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    ＣＩＧＳ계 태양전지 셀의 제조방법 및 CIGS계 태양전지 셀
    11.
    发明授权
    ＣＩＧＳ계 태양전지 셀의 제조방법 및 CIGS계 태양전지 셀 有权
    CIGS太阳能电池制造方法和CIGS太阳能电池

    公开(公告)号：KR101778723B1

    公开(公告)日：2017-09-25

    申请号：KR1020160153512

    申请日：2016-11-17

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 김기환 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안승규 ,  조준식 ,  박주형 ,  어영주 ,  유진수 ,  안세진 ,  조아라

    IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0687

    CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

    Abstract: 본발명은투명한후면전극을구비한 CIGS계태양전지셀의제조방법에관한것으로, 투명한산화물재질의후면전극층을형성하는단계; 상기후면전극층위에금속재질의후면전극패턴을형성하는단계; 상기후면전극패턴이형성된후면전극층위에 CIGS계광흡수층을형성하는단계; 상기광흡수층위에버퍼층을형성하는단계; 및상기버퍼층위에투명재질의전면전극을형성하는단계를포함하여구성되며, 상기후면전극패턴은금속재질의패턴사이에빛이투과하는투과부가형성되는것을특징으로한다. 본발명은, TCO 재질의후면전극층표면에광투과부가형성된금속재질의후면전극패턴을형성함으로써, 후면전극층과광흡수층사이에 GaO가형성되는양을줄일수 있고, GaO가형성되는경우에도후면전극패턴을통해전류가흐르기때문에후면전극층과광흡수층사이의계면저항이증가하는것을방지하여 TCO 재질의후면전극을사용하고도태양전지셀의광전변환효율이뛰어난효과를얻을수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有透明背电极的CIGS太阳能电池的方法，包括：形成透明氧化物材料的背电极层; 在后电极层上形成金属材料的后电极图案; 在形成有后电极图案的后电极层上形成CIGS光吸收层; 在光吸收层上形成缓冲层; 并且在缓冲层上形成透明材料的前电极，其中后电极图案形成有透明部分，光透过所述透明部分在金属图案之间传输。 本发明中，通过形成TCO材料的底电极表面上形成光透射部分的金属材料构成的背面电极图案，并且即使高正规型电极可降低在背面电极层和光吸收层，背面之间性别高正规型的量， 防止由于跨越使用TCO材料hagodo的背面电极图案中的电流流动的背面电极层和光吸收的增加之间的界面电阻可以得到的太阳能电池的效果优良的光电转换效率。

    광 바이어스 장치 및 이를 포함하는 태양전지 분광응답 측정 장치
    13.
    发明公开
    광 바이어스 장치 및 이를 포함하는 태양전지 분광응답 측정 장치 有权
    光偏转装置和包括其的太阳能电池光谱响应测量装置

    公开(公告)号：KR1020160006371A

    公开(公告)日：2016-01-19

    申请号：KR1020140085798

    申请日：2014-07-09

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 안승규 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  김기환 ,  박주형 ,  어영주 ,  유진수 ,  조아라

    IPC: G02B6/293 ,  H02S50/10

    CPC classification number: G02B6/293 ,  H02S50/10

    Abstract: 본발명은다양한스펙트럼을갖는빛을출사가능한광 바이어스장치및 이를이용한태양전지분광응답측정장치에관한것이다. 본발명에의한광 바이어스장치는, 빛을발광하는바이어스광원을구비한광원부; 입사된빛이경로를따라이동되는복수의광유로가구비된광가이드부; 및상기광가이드부입구에각각위치되거나, 또는상기광가이드부에서이동되는빛의경로상에위치되거나, 또는상기광가이드부출구에각각위치되는적어도하나의광필터가구비된복수의광필터부를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够照射具有各种光谱的光的偏光装置，以及使用其的太阳能电池光谱响应性测定装置。 根据本发明，光偏置装置包括：具有发光的偏置光源的光源部; 导光部，具有入射光沿其移动的多个光路; 以及多个光学滤光器部分，其具有一个或多个光学滤光器，分别位于导光部分的入口中，位于在导光部分中移动的光的路径中，或分别位于导光部分的出口中。

    초박형 ＨＩＴ 태양전지 및 그 제조방법
    15.
    发明公开
    초박형 ＨＩＴ 태양전지 및 그 제조방법 无效
    超声波太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020150114792A

    公开(公告)日：2015-10-13

    申请号：KR1020140039432

    申请日：2014-04-02

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안승규 ,  어영주 ,  안세진 ,  조아라 ,  김기환 ,  윤경훈 ,  신기식

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0465

    CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/075

    Abstract: 본발명은초박형 HIT 태양전지에관한것으로서, n 또는 p 형의결정질실리콘기판; 상기실리콘기판과는다른형으로도핑된비정질실리콘에미터층; 및상기결정질실리콘기판과상기비정질실리콘에미터층사이에형성된진성의비정질실리콘패시베이션층을포함하는 HIT 태양전지로서, 상기 HIT 태양전지는상면에 ZnO 재질의투명전도층을더 포함하며, 상기투명전도층의표면에만텍스처가형성된것을특징으로한다. 본발명은, 결정질실리콘기판의표면에텍스처를형성하지않고투명전도층의표면에만텍스처를형성함으로써, 매우얇은두께의결정질실리콘기판을사용할수 있으며, 최종적으로광포획능력을유지하면서전체태양전지의두께가매우얇은초박형 HIT 태양전지를구성할수 있다. 또한, 본발명은고가의결정질실리콘기판을식각하는공정을생략함으로써, 제조비용을낮출수 있는효과가있다. 나아가본 발명은결정질실리콘기판의표면을식각하는과정에서발생하는결정질실리콘기판의표면결함에의한문제가없기때문에태양전지효율이향상되는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及具有本征薄层（HIT）太阳能电池的超薄异质结，其包括：n型或p型晶体硅衬底; 以与硅衬底不同的类型掺杂的非晶硅发射极层; 以及在所述晶体硅衬底和所述非晶硅发射极层之间形成的本征非晶硅钝化层，其中所述HIT太阳能电池还包括在其上侧由ZnO制成的透明导电层，并且仅在所述晶体硅表面上形成纹理 透明导电层。 根据本发明，仅在透明导电层的表面上形成纹理，而不是在晶体硅衬底的表面上形成纹理，从而允许使用非常薄的晶体硅衬底，从而构成超薄HIT太阳能 电池保持光捕获能力并且具有非常薄的整个太阳能电池的厚度。 此外，省略了晶体硅衬底的昂贵的蚀刻工艺以降低制造成本。 此外，由于在晶体硅衬底的表面的蚀刻期间发生的结晶硅衬底上的表面缺陷不存在问题，因此太阳能电池的效率将得到提高。

    씨아이예스계 화합물 박막 태양 전지의 후면 전극
    16.
    发明授权
    씨아이예스계 화합물 박막 태양 전지의 후면 전극 有权
    씨아이예스계화합물박막태양전지의후면전극

    公开(公告)号：KR100743923B1

    公开(公告)日：2007-07-30

    申请号：KR1020060012093

    申请日：2006-02-08

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 윤재호 ,  윤경훈 ,  김기환 ,  안병태 ,  김민식 ,  안세진 ,  이정철

    IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0224

    Abstract: A back surface electrode of a CIS(CuInSe2)-based compound thin solar cell is provided to quantify the quantity of added sodium by using a dual layer of sodium-added molybdenum and molybdenum. A first electrode layer is made of molybdenum to which sodium deposited at an argon partial pressure of 5~15 millitorr is added. A second electrode layer is made of molybdenum deposited at an argon partial pressure of 1~4 millitorr. The first and second electrode layers are included in a metal electrode of a CIGS(Cu(In,Ga)Se2)-including CIS-based compound thin solar cell. The lower substrate of the first electrode layer further includes a glass substrate and an alumina layer.

    Abstract translation: 提供基于CIS（CuInSe2）的化合物薄太阳能电池的背表面电极以通过使用添加钼的钼和钼的双层来量化添加的钠的量。 第一电极层由钼制成，向其中加入在氩气分压为5〜15毫托下沉积的钠。 第二电极层由在1〜4毫托的氩气分压下沉积的钼制成。 第一电极层和第二电极层包含在CIGS（Cu（In，Ga）Se2） - 包括CIS-基化合物薄太阳能电池的金属电极中。 第一电极层的下基板还包括玻璃基板和氧化铝层。

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