公开(公告)号：KR100523484B1

公开(公告)日：2005-10-24

申请号：KR1020020069586

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  권오균 ,  한원석 ,  박상희 ,  김종희 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/176

Abstract: 전류 제한 구조(current-confined structure)를 갖는 반도체 광소자의 제조방법를 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성한 후, 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 습식에칭하여 측면부에 리세스를 형성한다. 상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖게 한다. 이상과 같이 제조된 본 발명의 반도체 광소자는 광통신 파장 영역에서 사용 가능하고 역학적으로 안정하고 열전도도가 우수하며 상업성을 갖춘 전류 제한 구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020050051743A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100482914B1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 하부거울층, 하부거울층 상부에 위치하여 전류 및 열방출의 경로가 되는 열방출층, 열방출층 상부에 위치하여 공진하는 레이저빔이 광이득을 얻는 활성층, 활성층 상부에 위치하며 양 측면에 공기층 구경을 갖는 구경형성층, 구경형성층 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 상부거울층, 상부거울층, 구경형성층 및 활성층의 측면과 상기 열방출층의 상부에 위치하는 절연층 및 상부거울층의 상부에 위치하는 전극을 포함한다. 따라서 기계적으로 안정적이고 효과적인 전류유도를 할 수 있으며, 단일 횡모드 발진이 가능하고 구동전력이 적고 동작속도가 빠른 통신용 장파장 광원의 공급이 가능해지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040042694A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture and a method for manufacturing the same are provided to effectively induce the current by making the etching depth of the air gap aperture shallow. CONSTITUTION: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture includes an air gap aperture provided with a substrate(100), a bottom mirror layer(102), a heat emission layer(104), an active layer(106), an aperture formation layer(108), a top mirror layer(110), an insulation layer(112) and an electrode(114). The heat emission layer(104) is positioned at the top of the bottom mirror layer(102) and is a role of the path of the current and the heat dissipation. The active layer(106) is positioned at the top of the heat emission layer(104) to obtain the optical gain of the laser. The aperture formation layer(108) is positioned on the top of the active layer and the top mirror layer(110) is formed on the top of the aperture formation layer(108), wherein the top mirror layer is formed by alternatively growing two layers. The insulation layer(112) is formed on the sides of the top mirror layer(110), the aperture formation layer(108) and the active layer(106) and the top of the heat emission layer(104). And, the electrode is formed on the top of the top mirror layer(110).

Abstract translation: 目的：提供具有气隙孔的垂直腔表面发射层结构及其制造方法，以通过使气隙孔的蚀刻深度变浅而有效地引起电流。 构造：设置有气隙孔的垂直腔表面发射层结构包括设置有衬底（100）的气隙孔，底镜层（102），发热层（104），有源层（106） ，孔形成层（108），顶镜层（110），绝缘层（112）和电极（114）。 发热层（104）位于底部镜层（102）的顶部，并且是电流和散热的路径的作用。 活性层（106）位于发热层（104）的顶部，以获得激光的光学增益。 孔径形成层（108）位于有源层的顶部上，顶部镜层（110）形成在孔形成层（108）的顶部上，其中顶部镜层是通过交替生长两层形成的 。 绝缘层（112）形成在顶镜层（110），孔形成层（108）和有源层（106）和发热层（104）的顶部的侧面上。 并且，电极形成在顶镜层（110）的顶部。

公开(公告)号：KR1020090024945A

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020070089939

申请日：2007-09-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  창원대학교 산학협력단

Inventor： 김창선 ,  차진종 ,  최성훈 ,  김영희 ,  하판봉 ,  우엄찬 ,  김종희

IPC: G05F3/24

Abstract: A start up circuit and a band gap reference voltage generator including the same are provided to prevent the increase of a reference voltage and power consumption due to an unnecessary start up operation and to secure the reference voltage of the whole system stably by controlling a bias voltage of the reference voltage generator to a stable level. A start up circuit(100) includes a charging/discharging unit(110) and a bias output unit(150). The charging/discharging unit supplies a current of a constant level to a charging/discharging node and discharges the current corresponding to the level of the power voltage among the supplied currents. The bias output unit generates a bias voltage based on the voltage of the charging/discharging node. The current supplied to the charging/discharging node is not affected by the power voltage.

Abstract translation: 提供起动电路和带隙参考电压发生器，以防止由于不必要的启动操作引起的参考电压和功耗的增加，并通过控制偏置电压来稳定整个系统的参考电压 的参考电压发生器达到稳定的水平。 启动电路（100）包括充电/放电单元（110）和偏置输出单元（150）。 充放电单元向充电/放电节点提供恒定电平的电流，并且将所提供的电流中的与电源电压的电平相对应的电流放电。 偏置输出单元基于充电/放电节点的电压产生偏置电压。 提供给充电/放电节点的电流不受电源电压的影响。

公开(公告)号：KR1020060065449A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020050041909

申请日：2005-05-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  김종희 ,  엄용성

IPC: H01S5/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S3/1301 ,  H01S3/1304

Abstract: 본 발명은 광감지기를 구비한 표면방출레이저소자 및 이를 적용한 광 도파로소자에 대해 개시된다. 개시된 본 발명에 따른 광감지기를 구비한 표면방출레이저소자는 기판상에 레이저광을 발생하여 외부로 출력하는 표면방출레이저와; 상기 기판상에 표면방출레이저와 이웃하도록 형성되며 외부광을 수신하는 광 감지수단을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 광감지기를 구비한 표면방출레이저 소자 및 이를 적용한 광 도파로소자는, 광통신용 표면방출레이저와 광 감지기를 동시에 집적하면서 표면방출레이저의 광 출력 성능에 영향을 주지 않고 넓은 파장 대역 응답이 가능한 양질의 광 감지기를 독립적으로 구동할 수 있다.
표면방출레이저, 광 감지수단, 광 도파로

公开(公告)号：KR1020030062110A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020020002534

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균 ,  주영구 ,  신재헌

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A multi-channel long wavelength VCSEL array and a fabricating method thereof are provided to form constantly an interval of a laser oscillation wavelength by controlling a resonant interval. CONSTITUTION: A multi-channel long wavelength VCSEL array includes a semiconductor substrate(10), a bottom mirror(20), an active region(30), a current limit layer(40), a superlattice control layer(50), and a top mirror(60). The bottom mirror is formed on the semiconductor substrate. The active region is formed on the bottom mirror. The current limit layer is formed on the active region in order to limit efficiently the current and enhance the efficiency of the heat transfer. The superlattice control layer is formed on the current limit layer in order to control an interval of laser oscillation wavelength. The top mirror is formed on the superlattice control layer.

Abstract translation: 目的：提供多通道长波长VCSEL阵列及其制造方法，以通过控制谐振间隔来恒定地形成激光振荡波长的间隔。 构成：多通道长波长VCSEL阵列包括半导体衬底（10），底镜（20），有源区（30），限流层（40），超晶格控制层（50）和 顶镜（60）。 底镜形成在半导体衬底上。 有源区形成在底镜上。 在有源区上形成电流限制层，以有效地限制电流并提高传热的效率。 为了控制激光振荡波长的间隔，在电流限制层上形成超晶格控制层。 上镜子形成在超晶格控制层上。