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公开(公告)号：KR101528347B1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130137170
申请日：2013-11-12
Applicant: 한국기계연구원
IPC: B23K26/36 , B23K26/10 , B23K26/067
Abstract: 본발명의일 측면에따른레이저를이용한선택적박리장치는기판에서 LED 셀을박리하는레이저를이용한선택적박리장치에있어서, 레이저를발생시키는레이저발생부와, LED 셀이형성된기판을지지하는지지대, 및상기기판의하부에설치되며 LED 셀을기판에서박리하는분리부재를포함하고, 상기분리부재는상기 LED 셀과맞닿는박리팁과상기박리팁을진동시키는진동형성부를포함한다.
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公开(公告)号：KR101462381B1
公开(公告)日：2014-11-18
申请号：KR1020130040041
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 팁 가공장치 장치는 가공용 팁을 파지하는 지그와, 상기 가공용 팁을 향하여 레이저를 조사하는 레이저 조사부와, 상기 지그를 제1 방향, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 이송시키는 이송 스테이지와, 상기 지그를 상기 제1 방향과 평행한 중심축으로 회동시키는 제1 회동부재와, 상기 지그를 상기 제2 방향과 평행한 중심축으로 회동시키는 제2 회동부재, 및 상기 지그를 상기 제3 방향과 평행한 중심축으로 회동시키는 제3 회동부재를 포함하고, 상기 레이저 조사부는 팁의 여유면에 패턴을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140123192A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：KR1020130040041
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 팁 가공장치 장치는 가공용 팁을 파지하는 지그와, 상기 가공용 팁을 향하여 레이저를 조사하는 레이저 조사부와, 상기 지그를 제1 방향, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 이송시키는 이송 스테이지와, 상기 지그를 상기 제1 방향과 평행한 중심축으로 회동시키는 제1 회동부재와, 상기 지그를 상기 제2 방향과 평행한 중심축으로 회동시키는 제2 회동부재, 및 상기 지그를 상기 제3 방향과 평행한 중심축으로 회동시키는 제3 회동부재를 포함하고, 상기 레이저 조사부는 팁의 여유면에 패턴을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，尖端加工装置包括：夹具加工尖端的夹具; 将激光照射到所述加工尖端的激光照射部; 传送台沿第一方向传送夹具，与第一方向交叉的第二方向和与第一和第二方向相交的第三方向; 第一旋转构件，使夹具在与第一方向平行的中心轴上旋转; 第二旋转构件，使夹具在与第二方向平行的中心轴上旋转; 以及第三旋转构件，其在与所述第三方向平行的中心轴上旋转所述夹具，其中，所述激光照射部能够在所述尖端的间隙面上形成图案。
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公开(公告)号：KR101285876B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020110044829
申请日：2011-05-12
Applicant: 한국기계연구원
IPC: B23K26/57 , B23K26/082 , H01S3/10 , H01L21/302
Abstract: 본 발명의 목적은 펨토초 레이저와 같은 극초단 펄스 레이저를 이용하여 비열적 가공을 구현함으로써 원하는 부위의 기판 상 박막을 선택적으로 제거할 수 있도록 하는, 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치는, 기판 상 박막이 형성된 형태의 가공 대상물(500)의 박막을 선택적으로 제거하여 가공 또는 수정 공정을 수행하는 기판 상 박막의 선택적 제거 장치(100)에 있어서, 극초단 펄스 레이저 빔을 발생시키는 레이저 광원(110); 상기 레이저 광원(110)에서 발생된 빔을 분광하여 상기 가공 대상물(500) 측으로 보내는 빔 스플리터(beam splitter, 120); 상기 빔 스플리터(120)에서 보내진 빔을 상기 가공 대상물(500)의 가공 부위로 집광하는 대물 렌즈(130); 상기 가공 대상물(500)이 그 위에 놓여지며, 제어부(150)에 의하여 x, y, z 3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 스테이지(140); 을 포함하여 이루어지며, 상기 레이저 광원(110)은 펄스폭이 펨토초 이하의 레이저를 발생시키도록 형성되는 것을 특징으로 한다.-
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公开(公告)号：KR1020120126787A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110044833
申请日：2011-05-12
Applicant: 한국기계연구원
IPC: B23K26/70 , B23K26/046 , B23K26/08 , G02B26/00
Abstract: PURPOSE: A hybrid laser processing apparatus using a vibrating element is provided to control the processing depth of a work piece according to the vibrating range of a vibrating element of an optical system. CONSTITUTION: A hybrid laser processing apparatus comprises a laser source(110), a beam splitter(120), an objective lens(130), a stage(140), and a vibrating element(160). The laser source generates ultra-short pulse laser beams. The beam splitter divides the laser beams generated by the laser source and transmits the split beams to a work piece. The objective lens concentrates the beams transmitted from the beam splitter to a target portion of the work piece. The stage, on which the work piece is placed, can be moved in x-, y-, and z-axis directions by a control unit(150). The vibrating element is connected to the objective lens and controlled by the control unit to apply vibration to the objective lens.
Abstract translation: 目的：提供一种使用振动元件的混合式激光加工装置，以根据光学系统的振动元件的振动范围来控制工件的加工深度。 构成：混合式激光加工装置包括激光源（110），分束器（120），物镜（130），台（140）和振动元件（160）。 激光源产生超短脉冲激光束。 分束器分割由激光源产生的激光束，并将分束传送到工件。 物镜将从分束器传输的光束集中到工件的目标部分。 通过控制单元（150）可以在x，y和z轴方向上移动放置工件的平台。 振动元件连接到物镜，由控制单元控制，以对物镜施加振动。
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公开(公告)号：KR1020100032650A
公开(公告)日：2010-03-26
申请号：KR1020080091627
申请日：2008-09-18
Applicant: 한국기계연구원
IPC: B23K26/384 , B23C3/28
Abstract: PURPOSE: A groove processing method using laser and a cutting tool is provided to reduce processing time by processing a hard mold with the laser, and to improve quality of processed objects by processing a groove with the cutting tool again. CONSTITUTION: A groove processing method using laser and a cutting tool comprises a step for forming a preliminary groove(132) by irradiating the laser on an object to be processed and a step for forming the finished groove(135) by expanding the preliminary groove with the cutting too. The laser uses an ultrashort pulse laser cutting tool. The ultrashort pulse laser is pemto second or a pico second pulse laser.
Abstract translation: 目的：提供使用激光和切割工具的凹槽加工方法，通过用激光加工硬质模具来减少加工时间，并通过再次利用切削工具处理凹槽来提高加工对象的质量。 构成：使用激光和切割工具的凹槽加工方法包括通过将激光照射在待处理物体上形成预备凹槽（132）的步骤和通过使预备凹槽（135）的扩展来形成精加工凹槽（135）的步骤， 切割也是。 激光器采用超短脉冲激光切割工具。 超短脉冲激光器是第二或第二脉冲激光。
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公开(公告)号：KR1020090117020A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020080042880
申请日：2008-05-08
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L21/304 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02098
Abstract: PURPOSE: A dry cleaning method of a wafer by plasma formation induced is provided to remove a contaminant without damage to a substrate by outputting high peak output with low laser energy. CONSTITUTION: In a dry cleaning method of a wafer by plasma formation induced by a femtosecond laser, the femtosecond laser(110) is radiated to be parallel with a beam axis and a wafer surface so that the wafer surface(130) is cleaned. The beam of the femtosecond laser is implemented as a line plasma dot of self filament. The beam axis(A) of the femtosecond laser and the distance(D) of the wafer is 100~200um. A pulse width of the femtosecond laser is 100fs and the energy of the femtosecond laser is 3.0mJ. The femtosecond laser has a repetition rate of 1KHz, and an output of 1.15W, and a scan speed of 0.5nm.
Abstract translation: 目的：提供通过等离子体形成诱导的晶片的干式清洗方法，通过以低激光能量输出高峰值输出来去除污染物而不损坏基板。 构成：在通过由飞秒激光引起的等离子体形成的晶片的干式清洗方法中，飞秒激光（110）被辐射以与光束轴和晶片表面平行，从而清洁晶片表面（130）。 飞秒激光的光束被实现为自细丝的线等离子体点。 飞秒激光的光束轴（A）和晶片的距离（D）为100〜200um。 飞秒激光的脉冲宽度为100fs，飞秒激光的能量为3.0mJ。 飞秒激光的重复频率为1KHz，输出为1.15W，扫描速度为0.5nm。
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公开(公告)号：KR1020060047071A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040092902
申请日：2004-11-15
Applicant: 한국기계연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 근접장 레이저 패터닝 장치를 이용하여 이미지 패턴을 형성하는 경우에 이 패턴의 검출이 용이하도록 표시할 수 있는 근접장 레이저 패터닝 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 근접장 레이저 패터닝 방법은, 광원으로부터 발생되는 레이저빔으로 가공물에 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 프로브의 선단에 마련된 개구부를 통해 레이저빔을 가공물에 조사하는 단계와, 상기 프로브의 선단과 가공물을 근접시키는 단계와, 상기 가공물에 이미지 패턴(image pattern)을 형성하는 단계와, 상기 가공물의 이미지 패턴 주변에 마킹 패턴(marking pattern)을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 마킹 패턴을 형성하는 단계는 상기 레이저빔의 세기를 증폭시켜 형성하거나, 상기 레이저빔의 광량을 증폭시켜 형성할 수 있다.
근접장, 레이저, 마킹 패턴, 패터닝
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