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公开(公告)号：KR1020040052017A
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020020079735
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3409 , H01S5/1003 , H01S5/34373
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser device and a method of manufacturing the same are provided to obtain high optical coupling efficiency without deterioration of optical characteristics. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes an active waveguide(100a), a passive waveguide(100b) and a plurality of clad layers(130,155,160). The active waveguide(100a) is formed on the predetermined portion of the substrate(110). The passive waveguide(100b) is provided with a core layer(145). Each of the clad layers(130,155,160) is formed on the active waveguide(100a) and the passive waveguide(100b). And, a pair of separated confinement heterostructure(SCH) layers(115,125) are formed on top and below the core layer(120) of the active waveguide(100a).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器件及其制造方法，以获得高的光耦合效率，而不会降低光学特性。 构成：半导体激光器件包括有源波导（100a），无源波导（100b）和多个包覆层（130,155,160）。 有源波导（100a）形成在基板（110）的预定部分上。 无源波导（100b）设置有芯层（145）。 每个包覆层（130,155,160）形成在有源波导（100a）和无源波导（100b）上。 并且，在有源波导（100a）的芯层（120）的上方和下方形成一对分离的限制异质结构（SCH）层（115,125）。
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公开(公告)号：KR1020040042695A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020071278
申请日：2002-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an optical integrated circuit is provided to automatically align two optical devices with each other by defining a waveguide of a passive device and an active device by using only one mask. CONSTITUTION: A method for manufacturing an optical integrated circuit includes the steps of: forming a core layer(101) and a buffer layer(102) of a mode size converter on a substrate(100) provided with an active region(A) and a passive region(B); forming a first guide layer, the core layer(101), a second guide layer and a clad layer on the buffer layer(102) of the active region(A); forming the core layer(101) and the clad layer on the buffer layer(102) of the passive region(B); forming a first mask pattern so as to define the width of the upper waveguide of the mode size converter; etching the clad layer, the second guide layer, the core layer(101) of the active region(A), the first guide layer and the buffer layer(102) of the passive region(B) by using the first mask; after forming the second mask, removing the buffer layer(102), the core layer(101) and the portion of the substrate; forming a current blocking layer on the exposed substrate; and forming the clad layer on the entire top surface by removing the second mask pattern of the active region(A).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造光学集成电路的方法，通过仅使用一个掩模来限定无源器件和有源器件的波导来自动对准两个光学器件。 构成：一种用于制造光学集成电路的方法包括以下步骤：在具有有源区（A）的基板（100）上形成模式尺寸转换器的芯层（101）和缓冲层（102） 被动区域（B）; 在有源区（A）的缓冲层（102）上形成第一引导层，芯层（101），第二引导层和覆盖层; 在所述被动区域（B）的缓冲层（102）上形成所述芯层（101）和所述覆盖层; 形成第一掩模图案，以限定模式尺寸转换器的上波导的宽度; 通过使用第一掩模蚀刻包层，第二引导层，有源区（A）的芯层（101），第一引导层和无源区（B）的缓冲层（102）; 在形成第二掩模之后，去除缓冲层（102），芯层（101）和基板的部分; 在暴露的衬底上形成电流阻挡层; 以及通过去除有源区域（A）的第二掩模图案，在整个顶表面上形成覆层。
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公开(公告)号：KR1020040009325A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020020043246
申请日：2002-07-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: PURPOSE: A ridge type semiconductor optical device integrated optical mode size converter is provided to improve a mode transition characteristic and reduce a dispersion loss by forming a top clad layer with a stepped structure. CONSTITUTION: A bottom clad layer(406) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(404). A passive waveguide layer(408) is formed on an upper surface of the bottom clad layer(406). An intermediate clad layer(410) is formed on an upper surface of the passive waveguide layer(408). An active layer(412) is formed on an upper surface of the intermediate clad layer(410). A top clad layer(414) is formed on an upper surface of the active layer(412). The top clad layer(414) has a stepped structure, which is lowered to a beam output terminal. A ridge(416) is formed at the beam output terminal.
Abstract translation: 目的：提供一种脊型半导体光学器件集成光模式尺寸转换器，以通过形成具有阶梯状结构的顶部包层来改善模式转变特性并降低色散损失。 构成：在半导体衬底（404）的上表面上形成底部覆层（406）。 无源波导层（408）形成在底部包层（406）的上表面上。 在无源波导层（408）的上表面上形成中间包层（410）。 在中间包层（410）的上表面上形成有源层（412）。 在有源层（412）的上表面上形成顶层（414）。 顶部覆层（414）具有阶梯状结构，其被降低到光束输出端子。 在光束输出端形成脊（416）。
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公开(公告)号：KR101221873B1
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020090026258
申请日：2009-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 다중 분포귀환 레이저 소자를 제공한다. 이 레이저 소자는 제1 분포귀환 영역, 변조 영역 및 제2 분포귀환 영역의 기판 상에 배치된 활성층, 제1 분포귀환 영역의 활성층과 커플된 제1 회절격자, 제2 분포귀환 영역의 활성층과 커플된 제2 회절격자를 포함한다. 또한, 이 레이저 소자는 제1 회절 격자에 열을 공급하는 제1 마이크로 히터, 및 제2 회절 격자에 열을 공급하는 제2 마이크로 히터를 포함한다. 제1 마이크로 히터 및 제2 마이크로 히터는 서로 독립적으로 제어된다.
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公开(公告)号：KR101127153B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020090036470
申请日：2009-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/067
Abstract: 본 발명은 이중 모드 광섬유 레이저 모듈을 제공한다. 이 이중 모드 광섬유 레이저 모듈은 광섬유 레이저, 광섬유 레이저에 제1 인젝션 락킹을 제공하는 제1 인젝션 락킹부, 및 광섬유 레이저에 제2 인젝션 락킹을 제공하는 제2 인젝션 락킹부를 포함하되, 제1 인젝션 락킹부의 제1 파장과 상기 제2 인젝션 락킹부의 제2 파장은 서로 다르고, 제1 인젝션 라킹부 및 제2 인젝션 락킹부는 광섬유 레이저에서 이중 모드를 발진시킨다.
테라헤르츠 파, 인젝션 락킹, 주파수 도메인, 주파수 가변-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100753816B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020050100872
申请日：2005-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1039 , H01S5/1203
Abstract: 포화흡수체와 같은 비선형 영역이 없는 다영역 레이저 다이오드에서 수동 모드 잠김을 이용한 광 펄스 생성 방법을 제공한다. 그 레이저 다이오드는 리플렉터(reflector) 역할을 하는 DFB(distributed feedback) 영역; 및 상기 DFB 영역에 연결되고 끝단에 절단면(as-cleaved facet)이 형성된 이득 영역(gain region)을 포함한다. 본 발명에 의한 레이저 다이오드는 DFB 영역에 문턱 전류 이하의 전류를 인가하여 리플렉터로 작동시킬 경우 수동 모드 잠김이 원활히 발생하여, 포화 흡수체와 같은 영역이 불필요하여 제작이 간편하고, 포화 흡수체를 사용하는 경우에 비해 주파수의 가변 영역을 확대할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100734851B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050116585
申请日：2005-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/293
Abstract: 본 발명은 다중 파장 선택 장치에 있어서, M개의 단일 파장 광신호로 구성된 다중 파장 광신호를 입력받아 상기 다중 파장 광신호가 입력된 방향으로 상기 다중 파장 광신호중 소정의 N개의 단일 파장 광신호를 출력하는 제 1 도파로;및 상기 제 1도파로와 연결되어 상기 다중 파장 광신호를 평면적으로 퍼져 전송되도록 하는 일단과 상기 N개의 단일 파장 광신호 각각이 상기 일단에서 보강간섭이 되도록 반사하는 변조주기 회절 격자 형태의 타단으로 구성된 제 2 도파로;를 포함하며, 광신호를 집광하기 위한 집광/초점렌즈 필요없이 다중 파장 광신호에서 복수의 단일 파장 광신호를 선택하는 다중 파장 선택 장치의 제공에 있다.
변조 주기 회절격자, 도파로-
公开(公告)号：KR100653652B1
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020040107030
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3403 , H01S5/34373
Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링 장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링 장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드-
公开(公告)号：KR100596510B1
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040094583
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층-
公开(公告)号：KR100596380B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020020079735
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 광학적 손실을 최소화할 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판, 상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로, 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로, 및 상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며, 상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(separated confinement heterostructure)층이 더 형성된다.
광도파로, 광결합 계수, 광결합 효율, SCH
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