公开(公告)号：KR101285876B1

公开(公告)日：2013-07-12

申请号：KR1020110044829

申请日：2011-05-12

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  김재구 ,  황경현

IPC: B23K26/57 ,  B23K26/082 ,  H01S3/10 ,  H01L21/302

Abstract: 본 발명의 목적은 펨토초 레이저와 같은 극초단 펄스 레이저를 이용하여 비열적 가공을 구현함으로써 원하는 부위의 기판 상 박막을 선택적으로 제거할 수 있도록 하는, 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치는, 기판 상 박막이 형성된 형태의 가공 대상물(500)의 박막을 선택적으로 제거하여 가공 또는 수정 공정을 수행하는 기판 상 박막의 선택적 제거 장치(100)에 있어서, 극초단 펄스 레이저 빔을 발생시키는 레이저 광원(110); 상기 레이저 광원(110)에서 발생된 빔을 분광하여 상기 가공 대상물(500) 측으로 보내는 빔 스플리터(beam splitter, 120); 상기 빔 스플리터(120)에서 보내진 빔을 상기 가공 대상물(500)의 가공 부위로 집광하는 대물 렌즈(130); 상기 가공 대상물(500)이 그 위에 놓여지며, 제어부(150)에 의하여 x, y, z 3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 스테이지(140); 을 포함하여 이루어지며, 상기 레이저 광원(110)은 펄스폭이 펨토초 이하의 레이저를 발생시키도록 형성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020120126787A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110044833

申请日：2011-05-12

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  김재구 ,  황경현

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/046 ,  B23K26/08 ,  G02B26/00

Abstract: PURPOSE: A hybrid laser processing apparatus using a vibrating element is provided to control the processing depth of a work piece according to the vibrating range of a vibrating element of an optical system. CONSTITUTION: A hybrid laser processing apparatus comprises a laser source(110), a beam splitter(120), an objective lens(130), a stage(140), and a vibrating element(160). The laser source generates ultra-short pulse laser beams. The beam splitter divides the laser beams generated by the laser source and transmits the split beams to a work piece. The objective lens concentrates the beams transmitted from the beam splitter to a target portion of the work piece. The stage, on which the work piece is placed, can be moved in x-, y-, and z-axis directions by a control unit(150). The vibrating element is connected to the objective lens and controlled by the control unit to apply vibration to the objective lens.

Abstract translation: 目的：提供一种使用振动元件的混合式激光加工装置，以根据光学系统的振动元件的振动范围来控制工件的加工深度。 构成：混合式激光加工装置包括激光源（110），分束器（120），物镜（130），台（140）和振动元件（160）。 激光源产生超短脉冲激光束。 分束器分割由激光源产生的激光束，并将分束传送到工件。 物镜将从分束器传输的光束集中到工件的目标部分。 通过控制单元（150）可以在x，y和z轴方向上移动放置工件的平台。 振动元件连接到物镜，由控制单元控制，以对物镜施加振动。

公开(公告)号：KR1020090117020A

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020080042880

申请日：2008-05-08

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  유병헌 ,  장원석 ,  김재구 ,  최두선

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02098

Abstract: PURPOSE: A dry cleaning method of a wafer by plasma formation induced is provided to remove a contaminant without damage to a substrate by outputting high peak output with low laser energy. CONSTITUTION: In a dry cleaning method of a wafer by plasma formation induced by a femtosecond laser, the femtosecond laser(110) is radiated to be parallel with a beam axis and a wafer surface so that the wafer surface(130) is cleaned. The beam of the femtosecond laser is implemented as a line plasma dot of self filament. The beam axis(A) of the femtosecond laser and the distance(D) of the wafer is 100~200um. A pulse width of the femtosecond laser is 100fs and the energy of the femtosecond laser is 3.0mJ. The femtosecond laser has a repetition rate of 1KHz, and an output of 1.15W, and a scan speed of 0.5nm.

Abstract translation: 目的：提供通过等离子体形成诱导的晶片的干式清洗方法，通过以低激光能量输出高峰值输出来去除污染物而不损坏基板。 构成：在通过由飞秒激光引起的等离子体形成的晶片的干式清洗方法中，飞秒激光（110）被辐射以与光束轴和晶片表面平行，从而清洁晶片表面（130）。 飞秒激光的光束被实现为自细丝的线等离子体点。 飞秒激光的光束轴（A）和晶片的距离（D）为100〜200um。 飞秒激光的脉冲宽度为100fs，飞秒激光的能量为3.0mJ。 飞秒激光的重复频率为1KHz，输出为1.15W，扫描速度为0.5nm。

公开(公告)号：KR1020130133382A

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：KR1020120056576

申请日：2012-05-29

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  황경현 ,  윤지욱 ,  박정규

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/568

Abstract: The non-thermal repair method for a wide-size active matrix organic light emitting diode (AMOLED) using a ultrashort pulse laser is a method for repairing defective pixels of an AMOLED, comprising: a preparation step of determining processing conditions including a laser's threshold value regarding the physical or morphological characteristics of each layer constituting an AMOLED; and a processing step of radiating a ultrashort pulse laser having the determined processing conditions on a processing target area of the AMOLED.

Abstract translation: 使用超短脉冲激光器的宽幅有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）的非热修复方法是修复AMOLED的缺陷像素的方法，包括：准备步骤，确定包括激光器阈值的处理条件 关于构成AMOLED的各层的物理或形态特征; 以及将具有确定的处理条件的超短脉冲激光辐射到AMOLED的处理目标区域上的处理步骤。

公开(公告)号：KR1020130094893A

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020120016139

申请日：2012-02-17

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  윤지욱 ,  박정규 ,  황경현 ,  김재구

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/568

Abstract: PURPOSE: A non-thermal repair method of a flexible active matrix organic light emitting diode (AMOLED) using an ultrashort pulse laser and a device thereof improve the productivity of a product by processing only bad parts and preventing damage to a peripheral part of a target due to heat. CONSTITUTION: A laser light source (110) generates ultrashort pulse laser light. A lens unit (120) irradiates the laser generated from the laser light source to a processed part of a processed target (500). A stage (130) is formed to move in three directions including X, Y, Z axes, and the processed target is laid on the stage. A photographing unit (140) obtains image information by photographing the processed part of the processed target. A control unit (150) controls the three-axis movement of the stage by using the image information obtained from the photographing unit.

Abstract translation: 目的：使用超短脉冲激光器的柔性有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）的非热修复方法及其装置通过仅处理不良部件并防止对靶的周边部分的损伤来提高产品的生产率 由于热量。 构成：激光源（110）产生超短脉冲激光。 透镜单元（120）将从激光光源产生的激光照射到被处理目标（500）的处理部分。 形成阶段（130）以在包括X，Y，Z轴的三个方向上移动，并且处理的目标被放置在平台上。 拍摄单元（140）通过拍摄被处理目标的处理部分来获得图像信息。 控制单元（150）通过使用从拍摄单元获得的图像信息来控制舞台的三轴移动。

公开(公告)号：KR101285717B1

公开(公告)日：2013-07-12

申请号：KR1020110044837

申请日：2011-05-12

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  김재구 ,  허원하 ,  코지수기오카 ,  홍종욱

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/064 ,  H01S3/10

Abstract: 본 발명의 목적은 매우 높은 수준의 순간 피크 강도를 얻을 수 있는 극초단 펄스 레이저인 펨토초 레이저를 이용하여 플라즈마를 발생시키고 이로써 형상 가공이 이루어지도록 함으로써 높은 정밀도로 고종횡비를 갖는 미세 형상을 가공할 수 있도록 하는, 극초단 펄스 레이저를 응용한 고종횡비 미세 형상 가공 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 극초단 펄스 레이저를 응용한 고종횡비 미세 형상 가공 장치는, 극초단 펄스 레이저를 발생시키는 레이저 광원(1); 상기 레이저 광원(1)에서 발생된 빔을 집광하는 집광 렌즈(2); 를 포함하여 이루어지는 미세 형상 가공 장치(10)로서, 상기 집광 렌즈(2)를 통과한 빔이 플라즈마 채널링을 발생시키며, 플라즈마 채널링이 발생된 영역에 가공 대상물(50)이 배치되도록 하여 형상 가공을 수행하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101140421B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020100063789

申请日：2010-07-02

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  양민양 ,  강봉철 ,  김건우 ,  김재구 ,  황경현

IPC: H02N2/00 ,  H02N2/04 ,  H02N2/06

Abstract: 본 발명은 이방성 진동 가진장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게, 본 발명의 초음파 고진폭 이방성 가진장치는 압전소자가 구동원으로 사용되고 3차 모드 공진에 의해 진폭을 증폭시키는 구동부가 구비되며, 3차 모드 공진 시 발생되는 굽힘 모멘트를 상쇄시켜주고 수직 방향의 진동을 제외한 타 방향의 진동을 제한하는 정렬부가 구비됨으로써, 초음파 영역 대에서 특정 방향으로의 진동이 고진폭으로 구동 가능한 이방성 진동 가진장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100931001B1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：KR1020080042880

申请日：2008-05-08

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  유병헌 ,  장원석 ,  김재구 ,  최두선

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/268

Abstract: PURPOSE: A dry cleaning method of a wafer by plasma formation induced is provided to remove a contaminant without damage to a substrate by outputting high peak output with low laser energy. CONSTITUTION: In a dry cleaning method of a wafer by plasma formation induced by a femtosecond laser, the femtosecond laser(110) is radiated to be parallel with a beam axis and a wafer surface so that the wafer surface(130) is cleaned. The beam of the femtosecond laser is implemented as a line plasma dot of self filament. The beam axis(A) of the femtosecond laser and the distance(D) of the wafer is 100~200um. A pulse width of the femtosecond laser is 100fs and the energy of the femtosecond laser is 3.0mJ. The femtosecond laser has a repetition rate of 1KHz, and an output of 1.15W, and a scan speed of 0.5nm.

Abstract translation: 目的：通过利用低激光能量输出高峰值输出，通过等离子体形成诱导的干式清洁方法提供去除污染物而不损坏基板。 本发明公开了一种飞秒激光器（110），通过由飞秒激光器引起的等离子体形成的干式清洁方法，发射与光束轴和晶片表面平行的飞秒激光器（110），从而清洁晶片表面（130）。 飞秒激光器的光束被实现为自丝灯的线等离子体点。 飞秒激光的光轴（A）与晶圆的距离（D）为100〜200um。 飞秒激光器的脉冲宽度为100fs，飞秒激光器的能量为3.0mJ。 飞秒激光器的重复频率为1KHz，输出功率为1.15W，扫描速度为0.5nm。

公开(公告)号：KR101387996B1

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：KR1020120064059

申请日：2012-06-15

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  황경현 ,  윤지욱 ,  박정규

IPC: H01L51/56

Abstract: 본 발명은 능동형 유기 자체 발광 소자의 열적 및 비열적 복합 리페어 장치에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 다양한 펄스폭을 갖는 펄스 레이저들을 병행하여 필요에 따라 선택적으로 사용함으로써, 즉 열적 가공 및 비열적 가공이 모두 가능한 복합적 리페어가 가능하도록 하여, 다양한 조건에 따라 가장 효율적인 공정 진행을 가능하게 함으로써 궁극적으로는 경제적이고 효율적인 상용화가 가능하게 하고자 하는, 능동형 유기 자체 발광 소자의 열적 및 비열적 복합 리페어 장치를 제공함에 있다.

公开(公告)号：KR101273462B1

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：KR1020110044833

申请日：2011-05-12

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조성학 ,  박정규 ,  김재구 ,  황경현

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/046 ,  B23K26/08 ,  G02B26/00

Abstract: 본 발명의 목적은 부가 공정 없이 단시간 내에 고종횡비를 가지는 형상이나 종래 레이저 가공에서보다 더욱 미세한 형상을 높은 정밀도로 가공할 수 있는, 진동자를 이용한 하이브리드 레이저 가공 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 진동자를 이용한 하이브리드 레이저 가공 장치는, 레이저 가공을 수행하는 레이저 가공 장치(100)에 있어서, 극초단 펄스 레이저 빔을 발생시키는 레이저 광원(110); 상기 레이저 광원(110)에서 발생된 빔을 분광하여 상기 가공 대상물(500) 측으로 보내는 빔 스플리터(beam splitter, 120); 상기 빔 스플리터(120)에서 보내진 빔을 상기 가공 대상물(500)의 가공 부위로 집광하는 대물 렌즈(130); 상기 가공 대상물(500)이 그 위에 놓여지며, 제어부(150)에 의하여 x, y, z 3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 스테이지(140); 상기 대물 렌즈(130)에 연결 구비되며, 상기 제어부(150)에 의하여 제어되어 상기 대물 렌즈(130)에 진동을 가하는 진동자(160); 를 포함하여 이루어지며, 상기 레이저 광원(110)은 펄스폭이 펨토초 이하의 레이저를 발생시키도록 형성되는 것을 특징으로 한다.