is formed in the upper part of the first electrode. A second electrode(504) is formed in the upper part of the organic layer. The first electrode includes a transparent or semi-transparent electrode layer. The second electrode includes a reflection electrode layer.
Abstract:
본 발명은 광 추출 효율이 향상된 유기 발광 소자에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 패터닝되어 배치되고, 패터닝된 단부와 상기 제1 전극층의 표면과 형성하는 테이퍼 각(taper angle)이 20도 내지 60도이고, 상기 제1 전극층 또는 유기 발광층과 굴절률이 다른 재료로 형성된 굴절층; 상기 패터닝된 굴절층을 덮으며, 상기 굴절층의 패터닝 된 단부와 접하도록 상기 제1 전극층 상에 배치된 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극층;을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: An organic dry jet printing head, a printing device using the same and a method thereof are provided to reduce the spreading of pattern under atmospheric condition by forming patterns through a repetition injection method of a short high speed jet. CONSTITUTION: An organic dry jet printing head comprises a head body(10), a carrier gas supplier(20), an opening/closing valve(30), and a control unit(40). The head body stores organic materials which form a thin film or patterns on a substrate. The head body is connected to the organic material injection nozzle(16). The carrier gas supplier transfers the carrier gas to the inner side of the head body and spreads the organic material of the head body on the substrate through a nozzle. The opening/closing valve is installed on a part through which carrier gas passes in the carrier gas supplier or the head body. The opening/closing valve controls the flow of carrier gas.
Abstract:
투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛 및 이를 이용한 투명 풀컬러 액정 디스플레이가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛은 투명기판 상부에 형성되는 제1 투명전극; 디스플레이 소자의 적색 서브픽셀 위치에 상응하는 상기 제1 투명전극 상부에 형성되어 적색 파장을 방출하는 적색 OLED; 상기 디스플레이 소자의 녹색 서브픽셀 위치에 상응하는 상기 제1 투명전극 상부에 형성되어 녹색 파장을 방출하는 녹색 OLED; 상기 디스플레이 소자의 청색 서브픽셀 위치에 상응하는 상기 제1 투명전극 상부에 형성되어 청색 파장을 방출하는 청색 OLED; 및 상기 적색 OLED, 상기 녹색 OLED 및 상기 청색 OLED 상부에 형성되는 제2 투명전극을 포함할 수 있다. 투명, 유기발광다이오드(OLED), 백라이트 유닛(BLU), 시스루(see-through), 투명 액정 디스플레이
Abstract:
A manufacturing method and a structure of a thin film transistor are provided to prevent harmful environment by forming a titanium oxide as an active layer of the thin film transistor. An active layer(140) is formed on a substrate(110) by using a polycrystalline or amorphous titanium oxide layer. An insulating layer(150) is formed on the active layer. A gate electrode(160) is formed on the insulating layer. A source electrode(120) and a drain electrode(130) are formed on the substrate. The source electrode and the drain electrode are covered with an active layer. The source electrode and the drain electrode are covered with an insulating layer. The active layer is formed by using Ti-doped TiOx. The Ti-doped TiOx is formed by diffusing Ti atoms to the polycrystalline or amorphous titanium oxide layer.