Abstract:
A back surface electrode of a CIS(CuInSe2)-based compound thin solar cell is provided to quantify the quantity of added sodium by using a dual layer of sodium-added molybdenum and molybdenum. A first electrode layer is made of molybdenum to which sodium deposited at an argon partial pressure of 5~15 millitorr is added. A second electrode layer is made of molybdenum deposited at an argon partial pressure of 1~4 millitorr. The first and second electrode layers are included in a metal electrode of a CIGS(Cu(In,Ga)Se2)-including CIS-based compound thin solar cell. The lower substrate of the first electrode layer further includes a glass substrate and an alumina layer.
Abstract:
그리드 구조의 후면전극를 포함하는 태양전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 태양전지는 태양전지 기판; 상기 태양전지 기판의 전면에 형성된 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막 상에 형성되며, 상기에미터층과 접촉되는 전면전극; 및 상기 태양전지 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하며, 여기에서 상기 후면전극은 가로라인과 세로라인이 교차하는 그리드 패턴인 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 태양전지는 일부 노출된 기판 부분(보이드)이 포함되는 그리드 형태의 후면전극 구조를 통하여 고온열처리 공정에서의 기판 휨(보잉) 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 또한 후면전극에 사용되는 알루미늄 양을 감소시켜 태양전지의 제조비용을 절감시킬 수 있다.
Abstract:
태양전지의 국부적 전극 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지의 국부적 전극이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 국부적 전극 제조방법은 태양전지 기판 상에 금속 페이스트를 적층하는 단계; 상기 금속 페이스트를 제 1 건조하여 상기 금속 페이스트와 상기 기판을 물리적으로 접착시키는 단계; 상기 기판 상에 소자층을 적층하는 단계; 상기 금속 페이스트를 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 소자층을 적층하는 단계에서 상기 금속 페이스트는 제 2 건조되어 고형화되는 단계; 상기 고형화된 금속 페이스트를 상기 기판으로부터 분리하여 상기 소자층 사이로 컨택 홀을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 후면 전극을 적층하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 포토레지스트에 기반한 리쏘그래피 공정 또는 쉐도우 마스크를 사용하지 않고, 금속 페이스트에 포함된 용제를 선택적으로 증발시켜, 기판이 노출되는 컨택 홀을 형성한다. 따라서, 경제적인 방식으로 컨택 홀을 경제적인 방식으로 정확하게 형성할 수 있다.
Abstract:
실리콘계 나노입자 포집 시스템 및 이에 사용되는 나노입자 포집/보관용기가 제공된다. 본 발명은 나노입자 포집시스템으로, 상기 시스템은 나노입자 및 캐리어 가스가 유입되는 유입라인; 상기 유입라인에 연결된 복수 개의 나노입자 포집/보관 용기; 상기 유입라인으로부터 유입된 캐리어 가스가 상기 나노입자 포집/보관 용기로부터 배출되는 캐리어가스 배출라인을 포함하며, 여기에서 상기 나노입자 포집/보관 용기는 상기 용기의 일 측에 구비되어, 상기 유입라인에 연결된 나노입자 유입부; 상기 용기 내에 구비되는 필터 스크린; 및 상기 필터 스크린을 통과한 캐리어 가스를 외부로 배출시키도록 상기 용기에 구비되며, 상기 캐리어가스 배출라인과 연결된 캐리어 가스 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 나노입자 포집시스템은 캐리어 가스와 함께 유입되는 나노입자를 하나의 유입라인에 연결된 복수 개의 나노입자 용기에 포집시킨다. 따라서, 일정 수준의 나노입자가 포집된 나노입자 용기는 유입시스템으로부터 분리되어, 포집/보관된 증착 시스템에 나노입자를 제공한다. 이때 나노입자의 외부 노출은 없기 때문에, 외부물질에 의한 나노입자 오염을 방지하며, 공정에 따라 복수 개의 나노입자 용기를 사용, 연속적인 나노입자 증착이 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a local electrode of a solar cell and the local electrode manufactured thereby are provided to accurately form a contact hole by using a solvent which includes a metal paste. CONSTITUTION: A metal paste is coated on a silicon substrate(100) by using a screen printing method. The metal paste is firstly dried. A device layer(102) of a solar cell is formed in the substrate including the dried metal paste. The metal paste is removed from the substrate. A contact hole(103) is formed between the device layers. A back contact electrode(104) is formed on the device layer.
Abstract:
PURPOSE: A rear reflective film for a thin film solar cell, a forming method thereof and the thin film solar cell including the same are provided to improve the scattering reflectance of a wavelength area by improving the surface illumination of the rear reflective film. CONSTITUTION: An aluminum layer(22) is formed on a substrate. One or more materials selected from Si, O, Cu and Pt dope the aluminum layer. The doped aluminum layer intensifies crystal growth. A transparent conductive film(24) is formed on the surface of the doped aluminum layer. A silver coating layer(23) is formed on the doped aluminum layer.
Abstract:
PURPOSE: A sphere shaped silicon structure based solar cell manufacturing method and a solar cell manufactured using the same are provided to significantly improve productivity by performing a solar cell manufacturing process after mounting a sphere shaped silicon structure on an open groove of an insulating support substrate. CONSTITUTION: A sphere shaped silicon structure in which a first type impurity is doped is mounted on an open groove of an insulating substrate. An intrinsic silicon layer is formed on the sphere shaped silicon structure. A silicon layer in which a second type impurity is doped is formed on the intrinsic silicon layer. A transparent electrode layer is laminated on the silicon layer in which the second type impurity is doped. A front surface reflecting cup is arranged on the substrate. The front surface reflecting cup reflects incident light towards the sphere shaped silicon structure.
Abstract:
PURPOSE: A sunshield device is provided to obtain electricity from solar energy by locating a solar cell member to be adjacent to a window through rotation. CONSTITUTION: A sunshield device comprises a body member(110) and a solar cell member(120). The body member is fixed to a wall(10) or a ceiling. The solar cell member is rotatably coupled to the body member. The solar cell member is located to be adjacent to a window or is rotated away from the window. When the solar cell member is located to be adjacent to the window, the solar cell member cuts off sunlight passing through the window and converts solar energy into electric energy.