公开(公告)号：KR101520248B1

公开(公告)日：2015-05-15

申请号：KR1020130124669

申请日：2013-10-18

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 최준영 ,  권순만 ,  김홍주 ,  김형우

IPC: H02P9/10

Abstract: 본 발명은 백스테핑 적응제어 방법을 이용한 권선형 유도발전기 제어 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히, 비선형 특성을 갖는 권선형 유도발전기 고정자와 회전자 전압과 전류를 각각 dq축 성분으로 분류하여 백스테핑 적응 제어 방법을 이용하여 제어함과 동시에 권선형 유도발전기 모델의 불확실성 요소에 의해 제정수의 변동이 발생한 상황에서도 직류단 전압 제어와 유무효 전력 제어 기능을 수행할 수 있는 권선형 유도발전기 제어 방법 및 장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101484160B1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020130034583

申请日：2013-03-29

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 서길수 ,  김종현 ,  김기현 ,  김형우 ,  이경호

IPC: H05B37/02

Abstract: 본 발명은 LED 램프를 위한 구동 전류 제어 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일면에 따른 LED 램프를 위한 구동 전류 제어 장치는 일단이 전원부의 출력단과 연결되되 직렬로 연결되는 복수개의 발광 다이오드와, 드레인이 직렬로 연결된 복수개의 발광 다이오드의 타단과 연결되고 게이트 전압의 전압 레벨에 따라 스위칭 동작하는 트랜지스터(Q
1 )를 포함하여 복수개의 발광 다이오드에 흐르는 전류를 도통 또는 차단하는 주스위치부와, 복수개의 발광 다이오드 각각에 흐르는 전류를 분기시켜 각각의 다이오드에 흐르는 전류량을 스위칭 동작에 따라 변경하되 발광 다이오드간에 연결된 노드들에 각각의 드레인이 연결되는 트랜지스터들(Q
2 , Q
3 , Q
4 )을 포함하는 부스위치부와, 부스위치부의 트랜지스터들(Q
2 , Q
3 , Q
4 )에 각각 구동전압을 공급하는 부 스위치 구동부와, 트랜지스터(Q
1 )의 드레인-소스 전류를 측정하는 측정부와 측정부의 출력값을 기설정된 증폭비에 따라 증폭하여 측정부의 출력값에 비례하는 전압 레벨을 가지는 전압을 출력하는 증폭부와 증폭부에서 출력되는 전압을 입력받아 증폭부에서 출력되는 전압에 비례하며 트랜지스터(Q
1 )의 스위칭 동작을 위한 구동전압을 생성하고 트랜지스터(Q
1 )의 게이트에 구동전압을 공급하는 주스위치 게이트 구동부를 포함하는 주스위치 구동부를 포함한다.

公开(公告)号：KR101484159B1

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：KR1020120125663

申请日：2012-11-07

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 이경호 ,  김기현 ,  김형우 ,  서길수

IPC: H05B37/02

Abstract: 본 발명은 색온도 조절을 위한 LED 구동장치에 관한 것으로, 본 발명의 일면에 따른 색온도 조절을 위한 LED 구동장치는 적어도 두개로 구분되는 기설정된 전압 레벨들 중 어느 하나의 전압 레벨을 외부의 입력에 따라 선택하도록 하고, 선택된 전압 레벨에 기초한 전압 레벨 선택 신호를 생성 및 출력하는 전압 선택부와, 기설정된 듀티값에 따라 온 및 오프되는 펄스 폭 변조 신호로 이루어지는 게이트 구동 신호를 생성하여 출력하되, 전압 레벨 선택 신호에 따라 게이트 구동 신호의 전압 레벨이 변경되도록 하는 게이트 구동부와, 게이트에서 게이트 구동신호를 입력 받아 기설정된 트랜스컨덕턴스에 따라 증폭하여 드레인-소스 전류를 출력하는 트랜지스터와, 드레인-소스 전류의 출력에 따라 온 및 오프되어 동작하는 LED를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140128048A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：KR1020130046700

申请日：2013-04-26

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 이경호 ,  김기현 ,  김남균 ,  김형우 ,  서길수

IPC: E02D1/02 ,  G01C9/04 ,  E02D17/18 ,  G01B21/32

CPC classification number: E02D1/02 ,  E02D17/18 ,  E02D2600/10 ,  G01B21/32 ,  G01C9/04

Abstract: 본 발명은 중력센서를 이용한 지반 침하 측정방법에 관한 것으로서, 지표상에서 배치되는 복수개의 중력센서와, 상기 중력센서의 데이터를 전송하는 통신모듈과, 상기 통신모듈로부터 상기 중력센서의 데이터를 수신하여 연산하고 이를 바탕으로 지반의 상태를 시뮬레이션하는 감시 서버를 포함하는 지반 침하 측정시스템에서 중력센서의 기울기 값을 이용하여 지반의 침하를 측정하기 위한 방법으로 본 발명에 따르면, 상기 중력센서들을 지표상에서 격자형으로 배치시키는 중력센서 배치단계와; 상기 중력센서들을 서로 구별하여 각각의 위치 및 서로 간의 거리를 파악할 수 있도록 각각 중력센서에 고유의 식별번호를 부여하는 식별번호 부여단계와; 상기 식별번호를 바탕으로 상기 중력센서들이 배치된 지반 영역을 맵핑(mapping)하여 상기 지반 영역을 이미지로 표시하는 지반 맵핑단계와; 상기 고유식별번호별로 중력센서들의 초기 기울기 값을 각각 측정한 후 기준 값으로 지정하여 상기 감시 서버에 전송 및 저장하는 기준값 지정단계와; 상기 중력센서들의 기울기 값을 시간별 또는 날짜별로 측정하여 상기 감시 서버에 전송 및 저장하는 기울기 측정단계와; 상기 기울기 측정단계에서 측정된 기울기 값을 상기 기준값과 비교 연산하여 지반 침하 여부를 판단하는 침하 판단단계;를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用重力传感器测量地面沉降的方法。 根据本发明，使用地面沉降测量系统的重力传感器的倾斜值测量地面沉降的方法，其中地面沉降测量系统包括：布置在地面上的多个重力传感器; 传送重力传感器的数据的通信模块; 以及基于从通信模块接收和计算的重力传感器的数据来模拟地面状况的检查服务器。 使用重力传感器测量地面沉降的方法包括：重力传感器布置步骤，用于将重力传感器布置在地面上; 识别号码分配步骤，用于向重力传感器分配识别号码，以区分重力传感器并计算重力传感器之间的位置和距离; 地面映射步骤，用于基于识别号将映射重力传感器的地面区域映射到图像中; 标准值分配步骤，用于将每个识别号的重力传感器的测量的初始倾斜度值分配为标准值，然后将标准值发送并存储到检查服务器; 倾斜测量步骤，用于根据时间或日期测量重力传感器的倾斜值，以将倾斜值发送并存储到检查服务器; 以及沉降确定步骤，用于通过将在倾斜测量步骤中测量的倾斜值与标准值进行比较来确定地面是否平滑。

公开(公告)号：KR101264347B1

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：KR1020110116817

申请日：2011-11-10

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김기현 ,  김형우 ,  서길수 ,  김남균

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0818 ,  H05B33/0845 ,  H05B33/083 ,  Y02B20/347

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode driving apparatus capable of controlling the brightness of a light emitting diode is provided to facilitate brightness control using a DCS(Dimming Control Signal). CONSTITUTION: A control signal generating unit generates a blinking control signal. A voltage level selecting unit(300) receives the blinking control signal and outputs a blinking reference signal. A control unit(400) receives the blinking reference signal. The control unit generates a control signal controlling a current based on the voltage level of the signal. A driving unit(500) drives the light emitting diode using the current. [Reference numerals] (100) Rectifier unit; (200) Voltage supply unit; (300) Voltage level selecting unit; (400) Control unit; (500) Driving unit; (600) Sensing unit; (700) Control signal generating unit

Abstract translation: 目的：提供能够控制发光二极管的亮度的发光二极管驱动装置，以便于使用DCS（调光控制信号）的亮度控制。 构成：控制信号生成部生成闪烁控制信号。 电压电平选择单元（300）接收闪烁控制信号并输出​​闪烁的参考信号。 控制单元（400）接收闪烁的参考信号。 控制单元基于信号的电压电平产生控制电流的控制信号。 驱动单元（500）使用电流驱动发光二极管。 （附图标记）（100）整流器单元; （200）电源单元; （300）电压电平选择单元; （400）控制单元; （500）驾驶单位; （600）感应单元; （700）控制信号发生单元

公开(公告)号：KR101264146B1

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：KR1020110113891

申请日：2011-11-03

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김종현 ,  서길수 ,  김기현 ,  김형우 ,  김남균

IPC: H05B37/02

Abstract: 본발명은엘이디구동제어장치에관한것이다. 보다상세하게는교류전원을이용하여직류구동엘이디모듈또는교류구동엘이디모듈을구동시키는것이가능한엘이디구동제어장치에관한것이다. 본발명은교류전원을이용한엘이디구동제어장치에있어서, 입력측이상기교류전원의출력측과연결되는엘이디어레이; 상기교류전원의출력측 및상기엘이디어레이의입력측 사이에연결되는정류부; 일측이상기엘이디어레이와연결되고타측이상기정류부와연결되는구동제어전압생성부; 및일측이상기구동제어전압생성부및 상기엘이디어레이와연결되고타측이상기정류부와연결되며상기구동제어전압생성부에서생성되는전압에의해동작하여상기엘이디어레이를구성하는적어도하나이상의엘이디를통과한후 입력되는복수개의입력전류를정전류제어하는구동전류제어부를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면엘이디구동제어장치에있어서회로구성의간소화및 회로구성의간소화에따른회로구성비용의감소가가능한효과를갖는다.

公开(公告)号：KR1020130048949A

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：KR1020110113891

申请日：2011-11-03

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김종현 ,  서길수 ,  김기현 ,  김형우 ,  김남균

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/083 ,  H05B33/0815 ,  Y02B20/347

Abstract: PURPOSE: An LED multi-stage driving control apparatus is provided to enable harmonic suppression, power factor improvement and flicker phenomenon minimizing by maintaining constant current control as to an input current as enabling cost reduction and simplification in circuit configuration. CONSTITUTION: An LED driving control apparatus(10b) includes an LED array(30b), a rectification part(40b), a driving control voltage generation part(50b) and a driving current control part(60b). The LED array is connected to an output axis of an input AC power supply. The rectification part is connected between an output side of the AC power supply and the input signal of the LED array. The driving control voltage generation part is connected between the LED array and the rectification part. The driving current control part is connected between the driving control voltage generation part and the LED array and the rectification part, and operates by a voltage generated in the driving control voltage generation part, and performs constant current control of a plurality of input currents inputted after passing an LED constituting the LED array.

Abstract translation: 目的：提供一种LED多级驱动控制装置，通过保持对输入电流的恒定电流控制来实现谐波抑制，功率因数改善和闪烁现象最小化，从而降低成本并简化电路配置。 构成：LED驱动控制装置（10b）包括LED阵列（30b），整流部（40b），驱动控制电压生成部（50b）和驱动电流控制部（60b）。 LED阵列连接到输入交流电源的输出轴。 整流部连接在交流电源的输出侧和LED阵列的输入信号之间。 驱动控制电压产生部分连接在LED阵列与整流部分之间。 驱动电流控制部分连接在驱动控制电压产生部分与LED阵列和整流部分之间，并通过在驱动控制电压产生部分中产生的电压进行操作，并对输入的多个输入电流进行恒定电流控制 通过构成LED阵列的LED。

公开(公告)号：KR1020120019533A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：KR1020100082758

申请日：2010-08-26

Applicant: 한국전기연구원 ,  (주)플레넷아이엔티

Inventor： 김기현 ,  김대훈 ,  김형우 ,  김승기

IPC: H04B3/54

CPC classification number: H04B3/56

Abstract: PURPOSE: A power line communication apparatus for reducing standby power consumption is provided to minimize power consumption in a resistance which is connected between a transformer and a ZCP(Zero Cross Point) circuit unit. CONSTITUTION: A ZCP circuit unit(600) is connected to the secondary side of a transformer. The ZCP circuit unit includes a photo coupler and a bipolar transistor. The coupler is operated in ZCP of the alternating current power. If low voltage is applied from the photo coupler, the bipolar transistor transmits a pulse signal to a communication module. A resistance is installed to the imputer terminal of the ZCP circuit unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于降低待机功耗的电力线通信装置，以使连接在变压器和ZCP（零交叉点）电路单元之间的电阻中的功率消耗最小化。 构成：ZCP电路单元（600）连接到变压器的次级侧。 ZCP电路单元包括光耦合器和双极晶体管。 耦合器在交流电源的ZCP中工作。 如果从光耦合器施加低电压，则双极晶体管将脉冲信号发送到通信模块。 电阻被安装到ZCP电路单元的插入式终端。

公开(公告)号：KR100977413B1

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：KR1020080076299

申请日：2008-08-05

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김상철 ,  강인호 ,  김형우 ,  방욱 ,  주성재

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로서, 불순물의 농도가 5E18 ~ 5E19cm
-3 범위의 제2도전형 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 상면에 형성되는 제1도전형 실리콘 제1에피박막층과; 상기 제1에피박막층의 표면에 형성되며, 두께 0.5 ~ 2㎛의 패터닝된 매몰산화막과; 상기 열산화막과 상기 제1에피박막층 상부에 형성되어 상기 열산화막을 매몰형성시키는 제1도전형 실리콘 제2에피박막층과; 상기 열산화막 상부 영역의 상기 제2에피박막층 내에 형성되는 p-베이스와 n-에미터 영역으로 구성되는 MOSFET 영역과; 상기 MOSFET 영역 상부 및 상기 제2에피박막층 상부에 형성되는 게이트 산화막 및 폴리실리콘 게이트 전극과; 상기 n-에미터 상부에 연속되어 상기 폴리실리콘 게이트 전극 상부에 형성되어 상기 폴리실리콘 게이트 전극과 상기 n-에미터를 전기적으로 절연하기 위한 절연산화막과; 알루미늄 금속의 증착을 통해 상기 n-에미터 영역 상부에 형성되는 에미터 전극 및 상기 실리콘 기판의 후면에 형성되는 콜렉터 전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플레이너형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, p-베이스 영역의 하부에 형성된 매몰 산화막에 의해 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 게이트에 양의 전압이 인가된 후에 사이리스터 구조를 통한 전류흐름을 방지하여 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 래치-업 특성을 방지하고, 사이리스터 영역으로의 정공 흐름의 방지함으로써 실리콘 기판에서 주입되는 정공으로 인 한 n-드리프트 영역의 전도도변조 효과가 커지게 되어 절연게이트 바이폴라 트랜지스터소자의 온상태 전압강하를 낮게 유지할 수 있는 이점이 있다.
전력반도체 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 IGBT 온-전압

公开(公告)号：KR1020100016709A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：KR1020080076299

申请日：2008-08-05

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 김상철 ,  강인호 ,  김형우 ,  방욱 ,  주성재

IPC: H01L29/73

Abstract: PURPOSE: A planar insulated gate bipolar transistor is provided to reduce a latch-up of the insulated gate bipolar transistor by preventing the turn-on of a parasitic thyristor structure. CONSTITUTION: A range of impurity of a second conductive silicon substrate(201) ranges between 5E18 and 5E19 cm. A first conductive silicon first epi layer(202) is formed on an upper side of the second conductive silicon substrate. A buried oxide layer(203) is formed on a surface of the first conductive silicon first epi layer. A first conductive silicon second epi layer(204) is formed on the upper side of the buried oxide layer and the first conductive silicon first epi layer and fills the buried oxide layer. A metal oxide semiconductor field effect transistor region is formed inside the second epi layer and is comprised of a p-base region(205) and an n-emitter region(206). A gate oxide layer(207) and a polysilicon gate electrode(208) are formed on the upper side of the metal oxide semiconductor field effect transistor region and the first conductive silicon second epi layer. An insulation oxide layer is formed on the upper side of the polysilicon gate electrode. An emitter electrode is formed on the upper side of the n-emitter region. A collector electrode is formed on the rear of the second conductive silicon substrate.

Abstract translation: 目的：提供平面绝缘栅双极晶体管，以通过防止寄生晶闸管结构的导通来减少绝缘栅双极晶体管的闩锁。 构成：第二导电硅衬底（201）的杂质范围在5E18和5E19cm之间。 在第二导电硅衬底的上侧形成第一导电硅第一外延层（202）。 在第一导电硅第一外延层的表面上形成掩埋氧化物层（203）。 第一导电硅第二外延层（204）形成在掩埋氧化物层和第一导电硅第一外延层的上侧，并填充掩埋氧化物层。 金属氧化物半导体场效应晶体管区域形成在第二外延层内部并且由p基极区域（205）和n-发射极区域（206）组成。 在金属氧化物半导体场效应晶体管区域和第一导电硅第二外延层的上侧形成栅极氧化物层（207）和多晶硅栅电极（208）。 绝缘氧化物层形成在多晶硅栅电极的上侧。 发射极电极形成在n发射极区域的上侧。 集电极形成在第二导电硅衬底的后面。