-
公开(公告)号：KR101807957B1
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160080911
申请日：2016-06-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물박막; 을포함하고, 상기나노결정닷 및 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물은, 각각, ZITO:Al, ZITO:Ga 또는이 둘을포함하는산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과우수한전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.
Abstract translation: 基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及一种基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种基底; 以及在衬底上形成并与纳米晶点局部分布的Zn-In-Sn-O基非晶氧化物薄膜; 并且其中所述纳米晶体和点Zn系的In-Sn-O的非晶氧化物与分别ZITO：涉及一种镓或基于氧化物的高导电柔性透明电极和包括所述两个方法：铝，ZITO 。 本发明可以提供具有柔韧性和适用于柔性或可佩戴元件的优异电性能的高导电性柔性透明电极。
-
公开(公告)号：KR101580213B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020130043944
申请日：2013-04-22
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은자외선발광다이오드제조방법및 자외선발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른자외선발광다이오드제조방법은 n형클래드층, 활성층, p형클래드층이순차적으로적층된질화물계반도체층및 p-전극, n-전극을포함하는질화물반도체기반자외선발광다이오드를제조하기위한것이다. p형클래드층상에 p-전극을증착시킴에있어, p형클래드층의상부면적의 70% 이하 10% 이상의면적에만 p-전극을증착시킨다. p-전극의형태는메시형태, 타공판형태, 일차원그리드형태등이될 수있다. 본발명에따른자외선발광다이오드제조방법에의해제조된자외선발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도 p형클래드층이노출되는면적이넓어, p-전극이증착되지않은부분을통하여자외선의투과율을높여고효율의자외선발광다이오드를제공할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020140126009A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020130043944
申请日：2013-04-22
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 자외선 발광다이오드 제조 방법 및 자외선 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 자외선 발광다이오드 제조 방법은 n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층된 질화물계 반도체층 및 p-전극, n-전극을 포함하는 질화물 반도체 기반 자외선 발광 다이오드를 제조하기 위한 것이다. p형 클래드층 상에 p-전극을 증착시킴에 있어, p형 클래드층의 상부 면적의 70% 이하 10% 이상의 면적에만 p-전극을 증착시킨다. p-전극의 형태는 메시 형태, 타공판 형태, 일차원 그리드 형태 등이 될 수 있다.
본 발명에 따른 자외선 발광다이오드 제조 방법에 의해 제조된 자외선 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도 p형 클래드층이 노출되는 면적이 넓어, p-전극이 증착되지 않은 부분을 통하여 자외선의 투과율을 높여 고효율의 자외선 발광다이오드를 제공할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种紫外线发射二极管和紫外线发射二极管的制造方法。 根据本发明，紫外线发射二极管的制造方法是制造氮化物半导体层，其上依次层叠有N型覆盖层，有源层和P型覆盖层，并且基于氮化物半导体的紫外线二极管 包括p电极和n电极。 当在p型覆盖层上沉积p电极时，p电极沉积在P型覆盖层的上部区域的10-70％上。 p电极的形状可以是网格，冲孔或一维网格的形状。 通过本发明的制造方法制造的紫外线发射二极管通过简单的工艺制造，同时露出P型覆盖层的面积大，从而可以通过增加UV的透过率来提供高效的紫外线发射二极管 通过不沉积p电极的部分。
-
公开(公告)号：KR101274377B1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020110106855
申请日：2011-10-19
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B23K20/04 , B23K20/227
Abstract: 본 발명은 수직 방향에 대한 고방열 특징을 가지도록 망사 또는 타공판 형상이 중간 금속층인 모재층과 높은 열전도도의 상하부 금속층을 접합하여 클래드 메탈을 제조하는 것을 특징으로 한다. 클래드 메탈은 2종류 이상의 금속을 접합시켜서 다층구조의 판상형 금속판으로 제조되며, 특히 열전도율이 높은 금속과 강도가 높은 금속을 서로 접합시켜 금속판을 제조하기 때문에 우수한 방열 특성뿐만 아니라 높은 강도까지 동시에 구현할 수 있는 장점을 가지고 있다. 그러나 이러한 클래드 메탈의 방열 특징은 수평방향으로는 매우 우수하지만 수직 방향으로는 중간 모재층과 상하부 금속층과의 열전도도 차이로 인해서 단일 금속을 사용하는 것보다 떨어지는 단점이 있다. 본 발명에서는 중간 모재층을 기존의 판상에서 다양한 형태의 망사 또는 타공판 형태로 변경하여 상부층의 높은 열전도도를 하부층으로 쉽게 전달할 수 있도록 설계함으로써 이러한 문제점을 해결하였다. 이는 수직 방향의 열전도율을 수평 방향의 열전도율과 거의 동일하게 유지시킬 수 있어 전자소자나 광소자에서 요구되는 우수한 수직 방향 열전도도를 만족시킬 수 있다. 더욱이 상하부층이 서로 연결되어 있어 기존 클래드 메탈에 비해서 결합력이 우수하고 소재의 변형 또한 억제하는 효과가 있다. 이러한 본 발명을 계기로 그동안 수직 고방열 특성을 가진 고강도의 클래드 메탈 부재로 인한 광전소자 및 통신소자의 제작 어려움을 극복하고 우수한 고효율의 소자 제작이 가능하게 될 것으로 기대된다.
-
公开(公告)号：KR1020130042787A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110106870
申请日：2011-10-19
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high thermal conductive clad metal manufacturing method is provided to connect high conductivity of an upper layer to a lower metal layer by suppressing generation of impurities on interface of a basic material layer. CONSTITUTION: A clad metal manufacturing method comprises an upper and a lower metal layer(11,12) and a middle basic material layer in which a part of a middle metal layer is removed. The upper metal layer and the lower metal layer are directly connected by using the middle basic material layer. The middle basic material is manufacture as a mesh-shape, and a surface of the basic material layer is plated with a different kind of metal to comprise the clad metal. [Reference numerals] (11) Lower metal layer; (12) Upper metal layer; (31) Middle basic material layer; (AA) Mesh type middle sand layer; (BB) Predicted defective part; (CC) Defective part;
Abstract translation: 目的：提供一种高导热复合金属制造方法，通过抑制基材层的界面产生杂质，将上层的高导电性与下层金属层连接。 构成：复合金属制造方法包括上金属层和下金属层（11,12）和中间基材层，中间金属层的一部分被去除。 上金属层和下金属层通过使用中间基材层直接连接。 中间的基本材料制造为网状，并且基材层的表面镀有不同种类的金属以包括复合金属。 （11）下金属层; （12）上金属层; （31）中间基材层; （AA）网状中砂层; （BB）预测缺陷部分; （CC）缺陷部分;
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102070851B1
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：KR1020180091377
申请日：2018-08-06
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Inventor： 김경국
IPC: H01L41/113 , G06K9/00 , H01L41/18 , H01L41/047 , H01L29/06 , H01L21/56 , H01L21/28
-
-
公开(公告)号：KR1020170122419A
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020160051326
申请日：2016-04-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 발광소자용반사전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 반도체층상에형성된 10O nm 내지 5 ㎛두께의 Ag 반사층; 을포함하고, 상기 Ag 반사층은, 제1 Ag 층; 제2 Ag 층; 및상기제1 Ag 층및 상기제2 Ag 층사이에형성된나노입자층을포함하는발광소자용반사전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 열안정성이우수하여안정적인반사특성을제공할수 있는 Ag 기반발광소자용반사전극을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光元件的反射电极和其制造方法为，更具体地，10O纳米至形成于半导体5层㎛厚度层叠Ag反射层; 其中，Ag反射层包括：第一Ag层; 第二Ag层; 以及在第一Ag层和第二Ag层之间形成的纳米粒子层及其制造方法。 本发明可以提供一种基于Ag的反射电极的发光装置，可以提供一个稳定的反射特性yiwoosu热稳定性。
-
公开(公告)号：KR1020160114244A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020150040273
申请日：2015-03-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에있어서, 상기태양전지의 P형화합물반도체층과 P전극사이에적층되는적어도하나이상의물질층으로써, 상기 P형화합물반도체층에가장인접한물질층으로부터상기 P전극에가장인접한물질층까지의각 물질층이점진적으로낮은굴절률을갖는물질로이루어진굴절률조정부를포함하는것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른태양전지가개시된다.
-
公开(公告)号：KR1020150039147A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020150025042
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은수직형발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른수직형발광다이오드는 p-n접합구조를갖는질화물반도체를기반으로하며, p형클래드층상에 p형클래드층과굴절율이상이하며패턴구조를갖는투명소재층을형성한다. 투명소재층상에는 p-전극으로서반사금속전극층을형성한다. 투명소재층에입체적인패턴을형성한후 p-전극을증착함으로써 p-전극에패턴이형성된다. p-전극에형성된패턴에의해활성층에서방출된빛이넓은방사각으로방출되며, 패턴된형태와물질의굴절률에따라반사율을향상시킨다. 본발명에따른수직형발광다이오드는간단한공정에의해제조되면서도, p-전극의패턴에의해빛이넓은각도로방출되어높은반사효율로인해서고효율의수직형발광다이오드를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及垂直发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直发光二极管基于具有pn结结构的氮化物半导体，并且形成与p型覆盖层具有不同折射率的透明材料层，并且在p型覆盖层上具有图案结构 。 反射金属电极层作为p电极形成在透明材料层上。 在透明材料层上形成立体图案之后，通过蒸发p电极，在p电极上形成图案。 通过形成在p电极上的图案从有源层发射的光以宽的辐射角放电。 根据图案形状和材料的折射率，反射率得到改善。 根据本发明的垂直发光二极管通过简单的工艺制造，并通过p电极的图案以广角放电。 因此，可以通过高反射效率提供高效率的垂直发光二极管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.034 seconds)
