iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법
    11.
    发明授权
    iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법 有权
    使用iCVD工艺的绝缘层形成方法

    公开(公告)号:KR101401601B1

    公开(公告)日:2014-06-02

    申请号:KR1020120089899

    申请日:2012-08-17

    CPC classification number: H01L51/052

    Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
    본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.

    유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
    13.
    发明公开
    유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130073183A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:KR1020110140896

    申请日:2011-12-23

    Inventor: 유승협 문한얼

    CPC classification number: H01L51/0529 H01L51/0021 H01L51/0545 H01L51/105

    Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve stability by using an upper dielectric layer having hydrophobicity formed in a channel region. CONSTITUTION: A base gate dielectric layer (200) is formed on a gate. A hydrophobic layer (300) is formed between a source and a drain. An organic semiconductor layer (500) is formed in the source and the drain. The organic semiconductor layer is formed on the hydrophobic layer. The hydrophobic layer is made of cytop.

    Abstract translation: 目的:提供有机薄膜晶体管及其制造方法,以通过使用在沟道区域中形成疏水性的上介电层来提高稳定性。 构成:在栅极上形成基极电介质层(200)。 在源极和漏极之间形成疏水层(300)。 在源极和漏极中形成有机半导体层(500)。 在疏水层上形成有机半导体层。 疏水层由cytop制成。

    고명암비 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
    14.
    发明授权
    고명암비 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 有权
    高对比有机发光装置和包括其的显示装置

    公开(公告)号:KR101271413B1

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:KR1020110131467

    申请日:2011-12-09

    Inventor: 유승협 조현수

    CPC classification number: H01L51/5284 H01L51/5218 H01L51/5234 H01L51/5281

    Abstract: PURPOSE: A high contrast organic light emitting device and a display apparatus comprising the same are provided to increase light intensity by using a micro cavity structure. CONSTITUTION: A first electrode(502) is formed in the upper part of a substrate. An organic layer(503) is formed in the upper part of the first electrode. A second electrode(504) is formed in the upper part of the organic layer. The first electrode includes a transparent or semi-transparent electrode layer. The second electrode includes a reflection electrode layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种高对比度有机发光装置和包括该发光装置的显示装置,以通过使用微腔结构来增加光强度。 构成:在基板的上部形成有第一电极(502)。 在第一电极的上部形成有机层(503)。 第二电极(504)形成在有机层的上部。 第一电极包括透明或半透明电极层。 第二电极包括反射电极层。

    유기 드라이 젯 프린팅 헤드 및 이를 이용한 프린팅 장치 및 방법
    16.
    发明公开
    유기 드라이 젯 프린팅 헤드 및 이를 이용한 프린팅 장치 및 방법 有权
    有机干燥喷墨头和打印装置及使用该打印装置的方法

    公开(公告)号:KR1020100044565A

    公开(公告)日:2010-04-30

    申请号:KR1020080103751

    申请日:2008-10-22

    Abstract: PURPOSE: An organic dry jet printing head, a printing device using the same and a method thereof are provided to reduce the spreading of pattern under atmospheric condition by forming patterns through a repetition injection method of a short high speed jet. CONSTITUTION: An organic dry jet printing head comprises a head body(10), a carrier gas supplier(20), an opening/closing valve(30), and a control unit(40). The head body stores organic materials which form a thin film or patterns on a substrate. The head body is connected to the organic material injection nozzle(16). The carrier gas supplier transfers the carrier gas to the inner side of the head body and spreads the organic material of the head body on the substrate through a nozzle. The opening/closing valve is installed on a part through which carrier gas passes in the carrier gas supplier or the head body. The opening/closing valve controls the flow of carrier gas.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机干式喷墨打印头,使用其的打印装置及其方法,其通过以短的高速喷射的重复喷射方法形成图案来减小图案在大气条件下的扩展。 构成:有机干式喷墨打印头包括头体(10),载气供应器(20),打开/关闭阀(30)和控制单元(40)。 头体存储在基底上形成薄膜或图案的有机材料。 头体连接到有机材料喷嘴(16)。 载气供应器将载气转移到头体的内侧,并通过喷嘴将头体的有机材料通过喷嘴扩散到基底上。 开/关阀安装在载气供应商或头体内通过载气的部件上。 开/关阀控制载气的流动。

    투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛 및 이를 이용한 투명풀컬러 액정 디스플레이
    17.
    发明授权
    투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛 및 이를 이용한 투명풀컬러 액정 디스플레이 失效
    투명유기발광다이오드백라이트유닛및이를이용한투명풀컬러액정디스플레이

    公开(公告)号:KR100932239B1

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:KR1020080048217

    申请日:2008-05-23

    Abstract: 투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛 및 이를 이용한 투명 풀컬러 액정 디스플레이가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 백라이트 유닛은 투명기판 상부에 형성되는 제1 투명전극; 디스플레이 소자의 적색 서브픽셀 위치에 상응하는 상기 제1 투명전극 상부에 형성되어 적색 파장을 방출하는 적색 OLED; 상기 디스플레이 소자의 녹색 서브픽셀 위치에 상응하는 상기 제1 투명전극 상부에 형성되어 녹색 파장을 방출하는 녹색 OLED; 상기 디스플레이 소자의 청색 서브픽셀 위치에 상응하는 상기 제1 투명전극 상부에 형성되어 청색 파장을 방출하는 청색 OLED; 및 상기 적색 OLED, 상기 녹색 OLED 및 상기 청색 OLED 상부에 형성되는 제2 투명전극을 포함할 수 있다.
    투명, 유기발광다이오드(OLED), 백라이트 유닛(BLU), 시스루(see-through), 투명 액정 디스플레이

    Abstract translation: 目的:提供透明有机发光二极管背光单元和使用其的透明全色液晶显示器,以通过使用从透明OLED背光单元发射的三色光来去除滤色器和透明全色液晶显示器。 组成:透明有机发光二极管背光单元包括第一透明电极,红色OLED,绿色OLED,蓝色OLED和第二透明电极。 第一透明电极(120)形成在透明基板(110)上。 红色OLED(130)形成在与显示装置的红色子像素位置相对应的第一透明电极上并发出红色波长。 绿色OLED(140)形成在与显示装置的绿色子像素位置对应的第一透明电极上并发出绿色波长。 蓝色OLED(150)形成在与显示装置的蓝色子像素位置对应的第一透明电极上并发出蓝色波长。 第二透明电极(160)形成在红色OLED,绿色OLED和蓝色OLED上。

    산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 구조
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100930057B1

    公开(公告)日:2009-12-08

    申请号:KR1020070101638

    申请日:2007-10-09

    Inventor: 박재우 유승협

    Abstract: A manufacturing method and a structure of a thin film transistor are provided to prevent harmful environment by forming a titanium oxide as an active layer of the thin film transistor. An active layer(140) is formed on a substrate(110) by using a polycrystalline or amorphous titanium oxide layer. An insulating layer(150) is formed on the active layer. A gate electrode(160) is formed on the insulating layer. A source electrode(120) and a drain electrode(130) are formed on the substrate. The source electrode and the drain electrode are covered with an active layer. The source electrode and the drain electrode are covered with an insulating layer. The active layer is formed by using Ti-doped TiOx. The Ti-doped TiOx is formed by diffusing Ti atoms to the polycrystalline or amorphous titanium oxide layer.

    Abstract translation: 提供薄膜晶体管的制造方法和结构以通过形成作为薄膜晶体管的有源层的氧化钛来防止有害的环境。 通过使用多晶或无定形钛氧化物层在衬底(110)上形成有源层(140)。 在有源层上形成绝缘层(150)。 栅电极(160)形成在绝缘层上。 在衬底上形成源电极(120)和漏电极(130)。 源电极和漏电极被有源层覆盖。 源电极和漏电极被绝缘层覆盖。 有源层通过使用Ti掺杂的TiOx形成。 Ti掺杂TiOx是通过将Ti原子扩散到多晶或无定形氧化钛层而形成的。

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