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公开(公告)号：KR101610782B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020090112509
申请日：2009-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전기방사법을이용한금속선제조방법에관한것으로, 본발명에따른금속선제조방법은금속분말이분산된솔벤트에고분자물질을용해시킨고분자용액을준비하는단계; 상기고분자용액으로부터전기방사법을이용하여기판상에나노급또는마이크로급선을방사하는단계; 상기나노급또는마이크로급선에마이크로웨이브를조사하여금속입자를응집시키는단계; 및고분자를제거하여금속선을형성하는단계를포함한다. 이와같은금속선제조방법은공정이간단하고대량생산이가능하며, 또한얻어지는금속선은전도도가높으며비표면적이크기때문에센서등에이용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160025681A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140112399
申请日：2014-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5268 , G02B5/021 , G02B5/0268
Abstract: 본발명의실시예에따른광산란층의제조방법은기판의제 1 면상에나노구조체를도포하는것, 및상기나노구조체를식각마스크로사용하여상기나노구조체에노출된상기기판을식각하여상기기판의상기제 1 면이리세스되어상기기판의상기제 1 면으로부터돌출된제 1 격벽들을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，光散射层的制造方法包括：将纳米结构施加到基板的第一表面上的步骤; 以及使用纳米结构作为蚀刻掩模来蚀刻暴露于纳米结构的衬底以允许结构的第一表面凹陷以形成从表面的第一表面突出的第一侧壁的步骤。 本发明的目的是提供一种具有简化制造工艺的光散射层的制造方法。
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公开(公告)号：KR1020140081921A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120144284
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 안준태 , 이정익 , 문제현 , 박승구 , 조남성 , 조두희 , 한준한 , 황주현 , 신진욱 , 임종태 , 주철웅 , 허진우 , 황치선 , 류호준 , 구재본 , 추혜용
CPC classification number: H01L27/3232 , H01L51/5271 , H01L2251/5323
Abstract: A dual-mode display according to one embodiment of the present invention includes a substrate and a plurality of fine pixels. Each fine pixel includes an emissive device, a reflective optical filter which is arranged on one side of the emissive device, and an optical shutter which is arranged on the other side of the emissive device.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的双模式显示器包括基板和多个精细像素。 每个精细像素包括发射装置，布置在发射装置的一侧上的反射式滤光器和布置在发射装置的另一侧的光学快门。
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公开(公告)号：KR1020130084848A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005744
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5268 , B82Y20/00 , H01L51/0096 , H01L2251/105 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/5281 , H01L51/5203 , H05B33/10 , H05B33/22
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method of the organic light emitting device are provided to improve light extraction by suppressing the reflected light at a boundary surface between a substrate and a first electrode. CONSTITUTION: A substrate (111), a first electrode, an organic light emitting layer (113), and a second electrode are laminated on a light emitting unit (110). A nanostructure (120) includes a first opening (121) randomly distributed between the substrate and the first electrode. The nanostructure includes at least one of polyimide having a refractive index of 1.3 to 1.5, epoxy, polycarbonate, PVC, PVP, polyethylene, polyacryl, and parylene.
Abstract translation: 目的：提供有机发光器件和有机发光器件的制造方法，以通过抑制衬底和第一电极之间的边界面处的反射光来改善光提取。 构成：在发光单元（110）上层压基板（111），第一电极，有机发光层（113）和第二电极。 纳米结构（120）包括随机分布在基板和第一电极之间的第一开口（121）。 纳米结构包括折射率为1.3至1.5的聚酰亚胺中的至少一种，环氧树脂，聚碳酸酯，PVC，PVP，聚乙烯，聚丙烯和聚对二甲苯。
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公开(公告)号：KR1020110055893A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020090112509
申请日：2009-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a metal wire by electrospinning is provided to simplify the process and to obtain the metal wire with high conductivity. CONSTITUTION: A method for fabricating a metal wire by electrospinning comprises: a step of dissolving polymer materials on a solvent in which metal powder is dispersed to prepare a polymer solution; a step of spinning a wire of nano level or micro level on a substrate by electrospinning; a step of irradiating microwave to the wire to aggregate the metal particles; and a step of removing polymer materials by thermal treatment, plasma treatment, or solvent melting. The polymer materials are polyolefin polymers, aromatic polymers, chloride polymers, fluoropolymers, silicon polymers, or polybutadiene.
Abstract translation: 目的：提供一种通过静电纺丝制造金属丝的方法，以简化工艺并获得高导电性的金属丝。 构成：通过静电纺丝制造金属丝的方法包括：将聚合物材料溶解在其中分散金属粉末的溶剂中以制备聚合物溶液的步骤; 通过静电纺丝将纳米级或微量级的丝线旋转在基底上的步骤; 将微波照射到金属丝上以聚集金属颗粒的步骤; 以及通过热处理，等离子体处理或溶剂熔融除去聚合物材料的步骤。 聚合物材料是聚烯烃聚合物，芳族聚合物，氯化物聚合物，含氟聚合物，硅聚合物或聚丁二烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100949546B1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：KR1020070126345
申请日：2007-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N27/12 , G01N27/407
Abstract: 본 발명은 초고감도 금속산화물 가스센서의 제조방법에 관한 것으로 고분자 비드를 미세 패터닝 간격 사이에 정열된 단층으로 배열시키는 방법과 가스센싱의 감도를 저하시키는 금속센서전극과 금속 산화물 사이의 저항성분을 효과적으로 제거시키는 계단형 금속센서전극의 구조를 포함한다.
이에 따라, 본 발명으로 다공성 금속산화물 단층정열막을 형성할 수 있으며, 금속센서전극과 금속산화물간의 전기적 접촉의 저항제거로 금속산화물 표면에서의 가스 흡착 또는 산화/환원으로 발생되는 저항 또는 유전 등 전기적 특성 변화를 정밀하게 측정하여 초고감도 센서를 제조할 수 있다.
가스 센서, 비드, 금속 산화물, 전극-
公开(公告)号：KR102237211B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020150025284
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 표시패널은반사모드또는발광모드중 어느하나의모드로구동할수 있는복수의픽셀들을포함하되, 상기복수의픽셀들각각은, 광투과성재료를포함하는제1 기판, 상기제1 기판과대향하는제2 기판, 상기제1 기판의상기제2 기판방향의표면상에위치하는제1 전극, 상기 1 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해발광하는발광재료를포함하는발광소자층, 상기제2 기판의상기제1 기판방향의표면상에위치하는제2 전극, 상기제2 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해착색또는탈색되는반사소자층 및상기발광소자층 및상기반사소자층 사이에위치하고, 상기광의투과율을조절하는전해질층을포함하되, 상기반사모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제1 주파수이하의교류전압이인가되고, 상기발광모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제2 주파수이상의교류전압이인가되고, 상기제2 주파수는상기제1 주파수보다높은갖는다.
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公开(公告)号：KR101904953B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020120134655
申请日：2012-11-26
CPC classification number: H01L51/5268 , C23C14/12 , G02B5/0242 , G02B5/0247 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 본발명의일 실시예에따른유기산란층의제조방법은반응챔버와소스챔버를포함하는증착장치를제공하고, 기판을상기반응챔버내에고정하는것, 상기반응챔버와연결되며기화된유기물소스를공급하는상기소스챔버에 25°C 내지 50°C의이송가스를공급하는것, 상기이송가스와상기기화된유기물소스가샤워해드를통하여상기반응챔버내로분사되는것, 및상기기화된유기물소스가분자화되어형성된유기입자들이상기기판상에증착되어불균일한표면을유기산란층을형성하는것을포함한다.
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