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11.发明公开
公开(公告)号：KR1020090091648A
公开(公告)日：2009-08-28
申请号：KR1020090002732
申请日：2009-01-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/067 , H01L49/003
Abstract: A circuit for preventing self-heating of MIT(Metal-Insulator-Transition) device and a method for fabricating an integrated device for the same circuit are provided to control the current drive of the current drive device by packaging the MIT device and the resistance device. An MIT device(100) generates the MIT(Metal-Insulator Transition) at the critical temperature or more, and is connected to the current-driven device and controls the current flow. A resistance unit(300) connects a MIT device and a transistor. A transistor is a bipolar transistor(200). The bipolar transistor is the NPN type or the PNP type. The MIT device, the transistor and the resistance unit are integrated to one chip and are packaged. The transistor is the bipolar transistor or the MOS transistor.
Abstract translation: 提供用于防止MIT（金属绝缘体转换）装置的自身加热的电路和用于制造用于同一电路的集成装置的方法，以通过封装MIT装置和电阻装置来控制当前驱动装置的电流驱动 。 MIT设备（100）在临界温度或更高温度下生成MIT（金属绝缘体转换），并连接到电流驱动器件并控制电流。 电阻单元（300）连接MIT装置和晶体管。 晶体管是双极晶体管（200）。 双极晶体管是NPN型或PNP型。 MIT器件，晶体管和电阻单元集成到一个芯片中并进行封装。 晶体管是双极晶体管或MOS晶体管。
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公开(公告)号：KR100744551B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060015636
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 일정한 특정온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서 및 그 온도센서를 포함한 경보기를 제공한다. 그 온도센서는 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT) 박막 및 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막을 구비한 급격한 MIT 소자를 포함하고, 급격한 MIT 소자는 일정한 전이온도에서 급격한 금속-절연체 전이를 일으키는 특성을 가진다. 또한, 경보기는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 구비한 온도센서; 온도센서와 연결된 릴레이 스위치; 및 릴레이 스위치에 연결된 경보신호기;를 포함한다. 본 발명의 경보기는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서를 포함함으로써, 회로적으로 간단하고 소형의 사이즈로 제작할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 경보기-
公开(公告)号：KR100734854B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050117265
申请日：2005-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐이산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐이산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응-
公开(公告)号：KR100734830B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050048868
申请日：2005-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01M2/34
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/348 , H01M10/052 , H01M10/443 , H01M2200/00 , H01M2200/106
Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막-
公开(公告)号：KR1020060093266A
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：KR1020050111882
申请日：2005-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140050512A
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020130028122
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The present invention discloses a fire detection system. The system of fire detection includes a power, a display unit connected to the power to display fire, and a metal-insulator transition (MIT) device connected to the power to detect the fire. Herein, the MIT device may include a substrate, a plurality of first electrodes disposed on the substrate, MIT substances of vanadium oxide connected to the first electrodes, and a second electrode connecting the MIT substances in a series.
Abstract translation: 本发明公开了一种火灾探测系统。 火灾检测系统包括电源，连接到显示火的电源的显示单元，以及连接到电源以检测火的金属 - 绝缘体转换（MIT）设备。 这里，MIT装置可以包括基板，设置在基板上的多个第一电极，连接到第一电极的氧化钒的MIT物质和连接MIT物质的第二电极。
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公开(公告)号：KR1020120002905A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020100128380
申请日：2010-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/24 , H01L25/167 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00011
Abstract: PURPOSE: A metal-semiconductor fusion electronic circuit device and an electronic circuit system using the same are provided to regularly maintain a current which flows in a semiconductor device by including a metal resistance device capable of preventing thermal runaway. CONSTITUTION: A metal resistance device(10) is closely arranged to a semiconductor device(21). The metal resistance device has resistance which is increased in proportion to a heat which is generated from the semiconductor device. A wiring(23) serially interlinks the semiconductor device and the metal resistance device. The metal resistance device has a resistance value of 0.2-10Ω. The metal resistance device is metal oxide transition device or a conducting wire. The metal resistance device is connected at least one among the base of a bipolar bonding transistor, a collector, or an emitter.
Abstract translation: 目的：提供一种金属半导体融合电子电路装置及使用其的电子电路系统，以通过包括能够防止热失控的金属电阻装置来定期地保持在半导体器件中流动的电流。 构成：金属电阻装置（10）紧密地布置在半导体装置（21）上。 金属电阻器件具有与从半导体器件产生的热成比例地增加的电阻。 布线（23）使半导体器件和金属电阻器件串联连接。 金属电阻器件的电阻值为0.2-10Ω。 金属电阻器件是金属氧化物转换器件或导线。 金属电阻器件连接在双极结合晶体管，集电极或发射极的基极中的至少一个。
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公开(公告)号：KR1020110116970A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020110019643
申请日：2011-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 본 발명에 의한 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치는 열에 의한 FET의 소스-드레인 간 전류 감소 문제를 효과적으로 해결하고, 또한, FET의 온도를 낮출 수 있는 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 그 FET을 구비한 전기전자장치를 제공한다. 그 가변 게이트 전계 효과 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET); 및 상기 FET의 표면 또는 발열 부분으로 부착되고, 회로적으로는 상기 FET의 게이트 단자에 연결되어 상기 게이트 단자의 전압을 가변시키는 게이트 제어 소자;를 포함하고, 상기 FET이 소정 온도 이상 상승 시에 상기 게이트 가변 소자에 의해 상기 게이트 단자의 전압이 가변되어 상기 FET의 소스-드레인 사이의 채널 전류가 제어된다.
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公开(公告)号：KR1020090049010A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020080052257
申请日：2008-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F3/24
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H02H3/085 , H02H5/047 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어-
20.发明公开Ｇｅ기반 금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 박막, 그 ＭＩＴ박막을 포함하는 ＭＩＴ 소자 및 그 ＭＩＴ 소자 제조방법 无效基于锗（GE）的金属绝缘体转变（MIT）薄膜，包含相同的薄膜的麻省设备和制造相同的麻省设备的方法
公开(公告)号：KR1020090013657A
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：KR1020070123639
申请日：2007-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: A Ge based MIT thin film, the MIT device, the method for manufacturing the same are provided to easily grow the material of the MIT thin film by using the Ge element material. The MIT device comprises the substrate(100), and the Ge base MIT thin film (300a), at least two electrode thin films(410a,420a). The Ge base MIT thin film is formed on the substrate and generates the discontinuity metal-insulator transition(MIT) in the transition voltage. The electrode thin film is contacted with the Ge base MIT thin film. The Ge base MIT thin film causes the discontinuity MIT by voltage or the applied current.
Abstract translation: 提供基于Ge的MIT薄膜，MIT装置及其制造方法，以通过使用Ge元素材料容易地生长MIT薄膜的材料。 MIT装置包括基板（100）和Ge基MIT薄膜（300a），至少两个电极薄膜（410a，420a）。 Ge基MIT薄膜形成在衬底上并产生转变电压中的不连续金属 - 绝缘体转变（MIT）。 电极薄膜与Ge基MIT薄膜接触。 Ge基MIT薄膜通过电压或施加电流导致不连续MIT。
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