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公开(公告)号：KR1019980031223A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050772
申请日：1996-10-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/22
Abstract: 본 발명은 2차원 전자 기체계에서 관측되는 양자 홀 효과를 이용한 스위칭 소자에 관한 것으로서, 현재 대부분의 스위칭 소자가 집적도가 높아질수록 단위 면적당 소비 전력 역시 증가하여 집적 기술 발전의 한계점을 갖고 있기 때문에, 본 발명은 2차원 전자 기체가 폐곡선을 이루는 고리모양으로 제작하고 고리의 폭을 가로 지르는 게이트 전극을 부착한 후, 이를 양자 홀 조건에 놓고, 게이트 단자을 입력단자로, 안쪽 경계면에 출력단자로, 그리고 바깥쪽 경계면을 공통으로 한 양자 홀 스위칭 소자 및 그 개념을 확장한 소자로서, 구멍이 2개 이상의 2차원 전자 기체에서의 다수개의 입출력단자를 가진 저전력 소자이다.
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公开(公告)号：KR1019980029652A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960048947
申请日：1996-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: 본 발명은 여러개의 온/오프(on/off) 상태를 갖는 다기능 트랜지스터 소자를 제작하기 위해 전자의 회절성을 2차원 전자 기체에 구현하는 것으로, 특히 전자의 통로에 반사 회절 그레이팅(grating) 모양의 구조를 삽입함으로써, 전자의 회절 현상을 이용하여 드레인 전류의 크기를 조절하고, 여러개의 온/오프 상태를 갖는 양자 회절 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970054592A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047862
申请日：1995-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 초 박막의 금속합금층으로 형성되는 Mo-C의 압 저항체와 이 압 저항체의 양단에 접촉되어 형성되는 제1전극 및 제2전극과 상기 압 저항체의 표면과 제1전극과 제2전극의 일부표면을 덮는 Si-C 절연막으로 된 보호절연막이 형성된 구조를 갖는 압 저항소자 및 그의 제조방법을 제공한다. 이러한 구성을 갖는 본 발명은 압 저항소자는 단원자층으로 이루어지는 초 박막의 압 저항체를 사용함으로써 매우 미소한 압력을 감지하여 계측할 수 있으며 종래의 기술에서 압 저항체로 사용한 반도체 재료에 비하여 소자의 성능히 현저히 향상된다.
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公开(公告)号：KR1019960019799A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940032100
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 전계효과 트랜지스터의 전자 통로의 재료로서 Mo-C 초박막을 사용한 금속 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다. Mo-C는 전기적으로 연속적인 초박막의 형태로 쉽게 만들어진다. 또한, Mo-C는 높은 용융점 및 강도 등의 재질 뿐 아니라, 초박막구조의 안정성 때문에 손쉽게 상온에서 초박막으로 만들 수 있는 성질들을 가지고 있기 때문에 초박막 금속 전계효과 트랜지스터의 금속 재료로서 아주 적합하다.
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公开(公告)号：KR1019960005821A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940016751
申请日：1994-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 GaAs 화합물 반도체를 전자소자로 응용하는데 거침돌이 되어 온 GaAs의 표면상태를 안정화시키고 표면상태 밀도로 낮출 수 있는 표면처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 GaAs를 500℃이상의 온도로 가열할 때 GaAs의 표면으로부터 As원자가 빠져 나오는 현상을 이용하고, 이 상황에서 NH
3 가스를 플라즈마로 이온화시키는 과정에서 생성되는 여기된 질소 원자를 이용하여, As이 빠져 나온 GaAs 표면을 N원자로 치환시켜 밴드 갭이 큰 GaN를 GaAs 표면에 얇게 형성시킨다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101152229B1
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020090030182
申请日：2009-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 강제 음향 쌍극자는, 제1, 2 음원에 각각 입력되는 입력 신호의 위상과 음압을 조절하여 음향 로브 방향을 자유롭게 조향할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 강제 음향 쌍극자를 다수개 배열하여 강제 음향 다중 극자 어레이를 구성하고, 각 강제 음향 쌍극자의 제1, 2 음원에 각각 입력되는 입력 신호의 위상과 음압을 조절하여 음향 로브 방향을 특정 방향으로 조향하면, 타인에게 청각적 방해를 주지 않으면서 원하는 범위에서만 음향을 들을 수 있다.
강제 음향 다중 극자, 강제 음향 쌍극자, Forced Acoustic Multipole, FAM-
公开(公告)号：KR1020010048131A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990052682
申请日：1999-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/732
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L29/7613 , H01L49/006 , Y10S438/962 , Y10S977/937
Abstract: PURPOSE: A single electron device is provided to promote the realization of a single electron device including the wiring by managing its tunnel junction part with etching and the structure of bottle neck on the basis of a simplified process of photolithography and etch using the ultra thin metal film. CONSTITUTION: A semiconductor substrate has an ultra thin metal film. An electron island is formed between a source and a drain formed on the ultra thin metal film. The weak links has a predetermined thickness from the boundary when etching to thereby guide a coulomb closure of the electron island in the form of a bottle neck to play the role of tunnel junction connecting the source to the electronic island, and the island to the drain. A gate electrode is capacitively coupled with the electron island by being formed at a predetermined interval around the electron island.
Abstract translation: 目的：提供单电子器件，通过在简化的光刻工艺和使用超薄金属的蚀刻的基础上，通过用蚀刻和瓶颈的结构管理其隧道结部分来促进包括布线在内的单个电子器件的实现 电影。 构成：半导体衬底具有超薄金属膜。 在形成在超薄金属膜上的源极和漏极之间形成电子岛。 薄弱环节在蚀刻时具有从边界预定的厚度，从而以瓶颈的形式引导电子岛的库仑封闭，以发挥将源连接到电子岛的隧道结，以及岛到漏极 。 通过以电子岛周围的预定间隔形成栅电极与电子岛电容耦合。
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公开(公告)号：KR100149888B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019940022873
申请日：1994-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 절연막이 형성된 소정의 기판 위에 금속 초박막을 주재료로 하여 가공(사진 식각, 재증착, 열처리 등)시킨 능동소자를 형성한 이차원 집적회로 구조와, 이를 한 단위로 하여 이들을 동일 기판 위에 연속적으로 적층하여 삼차원화시킨 금속박막으로 구성된 전자소자의 삼차원 집적회로에 관한 것이다.
본 발명은 한 단위구조의 집적회로만으로도 반도체를 재료로 한 소자에 비해 훨씬 높은 집적도를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 이 단위구조들을 동일 기판 위에 적층하여 삼차원화 할 수 있기 때문에 적층의 개수만큼 집적도가 배가될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990018510A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041696
申请日：1997-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01H17/00
Abstract: 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다.
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.-
公开(公告)号：KR1019980028590A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960047707
申请日：1996-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: 본 발명은 초전도 미세선 구조를 이용한 고감도 전자파 감지기 또는 증폭기 소자에 관한 것으로서, 그 전자파 감지소자는 초전도체 물질로 이루어진 0.2μm 이하 폭의 미세선과, 이 미세선의 양단에 1μm 이상의 폭의 동일 물질의 리드(leads)를 연결시킨 바이어스 전류 및 전자파의 입력단자와, 그리고 그 미세선의 중앙에 부착되는 전압 출력단자로 구성된 것이다.
이러한 전자파 감지소자는 작동 온도가 초전도 미세선의 초전도 전이 온도 부근이며, 감지할 수 있는 전자파의 주파수 대역이 초전도 물질의 갭 에너지를 플랭크(Planck)상수로 나눈 값 이하이다.
이 전자파 감지소자는 감지된 전자파로 인해 미세선 상태의 변환이 유도되어, 즉 저항이 없는 초전도 상태에서 저항이 존재하는 상태로의 변환이 유도되어 그 상태 변화를 바이어스 전류에 의한 전압강하로서 감지하여 전자파를 감지하는 것이다.
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